Силовой трехфазный трансформатор

Номер патента: 344503

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Кириллов

МПК: G11C 11/14

Метки: возбуждения, запоминающего, кипером, магнитным, магнитных, матрица, между, обмотками, пленках, устройства, цилиндрических

...запоминаюгцего устройства состоит из цилиндрических магнитных пленок 1, которые вставлены в каналы набора чис ловых обмоток 2 возбуждения, ц уголковогопрофиля кипера 3. Одна из полок уголка кипера имеет гребенчатую конфигурацию,Прц станочном плетении обмоток 2 возбуждения ца технологических струнах (заменяю щих при изготовлении матриц цилиндрические пленки 1) создается сразу весь набор обмоток возбуждения, расставлецных с требуемым шагом, Магнитный кипер 3, изготовленный из тонкого листового пермаллоя или 25 другого магнитного материала, устанавливается с двух сторон (на клей) в промежутках между обмотками, своими гребенками между технологическими струнами. После вклеивания и сборки технологические струны З 0 вынимают и заменяют ца...

Номер патента: 1625211

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Алексеев, Печуркин, Рогозин, Якушов

МПК: G01R 31/34

Метки: взаимоиндукции, машин, между, обмотками, ротора, синхронных, сопротивления

...содержит гпереключатель 2щунт 3,4, измерительную катушкутакже показана исследуеммашина со встречно-соединторными обмотками 6, 7,обмоткой 8 и обмоткой 9 Способ осуществляется следуюобразом.мК- Ъ=, (1) 202 0 вГ 3 ОкУстанавливают переключатель 2 в поиожение питания обмоток 6 . и 7 статора переменным током частотой 8 от генератора 1. Измеряют с помощью 25 осциллографа 4 .напряжения на измерительной катушке 5 О, и на обмотке 9, возбуждения 0 и определяют их значения в системе относительных единиц по следующим выражениям ЗОМ2 0 э 0 кРфГ 77 ф у . (2)чз к 8где 0- базисное напряжение обмот"ки статора 35(3) н0где Иц- базисное напряжение обмот".ки ВозбужденняеОпределяют значение комплексного сопротивления вэаимонндукции между обмоткой...

Номер патента: 617394

Опубликовано: 30.07.1978

Авторы: Зеркалова, Моисеев

МПК: C03B 25/02

Метки: оптического, отжиге, охлаждения, преимущественно, скорости, стекла

...остаются параллельными своему первоначальному положению, при этом часть собственного излучения стекла отражается таким образом, что за счет симметричного переизлучения происходит выравнивание температурного поля на поверхности стекла, что очень важно,при тонком отжиге стекла, Перемещение решетки под указанными углами создает возможность экрани рования отражающих поверхностей ребрами и разъэкранирования поглощаюших поверхностей длч падающего излучения от стекла, в результате чегго соотношение площадей отражающих и поглощающих поверхностей будет З 5 плавно изменяться, соответственно будет изменяться поглощающая и отракаюпая способность стенки, составленной из указанных поверхностей решетки и ребер. Для уменьшения влияния ребер на...

Номер патента: 998951

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Виноградова, Дембовский, Елизаров, Зеленов, Кругляков

МПК: G01N 33/38

Метки: критической, охлаждения, расплавов, скорости, стеклообразующих

...термический) и определяют участок ампулы, в котором вещество характеризуется наличием двух фаз: стеклообразной и кристаллической, ЗОВизуальное определение участка со смесью Фаз и расположения его центра в ампуле дает значительную погрешность, а если учесть, что между концами ампулы создается градиент скоростей охлаждения, то определение3,) критической скорости охлаждения будет осуществлено со значительной погрешностью, Поэтому первый опыт по способу является прикидочным,Критическую скорость охлаждения 40 определяют по Формуле3 (8-М 7 ХК,45 гдето - критическая скорость охлажденния;(,Ч - скорость охлаждения,зафиксированная соседними термопарами, между которыми обнаружен 50участок, содержащий смесь Фаз,град/с;х - расстояние от...

Номер патента: 11092

Опубликовано: 30.09.1929

Автор: Дессауер

МПК: H01F 27/34

Метки: высокого, между, напряжений, низкого, обмотками, потенциалов, разности, трансформаторов, уменьшения

...е и у; изолировани от сети. Между обмотками, наиболее разнящимися между собою по уровням потенциалов, именно, вторичными обмотками су и ф трансформаторов и и о с одной стороны, а с другой в первичаы обмотхами д и Ь вспомогательных травсформаторов е и у; потенциал которых, напр., при коэффициевте трансформации 120:100000 Р; практически равен потенциалу земли, включено по ряду конденсаторов г, з и , я. От средних точек этих цепей конденсаторов отведены провода к первичным обмоткам у и т, имеющим низкое напряжение (например - 120 К). Таким образом, та и другая первичная обмотка У и т трансформаторов постоянно получает извне свой потенциал, зависящий от размеров конденсаторов г, 5 и 1, и.Обе вторичные обмотки р и д высшего напряжения...