Способ формирования электронных пучков
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(594 Н 01 д ЫЙ КОМИТЕТ СССР ОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙГОСУДАРСТВЕННПО ДЕЛАМ ИЗ ОПИСАНИЕ ИЗ ЕНИЯ МИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОН Вватпри ение относится к техниэлектронных пучков. Целявляется регулированиеуемых пучков и соотношсивностей. Первичный пуов 1 имеет расходимост ский инсти- поли- Кирова мском С.М ьев, уте имА.Вороиднев к элект еньше однои де ия (Этот и окристаллическ ам 0 рческо к глав плоскостио отношение и гии электде из мишени завронов и угла ц,ит о К АВТОРСКОМ(21) 3899496/24-25 (22) 23.05.85 (46) 23,08.87, Бюл (71) Научно-исслед тут ядерной физики техническом инстит (72) Е.И.Розум, С. С.Р.Углов и В,И,Гр (53) 621.385(088,8 ДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ПУЧКОВ (57) Изобре интенсивных изобретения числа форми ния их инте тои угла канали ок направляют н мишень 2 под у ой кристаллогра 3. Число пучков тенсивности напучков и соотношение их интенсивностей. деканалирования электронов Составитель ВОбуховРедактор Л.Гратилло Техред Л,Сердюкова Корректор .1.Бескид Заказ 3841/49 Тираж б 97 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Производственнл-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул,Проектная, 4 13324Изобретение относится.к техникегинтенсивных электронных пфкЬВ,Целью изобретения является, регулирование числа формируемых пучков и5соотношение их интенсивностей.,На чертеже дана схема,. реализующаяпредлагаемый способ,Первичный пучок электронов 1 формируют с углом расходимостью Ь 1 с с 0,11 , где ц- угол каналирования, направляют на монокристаллическую мишень 2 под углом 1 р к какой-либо главной кристаллографической плоскос ти 3, например (110), удовлетворяющим условию 0 сЦ й .р Толщину мишени выбирают меньшей длины каналирования, При таких условиях пропускания пучка электроны, двигаясь в кристалле, образуют связанные состояния, характеризующиеся определенными уровнями поперечной энергии с соответствующими квантовыми числами, Прошедший через кристалл электронный пучок имеет для каждого связанного состояния характерное угловое распределение, Так, электронный пучок с энергией 5,7 МэВ, прошедший вдоль плоскости (110) кристалла кремния, разделяется на 3 пучка, вдоль плоскости 100 - на 5 пучков, вдоль плоскости 111 - на 9 пучков, распространяющихся вдоль линии, перпендику 35 лярной соответствующей плоскости на угловых расстояниях друг от друга,162равных двум углям Брэгга. С увеличением угла разориентации первичного пучка электронов относительно кристаллографической плоскости кроме основного связанного состояния заселяются другие возбужденные состояния,имеющие асимметрию в угловых распределениях,Такая картина наблюдается при толщине мишени, меньшей длины каналирования.Предлагаемое изобретение позволяетпри соответствующем выборе энергииэлектронов, кристаллографическойплоскости и угла пучка относительноэтой плоскости регулировать число формула изобретения Способ формирования электронных пучков путем пропускания первичного электронного пучка через монокристаллическую мишень, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью регулирования числа формируемых пучков и соотношения их интенсивности, первичный пучок формируют с угловой расходимастью Ь(, меньшей десятой части угла каналирования( , направляют его под углом 0 = чр к одной из главных кристаллографиЧеских плоскостей монокристаллической мишени, при этом толщину мишени выбирают меньшей длины
СмотретьЗаявка
3899496, 23.05.1985
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ ПРИ ТОМСКОМ ПОЛИТЕХНИЧЕСКОМ ИНСТИТУТЕ ИМ. С. М. КИРОВА
РОЗУМ ЕВГЕНИЙ ИВАНОВИЧ, ВОРОБЬЕВ СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, УГЛОВ СЕРГЕЙ РОМАНОВИЧ, ГРИДНЕВ ВЛАДИМИР ИГОРЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01J 3/02
Метки: пучков, формирования, электронных
Опубликовано: 23.08.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1332416-sposob-formirovaniya-ehlektronnykh-puchkov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формирования электронных пучков</a>
Предыдущий патент: Токоограничивающее устройство
Следующий патент: Выпрямительное устройство
Случайный патент: Устройство для отображения окружностей и эллипсов на экране электронно-лучевой трубки элт