Установка ионного легирования

Номер патента: 1027754

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Кройтор

МПК: G09B 23/18

Метки: движения, демонстрации, ионов, магнитном, поле, прибор, учебный, электролита

...движения ионовэлектролита в магнитном поле.Указанная цель достигается тем, что; в приборе для демонстрации движения 30иойов электролита в магнитном поле,содержащем источник питания, прозрачнуюемкость с электролитом, магнит и связанные с источником питания электроды,емкость имеет прямоугольное сечение иПОДКЛЮЧЕННУЮ К ОДНОМУ Иэ ПОЛЮСОВ ИСточника питания и расположенную в нейперегородку из электропроводного материала, разделяющую емкость на два сообщающйхся сосудаэлектроды расположенына внутренних стенках емкости паращельно перегородке и подключены к второмуполюсу источника.На фиг. 1. Изображен прибор, общийвидна фиг, 2 - то же, поперечный раз 45резу 784 2Прибор содержит емкость 1 прямоугольного сечения иэ органического стекла. Перегородка...

Номер патента: 918905

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Кудрявцев, Молчанов

МПК: G01R 33/02

Метки: локальных, магнитного, напряженности, областях, образцов, поля

...11 1Недостатком способа является низ кая точность измерения.Известен способ определения наженности магнитного поля в локал областях образцов, в котором компенсируют тангенциальную составляющую напряженности магнитного полямагнитным полем:обмотки потенциалометра, установленного на поверхности образца. Индикатором момента ком-. ф пенсации служат два датчика Холла 12Недостатком известного способаявляется низкая точность, так как размер локальной области, в которой производится измерение напряженности, определяется конечными размерами феррозонда-потенциалометра.Цель - повышение точности.Цель достигается тем, что в способе определения напряженности магт 5нитного поля в локальных областях образцов, включающем компенсацию тангенциальной...

Номер патента: 1077466

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Апалихин, Куршецов, Ширшов

МПК: G01R 19/00

Метки: внешнего, зависимости, критического, магнитного, образцов, поля, сверхпроводника, технического

....сверхпроводящего магйита, а другой вход - к выходу блока измерения тока во вторич= 5,8 А/с - кривая 1 и;гВ состав устройства входит сверх- проводящий магнит 1, образующий первичную обмотку сверхпроводящего трансформатора, вторичная обмотка 2 которого связана с исследуемым сверхпроводящим образцом 3, имеющим форму шпильки. Питание сверхпроводящего магнита 1 осуществляется от источника 4 питания. (стабилизированного источника тока), э выходную цепь которого включен шунт 5В петле вывода вторичной обмотки 2 установ лена индукционная катушка 6, соединенная с интегратором 7. Регистрация искомой зависимости производится двухкоординатным самописцем 8, один из входов которого подключен к выво дам шунта 5, а другой вход - к выходу...

Номер патента: 1674290

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Кельман, Мит

МПК: H01J 49/30

Метки: ионами, магнитного, масс-спектрометр, многократным, поля, призменный, прохождением

...направляется на магнитную призму 1. Магнитная призма разлагает ионный пучок по массе и энергии, после чего он отражается первым ионным зеркалом и направляется в электростатическую призму, Электростатическая призма компенсирует разброс ионов по углам, образовавшийся после прохождения магнитной призмы из-за неоднородности ионов по энергии, вследствие чего все ионы с одинаковой массой, но с небольшим различием по энергии, движущиеся до поступления в магнитную призму 1 по параллельным траекториям, после прохожде 1674290ния электростатической призмы вновь идут параллельно друг другу. Таким образом устраняется ограничение разрешающей способности прибора, связанное с разбросом по энергии в ионном пучке, т,е. достигается фокусировка по...

Номер патента: 355585

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Михлин, Попов

МПК: G01R 33/10

Метки: магнитного, параметров, поля, самолета

...в покрытиях площадок.Определение параметров магнитного поля самолета по предлагаемому способу производится следующим образом.Самолет закатывается на первую площадку и производятся измерения в месте установки магнитометрического датчика проекций магнитного поля на самолетные оси Х, У и 2, Так как внешнее поле на площадке 1 удовлетворяет условию Х=У=Л=О, измерения позволяют сразу определить параметры постоянного намагничивания (влияние твердого железа), т. е. коэффициенты Р, Я и Я нз известных уравнений Пуассона, определяющих магнитное состояние носителя. После определения составляющих постоянного намагничивания самолет прямолинейно перемещается на площадку 2, где создано внешнее поле, удовлетворяющее условию Х= У=О, ЯО. По результатам...