ZIP архив

Текст

М 45481 Класс С 130; 89 д, 2 СССР ОПИСАНИЕ К АВТОРСКОМ ЗОБРЕТЕНИВИДКТЕЛЬСтВу дписная группа Л 9 295 И. 3, Емелья СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ САХАРОВ И ДРУГИХ Е ЛЪ 7393028нри Совете МинистровССС96 Способ обработки растворов в магнитном поле для осаждения находящихся в них веществ известен. По такому способу очищают вино- материалы от ферромагнитных примесей, воду от солей постоянной жесткости и лр.Предлагаемый способ кристаллизации сахаров и других веществ заключается в том, что пересыщенный раствор однократно или многократно пропускают через магнитное поле, после чего крнсталлизуют Одним из известных способов, что значительно ускоряет процесс.При обычной кристаллизации процесс возникновения диполей, неОбходимых для построения кристаллической решетки, идет медленно. Магнитное поле, через которое проходит раствор, ускоряет процесс превращения молекул вещества в диполи, которые притягиваются разноименными полюсами, образуя кристаллическую решетку. Чем больпе число намагниченных молекул, тем быстрее идет процесс кристаллизации.Для осуществления предлагаемого способа пересыщенный раствоп сахара или другого вещества при комнатной температуре пропускают через магнитное поле. Силовые линии магнитного поля направлены перпендикулярно движению потока раствора. Раствор, прошедший чсрез магнитное иоле, кристаллизуют одним из известных способов. Ско. рость кристаллизац:11 зависит От силы маг 1 ит 110 ГО пол 51, которое пере - секает раствор, от коэффициента пересыщения исходного раствора н о 1 природы кристаллизируемого вещества.Применяя этот способ, можно создать длн сахарной промь - ности новый тип кристаллизаторов, г которых кристаллизация то ли 1 ШЛЕ го иМ 145481иного сахара будет заканчиваться за несколько часов, вместо нескольких суток, которые необходимы при обычном методе прямой кристаллизации сахаров,Предмет изобретенияСпособ кристаллизации сахаров и других веществ из пересыщенных растворов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью ускорения процесса, пересыщенный раствор однократно или многократно пропускают через магнитное поле, после чего кристаллизуют одним из известных способов.Редактор В, Чулкова Техред А. А, Камышннкова Корректор О. Б. ТюринаПодп, к печ. 4/1 Х - 64 г. Формат бум, 70 Х 108 Ч 1 б Объем 0,18 изд. л.Заказ 1927/13 Тираж 425 Цена 5 коп.ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр. Сапуновз, 2

Смотреть

Заявка

739301

МПК / Метки

МПК: B01D 9/00, C13F 1/02

Метки: 145481

Опубликовано: 01.01.1962

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-145481-145481.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">145481</a>

Похожие патенты