Устройство сдвига потенциального уровня

(56) ьепеаг Тп Р.А.Т.А, ЪооК- р, 211, Ид 60 Бюл, У бов, В. А, Лужаев н4(088,8)еягаСей СгсцНя е,Уегзеу, 1976, 5. ИГА ПОТЕНЦИАЛЬНОУСТРОЙСТВООВНЯ 5 0 носится к электрзоваться в аналоЦель изобретенияйствия и коэф. пе 57) Изобретение о ике и может испол говых микросхемах. увеличение быстрод редачи. Устр-во со эмиттерные повтори ержит входныеели (ЭП) 1 и 2,Ю ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫ А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ резисторы 3 и 4 и отражатель тока(ОТ) 5, выполненный на транзисторах6-10, реэистивном делителе 11 напряжения и прямосмещенном диоде 12.Входной сигнал напряжения, поступающий на ЭП 1 и 2 проходит через соотврезисторы 3 и 4. Ток, протекающий порезистору 3, поступает на ОТ 5, Токс выхода ОТ 5 складывается с током,протекающим по резистору 4, За счетвведения в ОТ 5 транзисторов 9 и 10и прямосмещенного диода 12 уменьшается входная емкость каскада натранзисторе 7 при передаче на выходсигнала с ЭП 1 и уменьшается выходная емкость устр-ва при передаче навыход сигнала с ЭП 2, в результатечего повышается быстродействие. 1 ил.90486 2Коэффициент передачи увеличивается существенно по сравнению с прототипом, особенно при небольших значениях г транзисторов, что характерно, например, для СВЧ-транзисторов, т,е.транзисторов, необходимых для обеспечения большого быстродействия. г 0 25 30 35 40 45 50 12Изобретение относится к электронике и может использоваться в аналоговых микросхемах,Цель изобретения - увеличение быстродействия и коэффициента передачи,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства сдвига потенциального уровня.Устройство сдвига потенциальногоуровня содержит первый входной ммиттерный повторитель 1, второй входнойэмиттерный повторитель 2, первый резистор 3, второй резистор 4, отражатель тока 5, выполненный на первомтранзисторе б, втором транзисторе 7,третьем транзисторе 8, четвертомтранзисторе 9, пятом транзисторе 1 О,резистивном делителе 11 напряжения,прямосмещенном диоде 12,Устройство сдвига потенциальногоуровня работает следующим образом.Входной сигнал напряжения, поступающий на первый и второй входныеэмиттерные повторители 1 и 2, преобразуется в сигналы тока, протекающего по первому и второму резисторам 3и 4, Ток, протекающий по первому резистору 3, является входным токомотражателя тока 5, выходной ток которого складывается на выходе устройства сдвига потенциального уровняс током, протекающим через второй резистор 4. Таким образом, сигнал навыходе не только сдвинут относительно входного сигнала, но и его ампли.туда равна сумме сигналов на входахпервого и второго входных эмиттерныхповторителей 1 и 2. Это обусловленотем, что токи первого " четвертоготранзисторов 6-10 равны между собойи равны току, протекающему через первый резистор 3, вследствие действияотрицательной обратной связи черезтретий транзистор 8, прямосмещенныйдиод 12 и резисторный делитель 11.Быстродействие увеличивается на 1015% по сравнению с прототипом засчет уменьшения входной емкости каскада на втором транзисторе 7 при передаче на выход сигнала с первоговходного эмиттерного повторителя 1и уменьшения выходной емкости устройства сдвига потенциального уровняпри передаче на выход сигнала совторого входного эмиттерного повторителя 2,Третий транзистор 8 может быть выполнен двухэмиттерным, при этом второи эмиттер, соединенный с коллектором пятого транзистора 1 О, служит для ограничения степени насыщения этого транзистора,. Формул а и з о б р е т е н и я Устройство сдвига потенциального уровня, содержащее первый и второй входные эмиттерные повторители, эмиттер транзистора первого входного змиттерного повторителя через первый резистор подключен к входу отражателя тока, выполненного на первом и втором транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером, а также на третьем транзисторе, включенном по схеме с общим коллектором, база которого является входом отражателя тока, резистивном делителе напряжения, один вывод которого соединен с соответствующей шиной источника питания, а отвод соединен с базами первого и второго транзисторов отражателя тока, эмиттер транзистора второго входного эмиттерного повторителя соединен с первым выводом второго резистора, второй вывод которого является выходом устройства сдвига потенциального уровня, о т - л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения быстродействия и коэффициента подачи, между базой третьего транзистора и коллектором первого транзистора отражателя токавведен четвертый транзистор, а междувторым выводом второго резистора иколлектором второго транзистора отражателя тока введен пятый транзистор, базы четвертого и пятого транзисторов объединены и соединены сэмиттером третьего транзистора, а через введенный прямосмещенный диодсоединены с другим выводом резистивного делителя напряжения.