Кварцевый автогенератор

Номер патента: 669300

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Пиняев, Порубай

МПК: G01R 31/26

Метки: коллектором, между, повышенной, пробивного, температуре, транзисторов, эмиттером

...основном через сопротивление, включенное между базой ц эмцттером, смегцает эмпттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно 5 воздействию температуры. Поэтому ток отвнешнего источника ге, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры. Соответствие между температурой Т 1 и гщ, -- 1 устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей И(ве)свг = 1 Т) и кве)сеегГ:Т= (гем)669300 Формула изобретения Составитель И. Гуляев Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е. Папи Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал П П П...

Номер патента: 909750

Опубликовано: 28.02.1982

Автор: Цурканов

МПК: H02H 7/12

Метки: включенных, защиты, параллельно, транзисторов

...вход которогочерез элемент И-НЕ соединен с датчиками тока, а выход - с входом реагирующего органаНа чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит параллельновключенные транзисторы 1, которые об"разуют транзисторный ключ, индивидуальные блоки защиты по току транзисторов 2, в состав которых входят датчик 3 тока - резистор, вспомогательный транзистор 4 и развязывающий резистор 5, логический элемент Ц-НЕ 6 спорогом срабатывания по входам, согласованным с предельно допустимым сигИсточники информации,20 принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРИ 213048, кл. Н 02 Н 7/10, 1967.2. Авторское свидетельство СССР51239 кл. Н 02 Н 7/10 ф 1976. Заказ 90 Ы 75 Тираж 670 Подписно НИИПИ филиал ППП...

Номер патента: 1083306

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Казанцев, Патлахов, Чернышев

МПК: H02M 1/00

Метки: включении, импульсном, насыщением, параллельном, работающих, равномерного, режиме, токораспределения, транзисторов

...подсоединен одним из выводовк базе соответствующего транзистора Г 23,Недостатком известного устройства является значительная импульснаярассеиваемая мощность, обусловленнаязатягиванием времени переключения отдельных транзисторов.Цель изобретения - снижение импульсной рассеиваемой мощности засчет обеспечения равномерного распределения токов между транзисторамина этапе рассасывания избыточных носителей в момент выключения..Поставленная цель достигается тем,60что в устройстве для равномерноготокораспределенияпри параллельномвключении транзисторов,работающих вимпульсном режиме с насыщением,содержащем Резисторы и конденсаторы 65 по количеству транзисторов и выводуправления, причем базы транзисторов подключены через соответствующие...

Номер патента: 580562

Опубликовано: 15.11.1977

Автор: Виноградов

МПК: G06G 7/48

Метки: емкости, моделирования, переменной

...транзистора 2 отключается от общих шин, определяется напряжением стабилизации полупроводникового стабилитрона 4. Диод 5 образует цепь разряда конденсатора 1 при снижении напряжения на общих шинах до величины, меньшей напряжения стабилизации соответствующего полупроводникового стабилитрона.Работа схемы в случае ена зажимах устройства я580562 Составитель Л. Чернышев Техред Н, Рыбкина едактор Л, Тю Коррек Заказ 275(4 Изд.891Государственного комитета по делам изобретени 113035, Москва, Ж, Ра Тираж 818 Совета Миннст и открытий шская наб., д.ПодписноСССР ипография, пр. Сапунова,переменной емкости в процессе работы не меняет знака. При появлении на зажимах цепи напряжения все конденсаторы 1 через транзисторы 2, которые к этому времени...

Номер патента: 585599

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Алексеев, Будянов, Кривоносов, Кулиев, Маркович

МПК: H03K 7/06

Метки: импульсный

...пер" вый диод, коллекторы первого и второ"го транзисторов соединены со второй шиной источника питания черезпервый и второй резисторы соответст. венно, между эмиттером и коллектором первого транзистора включена последовательная цепь из нагрузки и согласно соециненных светодиода и второго диода, причем место соединения светодиода и второго диода через третий резистор.На чертеже изображено предложенное устройство.Оно содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, источник питания 3, фотоднод 4, светодиод 5, первый и второй, диоды б и 7, первый и второй конденсаторы 8 и 9, первыйвторой, третий резисторы соответственно 10, 18 11, 12, нагрузку 13устройство работает следующим образом.Время заряда конденсатора 9 пропорционально падению...