Способ исследования диэлектрической неоднородности сегнетодиэлектриков
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 135962
Автор: Филимонов
Текст
1 с 161 Класс 21 е, 2 ГС 1.СОВ"."., Г гр-. г ".",.м ы с т г -- . ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ остиана гру",на Л 9 о илимонов ОСО ЕОД ИССЛЕДОВАНИЯ ДИЭЛЕК РОДНОСТИ СЕГНЕТОДИЭЛ ИЧЕСКОЙ КТРИКОВ марта 96 ц г. ва Л. вввнвв вв в Комитет открытий при (:ивето,Чиниетров С о делам ивооретеник;1 аив.н4 ва )рн тений Л Опте пиковано и Бкиан нс ивоор Известны способы определения диэлектрической неоднородности се нетодиэлектриков, например метод фигур травления, метод порошковы фигур, микроскопическое исследование в поляризованном свете и др. Однако все эти способы довольно сложны и трудоемки.Предлагаемый способ позволяет значительно упростить исследоваццс диэлектрической неоднородности сегнетодиэлектриков. Способ состоит в том, что на исследуемый образец с одной стороны наносят сплошной электропроводящий слой, например, распылением металла в вакууме, а с противоположной стороны - суспецзпю электролюминофора в цроз 1)ачном диэлектрике. Заем к повер.;ности люминофора плотно прижимают стекло с нанесенным ца его повер.;ность слоем двуокиси олов, который служит прозрачным электродом. 11 а полученный таким образов 1 конденсатор подают переменное напряжение с частотой 50 - 10 000 гц и слой электролюмицофора начинает светиться. При этом яркость свечения каждой точки электролюминофора пропорциональна диэлектрической проницаемости соответствующей точки сегцетодиэлектрика. По цаблюдецию яркости свечения электролюмннофора в различныл точкак исследуемого образца судят об его диэлектрической неоднородности.Для визуального или фотографического исследования кинетики процессов поляризации и персполяпизацци сегцетодиэлектрика к конденсатору одновременно с переменным прикладывают и постоянное электрическое поле илц подают на него прямоугольные импульсы различной амплитуды, длительности и полярности. П редмет зобретен ектрической неоднородности сегнетодичто, с целью упрощен и я процесс а ц сегнетодиэлектрика с одной сто 1. С п особ и сел едова и и я дцээлектриков, отличающийсяисследования, на исследуемый бразсЛ 135962 Ч диктор Н. С. Кутафина с.,рсд А. А. Кудрявицкая коррвтор Л Когиарова Формат бум. 70,(108/о Тираж 1050 ЦЬТИ прп Когвптете по делам изобретений и открытий прп Совст Министров СССР Москва, Центр, И. Черкасский пер., д. 2/б.1 одп. к пл. 10.17-111Зак. 3254 Типография ЦБТ 1 Кмптета то депага иаобрстсвий и открытий при Совете Мпнпстро СССР, Москва. Петровка, 11роны наносят сплошной электропроводящий слой, а с противоположной стороны - суспснзи 1 О электрол 1 оминофора в прозрач 11 ом 1 иэлектрикс, накладывают на электролюминофор прозрачный электрод, например пленку окиси олова на стекле, подают на образованный таким Образом конденсатор перемениос электрическое напряжение для возбуждения электролюминофори наблюдают (или фотографируют) распредслени яркости свсчегц 1 я элсктролюминофора через прозрачный электрод.2. Прием выполнения способа по п. 1, о т л и ч а к щ и й с я тем, что, с целью исследования процесса поляризации и переполяризации ссгнетодиэлсктрика, к конденсатору прикладывают постоянное э,1 ектрическое 1 олс Л 11 подают па нсГО прямоугол 1111 е им 1ьсы тока
СмотретьЗаявка
658320, 10.03.1960
Филимонов А. А
МПК / Метки
МПК: G01R 31/12
Метки: диэлектрической, исследования, неоднородности, сегнетодиэлектриков
Опубликовано: 01.01.1961
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-135962-sposob-issledovaniya-diehlektricheskojj-neodnorodnosti-segnetodiehlektrikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ исследования диэлектрической неоднородности сегнетодиэлектриков</a>
Предыдущий патент: Измерительная катушка для определения отклонения силовых линий магнитного поля от заданной конфигурации
Следующий патент: Автоматический компенсатор
Случайный патент: Устройство для закалки деталей