Способ определения коэффициента передачи четырехполюсников свч

Номер патента: 1500920

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Воробьев, Груздев, Печенкин, Стерин

МПК: G01N 21/55

Метки: зеркального, коэффициента, отражения

...9 определяется формулой, в которую входит также коэффициент К, , пропорциональный коэффициенту зеркального отражения образца 12, т.е.ВКК К схр Ке К 1 К 9Таким образом, если вычислить отношение сигналов Б 1 и Б , то оно равноБ ВКК 4 К оК 11 3 Ф б 3 Ф 2(4)Поскольку по результатам выравнивания выходных сигналов фотоэлектриП ческих приемников - = 1, тоЦПКфФр фПри подключении фотоэлектрических приемников к измерителю отношений, последний измеряет значение коэффициента зеркального отражения образ-. ца К,р .1Зеркальный отражатель 5 вращается вокруг оси С, перпендикулярной плоскости чертежа. Поскольку аАСО = 4 АСО (по стороне ОС и прилегающим к ней углам), то СА = СА, т.е. точки А и А на отражателе 5 совпадают. Поскольку углы поворота...

Номер патента: 1307314

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Вакив, Кушнир, Шпотюк

МПК: G01N 21/55

Метки: зеркального, коэффициента, отражения

...луч,сканируя пространство многократныхотражений, каядый раз отражаетсятолько от центрапьной части каждогорегистрирующего элемента фотодетектора, Это предполагает выполнениенекоторого геометрического соотношения между элементами оптической ахеОптимальный режим работы устройства соответствует коэффициенту отражения рабочей поверхности каядого фотоэлемента К=50%. При этом элемент регистрирует половину падающего нанего светового потока, а вторая половина направляется на исследуемуюповерхность, Такая отражающая способность может быть достигнута при высоком классе обработки рабочей поверхности или путем применения металлических отражающихпокрытий.Нижний предел отражающей способностиК определяется условиями и качеством обработки...

Номер патента: 1307331

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Вакив, Кушнир, Шпотюк

МПК: G01N 21/55

Метки: зеркального, коэффициента, отражения

...и оптические квантовые генераторы. Параллельностьвходного светового потока достигает-. 25ся при помощи коллимирующей системы2, установленной после источника 1излучения, Входная щель 3 обеспечивает выделение из суммарного пучканеобходимой величины светового потока и с этой целью выполнена с возможностью регулирования,Конструктивная реализация фотодетектора 4 показана схематически вразрезе на фиг.2, К металлическомуоснованию 6, служащему одним общимэлектродом, припаивается пластинка 7монокристалла кремния и-типа. Наружная поверхность пластинки покрывается защитным слоем 8 81.02, в котором щдля осуществления частичного отражения светового луча от внешней поверх-ности элемента протравливаются сквозные окна. Прогрев заготовки в атмосфере...

Номер патента: 1449876

Опубликовано: 07.01.1989

Авторы: Буляускас, Гураускас

МПК: G01N 21/55

Метки: зеркального, коэффициента, отражения

...параметровматериалов с помощью оптических методов,Цель изобретения - повышение быст.родействия и точности измерения коэф.фициента отражения.На чертеже представлена схемаустройства,Устройство содержит источник 1излучения, попый конический отражатель 2, держатель 3 образца, конденсор 4 и фотоприемник 5. В коническом отражателе выполнено отверстие 6.Излучение от источника 1 черезотверстие 6 с прямоугольном коничес"ком отражателе 2 падает на образец,прикрепленный к держателю 3, которыйможно поворачивать вокруг вертикальной оси 00 для измерения отраженного при различных углах падения излучения 1 и перемещать вверх дляизмерения падающего на образец излучения 1Благодаря конденсору 4потоки 1. и 1 попадают на фотоприемник 5 под одинаковым...

Номер патента: 1370609

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Даниленко, Ильницкий, Ревук

МПК: G01R 27/04

Метки: коэффициента, отражения, свч, элементов

...3 и второго 4 зондов до первого и третьего входов первого кольцевого моста 8 одинаковы, а электрическое расстояние от первого зонда 3 до первого входа больше электрического расстоя" ния от второго зонда 4 до третьего входа второго кольцевого моста 9 2 га л /4.На плечах и и б первого кольцевого моста 8 образуются соответственно суммарное Ци раэностное Ц напря- жения ц Ц +ц =Ц (1+д)+ Г (1-д)1Ц Ц -Ц =Цд(1-д)+ Г(1+д)3. На плечах д и е второго кольцево го моста 9 образуются соответственно суммарное цэ и разностное Ц,2 напряжения, причем для исключенйя отражений разностное напряжение ц э поглощается поглощающей нагрузкой 10. ц = 2 Ц,Так как Г= Гсов+д эапц где ) и ц" соответственно модуль и фаза коэффициента отражения, то, учитывая его...