155201

Номер патента: 963121

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, отклонений, размеров, структура, схем, тестовая, элементов

...резисторы 36, прямоугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9,проводники 10, контактные площадки11, прямоугольные области 12 с меньшим 1 чем у резисторов удельным сопротивлением.Пример применения тестовой структуры (ТС), имеющей прямоугольные области с меньшим, чем у материалатонкопленочных резисторов удельнымсопротивлением (фиг. 1 и 3).На окисленную поверхность 1 полупооводниковой подложки 2 нанесенылитографические слои, в которых выполнены тонкопленочные резисторы 3-6.Каждый из них представляет собой пря;моугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, к которому сверхучерез прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9 контактируют проводники 10 и контактные...

Номер патента: 1111634

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...

Номер патента: 1122246

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Ивао, Теруеси

МПК: H05K 13/02

Метки: автоматической, подачи, схем, электрических, элементов

...40 в свою очередь, находится в сцеплениис зубчатой рейкой 43, неподвижноприкрепленной к концу поддерживающейзатвор пластины 31, Поэтому, когдаприводится в действие электродвига тель 36, поддерживающая затвор плас"тина 31 перемещается влево и вправо,направляемая стержнями 32 черезмальтийский крест 41, ведущую.шестерню 42 и зубчатую рейку 43.50 Движение поддерживающей затворпластины 31 детектируется оптическимдетектирующим средством, включающим окрашенные в черный цвет заслоняющие свет стержни 44, неподвижно 55 прикрепленные к нижней поверхностиподдерживающей затвор пластины 31.Заслоняющие свет стержни 44 располо"жены между поддерживающими пластина"ми 45 и 46 так, что положение попдерживающей затвор пластины 31 детектируется источниками...

Номер патента: 1621818

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Йозеф

МПК: H01M 10/54

Метки: батарей, печатных, плат, радиодеталями, схем, утилизации, электрических, электронных, элементами

...металлов, ионы которых находятся в растворе. В результате баланс по кис-. лоте не нарушается.Металлы, которые вследствие своих электрохимических свойств не осаждаются в кислой среде (к таким металлам относятся, например, алюминий, калий, литий и натрий), могут после качала кристаллизации вследствие высокой концентрации Фторборатов отделяться путем осаждения натрия, калия и лития на амальгамном катоде. Осаждающиеся на амальгамном катоде металлы могут быть легко отделены.Со временем в электролите накапливаются другие примеси, например различные Аторбораты и микроэлементы; Электролит в этом случае может быть очищен от них путем перегонки, которая для предупреждения термического разложения борАтористоводородной кис-. лоты проводится...

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...