Схема включения фотодиодов

Номер патента: 1798917

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Афиногенов, Голубев

МПК: H03K 19/086

Метки: переключении, схема

...дополнительного транзистора 18 - с базой пя-того 20 дополнительного транзистора и.стретьим входом схемы 22, а коллектор - сколлектором шестого 6 транзистора, базачетвертого 19 дополнительного транзистора соединена со вторым источником опорного напряжения 12, а коллектор - сколлекторами второго 17 и. пятого 20 дополнительных, и третьего 3 транзисторов, эмиттер пятого дополнительного транзистора 20соединен с эмитте ром третьего 3 транзистора.Предложенная схема функционируетследующим образом,На входы схемы 13, 14, 22 подаютсясигналы, соответствующие уровню логического нуля или единицы, В таблице представлены пути протекания токов йервогоисточника тока 9 ( ) и дбполнительного источника тока 21 (2) при различных комбинациях входных...

Номер патента: 1083137

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Афанасьев, Иевский, Свечников, Шапарь

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, лавинных, фотодиодов

...отношения, источник опорного напряжения и логарифматор напряжения, 20 причем селективный детектор включен между выходом широкополосного усили" теля и первым входом логарифматора отношения, второй вход которого соединен с выходом источника опор-25 ного напряжения, а его выход в . с входом вертикального отклонения двух- координатного регистратора, подключенного входом горизонтального отклонения к выходу генератора пилообраз- З 0 ного напряжения через логарифматор напряжения. На фиг. 1 представлена блок-схема устройства, на фиг, 2 - зарегистрированная характеристика для безмикро- З 5 плазменного германиевого лавинного фотодиода; на фиг. 3 - характеристика для микроплазменного лавинного фото- диода, т.е, диода с дефектами.Устройство...

Номер патента: 1458842

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Знаменская, Малков, Нуров, Петров, Черенков

МПК: G01R 31/303

Метки: интегральных, качества, схем

...и, соответственно, проявляется в большем отклонении щ-параметра, целесообразно принять решение о выборе по меньшей мере одной цепи и нескольких значений измерительного тока, характеризуемых максимальными отклонениями ш-параметра от типового значения, Выбор нескольких значений тока и отказ от контроля непрерывной щ-ха" рактеристики в полном диапазоне токов упрощает процесс контроля. Повышение достоверности контроля дости гается за счет выбора в качестве информативных тех цепей, в которых отклонение ш-параметра у отказавших интегральных схем максимально, В отличие от известного способа, при котором выбираются цепи с наиболее часто встречающимися аномалиями, в предложенном способе может быть выбрана цепь с редко встречающимися...

Номер патента: 1790316

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Ачкасов, Глазнев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...(2 - 15 с) оксида кремния необходимо проводить се- травление оксида кремния в контактных оклективно, получая на легированных донор нах, образование которого возможно при ной примесью активных областях и выполнении технологических операций (наполикремнии слой оксида кремния толщи- . пример, удаление фоторезиста), следующих ной около 0,3 мкм, а на легированных актив- за операцией травления изоляции второго ных областях - 0,05 - 0,08 мкм, чтобы уровня поликремния.Дополнительноетрэвисключить маскирование ионов бора при ление производят в травителе на основеплавиковой кислоты. Так как время травления мало, то ухудшения изолирующихсвойств межслойного диэлектрика практически не происходит,Формирование буферных областей второго уровня...

Номер патента: 1237931

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Апирин, Ким-Даров, Косарев, Эльянов, Яхин

МПК: G01M 13/04

Метки: дуплексирования, качества, сдвоенных, схемам, шарикоподшипников

...шарикоподшипник 4, внутреннее кольцо 5 которого центрируют на оправке 3, а наружное кольцо 6устанавливают на базовую поверхность 2,сдвзиваемый шарикоподшипником 4 по схеме Х, шарикоподшипник 7, внутреннее кольцо 8 которого центрируют на оправке 3,вкладыш 9, установленный на торец кольца 8, плиту 10 с базовой поверхностью 11,контактирующую с торцом наружного кольца 12 шарикоподшипника 7, измерительныештифты 13, установленные в плите 10 иконтактирующие с торцом кольца 12, измерительный диск 14, установленный на свободных торцах измерительных штифтов 13,датчик 15 линейных перемещений, закрепленный на диске 14 с возможностью контактирования с вкладышем 9, траверсу 16,скрепленную с плитой 10, и силоизмеритель17, скрепленный с...