Интерферометр для измерения линейных перемещений объекта

Номер патента: 1693373

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Елисеев

МПК: G01B 11/26

Метки: клиновидности, оптических, пластин, прозрачных

...и 10 установлен с возможностью отсчетного перемещения по отношению к измеряемой пластине 12 вдоль линии, параллельной оси источника 1 излучения,Способ осуществляют следующим образом,С помощью источника излучения -лазера 1 и фокусирующей системы 2 формируют и направляют на пластину 12 расходящийся гомоцентрирующий пучок когерентного излучения, На делительной пластине 3 отраженное от пластины 12 излучение разделяется и частично направляется ею на зеркало 4, а от него - на делитель 6 Часть излучения отражается от делителя 6 снова к зеркалу 4 и направляется им через поляризатор 7 и скрещенные поляризаторы 9 и 10 на экран 11. Другая часть излучения проходит через делитель 6, попадает на зеркало5 и направляется им через поляризатор 8 и...

Номер патента: 1727098

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Зинченко, Лягушин, Мойсеенко, Плюта

МПК: G02B 5/32

Метки: голографического, излучения, концентратора, плоского, солнечного, типа, фацетного

...отражением опорной волны от сферического вогнутого зеркала 4. Для задания направления сферической волны 3 используется заранее размеченныйй полупрозрачный шаблон 5.Способ осуществляется следующим образом,На плоской стеклянной пластине делают разметку шаблона 5, соответствующую положению фацет в собранном концентраторе, Удобно вначале навести на пластину контуры отдельных фэцет (нэ чертеже показаны тонкими линиями), а затем точками отметить их геометрические центры. С целью уменьшения потерь излучения на отражение полупрозрачный шаблон 5 целесообразно устанавливать в голографическую схему только во время перестройки ее на изготовление очередной фацеты, Плоская опорная волна 2 формируется таким образом, что размеры сечения пучка...

Номер патента: 880174

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/268

Метки: отжига, пластин, полупроводниковых

...того, в этом способе трудно реализовать 35высокую производительность процесса.Наиболее близким техническим реше"нием к настоящему изобретению является способ отжига полупроводниковыхпластин импульсами некогерентного .40электромагнитного излучения миллисекундного диапазона 13 1.Требуемая в этом способе высокаяплотность энергии и излучения приводитк необходимости использования форсиро 45ванного режима ламп-источников излучения, что существенно снижает ихдолговечность и отрицательно сказывается на надежности способа и безопасности работы. 50Кроме того, облучение пластин содной стороны создает условия для возникновения повышенных термических напряжений, особенно в начальный момент взаимодействия мощного луча света с поверхностью, что на...

Номер патента: 1095275

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Гончаров, Деев, Сухоставец

МПК: H01L 21/00

Метки: кассеты, перегрузки, пластин, полупроводниковых, различным, размещения, шагом

...установ О лен упор 12 для удержания накопителя 1 в отклоненном положении и опора 13 для установки на нем кварцевой кассеты 14, На опоре 13 для кассет выполнен выступ 15 для Фиксации кассет 14 в ориентированном положении относительно накопителя 1. В каретке 5 выполнено окно 16 для опоры основания 8, а накопитель 1 установлен на каретке 5 над ее окном 16. Для фиксации каретки 5 в верхнем и нижнем положениях в направляющей 7 предназначен стопорный винт 17, Пазы 2 для полупроводниковых пластин накопителя 1 со стороны окна 16 каретки 5 выполнены глухими и ограничены упорами 18, выполненными из упругого материала для исключения повреждения полупроводниковых пластин 3. Механизм для распределения полупроводниковых пластин выполнен в...

Номер патента: 203997

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Ковтун, Шихиев

МПК: E02D 1/00, G01B 5/30, G01N 3/24

Метки: грунта, деформации, исследования, плоской, прибор, сдвиг, условиях

...передающий па него вертикальнуюнагрузку, Низ штампа располагается на уровне неподвижных осей вращения а и ат, в свя зи с чем штамп при перекосе не перемещается в горизонтальном направлении. Это упрощает замер вертикальных деформаций образца и передачу вертикальных усилий значительной интенсивности, а также дает возможноль избежать перекоса штампа в результате навала на него боковой плиты и вызванной этим неравномерности распределения вертикальных напряжений.11 ри перекосе образца на нижнюю поверхность штампа начинают действовать касательные силы реакции грунта. Эти силы передаются на неподвижную балочку 9, жестко связанную со станиной 1, через шарики 10, в.нонтировапные в опорную грань штампа. Эти шарики также уменьшают силы трения при...