Способ электроосаждения сплавов индий никель

Номер патента: 1526196

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Бабкина, Белов, Богословский, Козлов, Крылова, Панкина, Ратнер, Фиргер, Хенвен

МПК: C09D 5/44

Метки: катодного, композиция, нанесения, покрытий, способом, электроосаждения

...гголгтетраторзтипена или сополцмер тетраФторэтгглена с гексафторпропиленом от 0,5 до 1,0 мас.Х в композиции состава, мас. Х: эпоксиаминокаучуковыйг аддукт с содержанием от 1,43 до 1507. нмидаэолиновых групп, модиФиццроггаггныйг полублокироваццым толуилсцдиизоцгганагом и/или амицоформальдегидной смолой мол.мас. 2000-2500 от 5,9 до 13,3; пигмент от 1,3 до 4,0; цаполнцтель от 0,6 до 1 4 уксусцокислый или муравьггнокис- с 9 гй лый свинец от 0,24 до 0,56; уксусно- кислый цлц муравьинокислый марганец от 0,006 до 0,014 олигомерный Мокраситель от 0,12 до 0,37 Ц нейтрали- Сев затор от 0,09 до 0,20; органический растворцтель от 3,8 до 10,6; вода1 остальное, 2 табл.(пара), воздействующей на внутренггюю и наружную стороны иэделий.Композицию...

Номер патента: 1211342

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Виноградов, Перелыгин

МПК: C25D 3/56

Метки: никель-индий, осаждения, покрытий, сплавом, электролит

...аммония соотТаблица 1 Компоненты электролита,г/Л, режимы электролизасвойства покрытий Электролит. Известный 6 7 Предлагаемый 1 2 3 4 5 8 40 20 40 НикельИндий 2,5 570 60 Аммоний сернокислый 80 Натрий хлористый Лймонная кислота 40 10 30 230 260 250 270 250 460 430 500 430 225 225 22540 40 40 50 45 40,Никель сернокислыйБитартрат натрия 65 65 65 Гидрооксид аммония(25 Х-ный раствор), мл/л 400Натрий сернокислый 113422ветствуют области устойчивого существования смещенных аммиачно-цитратного 1 комплекса никеля и гидроксо-цитратного комплекса индия. Концентрации сернокислого никеля и индия выбраны для обеспечения содержания индия в сплаве от 10 до 737. и для обеспечения получения качественных полублестящих мелкокристаллических осад ков...

Номер патента: 1397548

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Андреева, Гершанова, Ляпишева, Романова, Сорокин

МПК: C25D 11/36

Метки: аноде, окраску, оценки, покрытий, пригодности, фосфатных, электроосаждением

...фосфатным покрытием подобраны таким образом, чтобы вызвать переход в рабочий раствор легкорастворяющейся части фосфатного покрытия, так как продукты растворения именно этой части фосфатного покрытия переходят в пленку лакокрасочного материала, загрязнения ее и вызывая ухудшение физико-механических свойств покрытия. Очевидно, что с увеличением времени и напряжения процесса происходит полное растворение фосфатного слоя, а с их уменьшением не представляется возможным определить количество продуктов растворения в рабочем растворе.фосфатированные образцы помещают в качестве анода в определенное количество рабочего раствора и выдерживают в течение 8-12 с при наложении разности потенциалов 8-12 В. Затем образцы вынимают из раствора, а рабочий...

Номер патента: 857198

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Алесковский, Зытнер, Кольцов, Лебедкина, Макаров, Михайлов, Островидова

МПК: C09D 3/70

Метки: методом, наносимый, покрытия, состав, электроосаждения

...При плотности тока 3 - 5 мА/см протекают одновременно зяектрохимическая полимериэация акриламида и злектрохимическая сшивка поливи нилового спирта борноя кислотой.П р и м е р 1. Металлическое изделие обезжиривают известнымн способами, промывают водой и опускают в ванну с водным раствором следующего состав, вес.%:Акрнламид Юй 4 1 ч -метиленбнсакрнламид 1,0 Хлорнд цинка 2,5 Поапавиловый спирт 3,0 Ворная кислота 0,15857198Вода 73,35Катод - изделие, анод - корпус ванны. Тем. пература 20 - 25 С, Плотность тока 3 - 5 мА/см. Продолжительность процесса 10 - 20 с, Толщина покрьпия зависит от продолжительности про цесса и находится в пределах 0,1 - 0,2 мм.П р и м е р 2, Металлическое изделиеобезжиривают известными способами, промывают водой и...

Номер патента: 1770875

Опубликовано: 23.10.1992

Автор: Железцов

МПК: G01N 27/00

Метки: компонентов, содержания, электролитах, электрохимического

...(10.10 Гц). частот, получают различные значения н,- пряжений датчика,Эквивалентный электрический аналог датчика состоит из резистора, оп(.деляющего концентрацию компонентов, последовательно вклк)ченного с параллельным1770875 Составитель А.ЖелезцовТехред М,Моргентал Корректор Н.Бучок Редактор Г,Бельская Заказ 3739 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ( ССР113035, Москва, Ж, Раушская наб.,4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 соединением емкости двойного слоя - первой ветви, химического и диффузионного импедансов - второй ветви (Феттер К, Электрохимическая кинетика. Химия, 1967, с, 373-380).На низких частотах импеданс аналога датчика определяется...