Инвертор

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСКРЕСПУБЛИК 126433 9 9(594 Н Й КОМИТЕТ СССРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОСУДАРСТВЕН ПО ДЕЛАМ ИЗО РЕТЕ ИСАНИ применения 70, с. 138 тельство СССР3 К 19/08, 1983 ть" в х. езо н В ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Московский институт радиоте ники, электроники и автоматики (72) Л.В,Игумнов(57) Изобретение относится к импульсной технике. Может использо ся при создании цифровых устройс на разнотипных интегральных схем Целью изобретения является расши ние области применения при испол вании р-и-р-транзистора с малым чением напряжения.на электродахэмиттер-база. Инвертор содержит диод 1, биполярный р-и-р-транзистор 2,управляемый МДП-транзистор 3, нагрузочный МДП-транзистор 4, общую шину5, конденсатор 6, входную 7 и выходную 8 шины, шину 9 источника пита.ния, Диод 1 способствует уменьшениюдлительности заднего Аронта выходного сигнала, что повышает быстродействие устройства. 1 апряжение инвертора логического нуля на выходе устройства будет определяться остаточным напряжением биполярного транзистора 2, которое всегда меньше,чем у управляемого МДП-транзистора3, Новым в инверторе является введение связи между стоком управляемого МДП-транзистора 3 и базой р-и-ртранзистора 2, 1 ил,12 б 4335 0 5 20 Формула изобретения Составитель Л,ПетроваРедактор А.Огар Техред А.Кравчук Корректор Л,Пилипенко Заказ 5574/57 Тираж 81 б Подписное БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб, д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при созДании цифровых устройствна разнотипных интегральных схемах,Цель изобретения - расширениеобласти применения инвертора при использовании р-и-р-транзистора с малым значением напряжения эмиттербаза.На чертеже представлена электрическая схема инвертора.Инвертор содержит диод 1, биполярный р-и-р-транзистор 2, управляемый МДП-транзистор 3, нагруэочныйМДП-транзистор 4 и общую шину 5.Анод диода 1 подключен к истоку МДПтранзистора 3, базетранзистора 2 ичерез конденсатор 6 к затвору МДЛтранзистора 3 и входной шине 7.Сток управляемого МДП транзистора 3подключен к истоку нагрузочного МДПтранзистора 4 и выходной шине 8,Затвор и сток МДП-транэистора 4соединены между собой и подключены к шине 9 источника питания. Катод диода 1, эмиттер транзистора 2и подложки транзисторов 3 и 4 подключены к общей шине 5.Устройство работает следующим образом,Входной сигнал отрйцательной полярности поступает одновременно на затвор МДП-транзистора 3 и через конденсатор 6 на базу р-п-р-транзистора 2. Поскольку биполярный транзистор 2 характеризуется более высоким быстродействием, чем МДП- транзистор 3, то первым открывается транзистор 2. Затем открывается МДП- транзистор 3 и поддерживает открытое состояние транзистора 2, Питание управляемого МДП-транзистора 3 и транзистора 2 осуществляется от шины 9 питания через нагруэочное сопротивление, роль которого выполняет МДП-транзистор 4. Диод 1 способствует уменьшению времени заднего фронта (спада) выходного сигналаи тем самым приводит к повышениюбыстродействия устройства. В открытом состоянии выходное напряжениеинвертора (напряжение логическогонуля) определяется .остаточным напряжением биполярного транзистора 2,база которого подключена к коллектору через МДП-транзистор 3,Используя биполярные транзисторыс малым значением напряжения эмиттер-база и большим значением коэффициента усиления можно уменьшить напряжение логического нуля на выходепримерно с 0,8-0,9 В до 0,3-0,35 В,что позволяет применять инвертор вустройства на биполярных транзисторах. Инвертор, содержащий входную и выходную шины, шину питания, общую шину, управляемый и нагрузочный МДП- транзисторы с индуцированными каналами р-типа, биполярный р-и-р-транзистор, конденсатор и диод, катод которого, подложки МДП-транзисторов и эмиттер р-и-р-транзистора подключены к общей шине, а анод диода - к базе р-и-р-транзистора и к одной из обкладок конденсатора,другая обкладка которого подключена к входной шине и затвору управляемого МДП-транзистора, сток которого подключен к выходной шине, коллектору р-и-р-транзистора и истоку нагрузочного МДП-транзистора, сток которого соединен с его затвором и подключен к шине питания, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения области применения при использованиир-и-р-транзистора с малым значением напряжения эмиттер-база, исток управляемого МДП-транзистора подключенк базе р-п-р-транзистора,25 30 35 40 45