154902

Номер патента: 256084

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Данилин, Константинов, Морозов, Черн

МПК: H01L 29/06

Метки: автоматической, регулировкой, схем, транзистор, усиления

...дает возможность получить приведенное выше отношение между концентрациями подвижных носителей и примеси в коллекторном 25 переходе, а это в свою очередь и определяетвозможность раооты транзистораАРУ.ет Кроме того, указанная структура позволя выполнять транзисторы с АРУ на базе пр стой сплавно-диффузионной технологии пр2 М 084 Составитель М. ЛепешкинаРедактор Б. Б. Федотов Техред Т, П. Курилко Корректор Р. И, Крючкова Заказ 577/3 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская наб., д. 4(5 Типография, пр. Сапунова, 2 условии сохранения небольших значений сопротивления базы.Обязательным условием, обеспечивающим указанную соизмеримость концентраций носителей и примеси,...

Номер патента: 458768

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Братус, Карпенко

МПК: G01R 17/12

Метки: индуктивно, комплексных, мост, плечами, связанными, сопротивлений

...быть найдена из выражения:112Сгз) (К - 1) + У ксг = с)2 - Оъ 71;оо = и- Аовт/и, кто . тоио"=ии =-ь (1) где Л/ггъ, Ътг, - внутренние сопротивления обмоток /гг щз. Рабочий ток в обмотках то и /ггз равен:(2)2 оРезультирующий ток в обмотках и, и /и,равен разности рабочего и компенсирующеготоков:ио 1 и,+и,) (К - 1) и,М =У - /=. - ,2 (з)о оПри выборе числа витков в компенсирующей обмотке /гг/, исходят главным образом из того, чтобы компенсирующая обмотка была и ерегулируемой.При измерении комплексных сопротивлений индуктивного характера обычно регулируется число витков в обмотке, подключенной к измеряемому объекту. При измерении комплексных сопротивлений емкостного характера регулируется число витков в обмотке, подключенной к образцовой...

Номер патента: 1421186

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Евдокимов, Манжа, Мухин, Патюков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, моп-транзисторов, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке p-областей, противоканальных областей и диэлектрической изоляции, осаждение первого слоя поликремния, формирование первого слоя оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния, осаждение второго слоя поликремния, формирование областей истока, стока, затвора и электродов к ним, формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшения количества...

Номер патента: 170574

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: G01R 17/00, G01R 27/00

Метки: активных, малых, непосредственным, отсчетом, прибор, сопротивлений

...измеряемого сопротивления. При такой конструкции прибора повышается его чувствительностьи надежность работы в производственных условиях.На чертеже представлена схема описываемого прибора,Цепь измеряемого сопротивления 1, включенного последовательно с образцовым сопротивлением 2, питается от выпрямителя 3, Напряжения, снимаемые с измеряемого и образ.цового сопротивлений, посредством контактов4 и 5 поочередно подаются на вход усилителяпеременного напряжения б. При помощи контакта 7 осуществляется модуляция напряжения па входе усилителя и демодуляция на выходе,Контакт 8, работающий синхронно стактами 4 и 5, поочередно подключает к вду усилителя б запоминающие емкости 9Логометр 11 показывает отношение напрний на запоминающих емкостях....

Номер патента: 748788

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Большов, Макаренко, Подушко, Сенько, Скобченко, Смирнов

МПК: H02P 13/18

Метки: переключающей, схемы, транзисторами

...в режиме холостого хода будет формироваться соответственно напряжение 60 и 61, причем в момент й будет открыт транзистор 32, а транзистор 31 закрыт. Тогда один из выводов резистора 36 подключен к минусовой шине питания усилителей и логических схем, а в точке контроля, образованной соединением первичной обмотки разделительного трансформатора 34 и резистора 36 будет Формироваться напряжение, показанное на диаграмме 62. До момента , транзистор32 закрыт и в точке контроля формируется напряжение, равное удвоенному напряжению питания усилителей мощности. В момент й открывается транэистор 32, на вторичной обмотке разделительного трансформатора 34 меняется полярность напряжения,.и через диод 38 и открытый транзистор 5 клю-, ча 3 протекает ток,...