Высоковольтный датчик
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(19) (И) О 1 Й 15/02 РЫМАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1 0 К АВ е 1 у о872. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТН КОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Саратовский филиал Институтарадиотехники и электроники АН СССРи Саратовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. Н.Г.Чернышевского(54)(57) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДАТЧИК, содержащий высокочастотный генератор, чувствительный элемент, выполненный в виде линии задержки поверхностных акустических волн, и опорную линию задержки поверхностных акустических волн с напыпенными на верхних и нижних поверхностях линий задержки металлическими электродами, подключенные к высокочастотному генератору, о т л и ч а ю щ и Й с я тем, что, с целью расширения частотного диапазона и упрощения датчика, выходы линий задержки подключены к введенному измерителю разности фаз,а звукопроводы линий задержки выполнены из электрострикционного непьезоэлектрического материала.Заказ 8706/47 ТиражПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, М, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиоизмерительной технике и может быть использовано для измерения постоянных, переменных и импульсных напряжений.Целью изобретения является расширение частотного диапазона за счет использования квадратичности эффекта электрострикции, а также упрощение устройства.На чертеже приведена схема высоковольтного датчика.В качестве чувствительного эле.мента использована линия задержки поверхностных акустических волн (ПАВ), выполненная в виде звукопровода (диэлектрической подложки) 1, в центральной части которого на верхней и нижней поверхностях нанесены металлические электроды 2 и 3 На краях звукопровода расположены встречно-штыревые преобразователи 4 и 5 для возбуждения и приемаповерхностных акустических волн. К встречно-штыревому преобразователю 4 подключен высокочастотный генератор 6, а к встречно-штыревому преобразователю 5 - измеритель 7 разности фаз, связанный с преобразователем 4 через опорную линию8 задержки.Устройство работает следующимобразом.5 Прилагаемое к электродам 2 и 3электрическое напряжение, воздейст-,вуя на диэлектрик, за счет эффектаэлектрострикции приводит к изменению эффективных упругих модулей, что10 в свою очередь ведет к изменениюскорости ПАВ, а следовательно, и кизменению ее фазы по сравнению.сневозмущенной скоростью и фазойповерхностной волны в опорной ли 15 нии 8 задержки. Это изменение пропорционально квадрату приложенного напряжения,Таким образом, абсолютное изменение фазы поверхностной волны, ре 20 гистрируемое измерителем 7 разностифаз, пропорционально квадрату приложенного напряжения. Опорная линия задержки необходима дпя выравнивания амплитуды и фазы сигнала25 в обоих плечах схемы при отсутствииэлектрического напряжения на электродах 2 и 3, Кроме того, ее присутствиеобеспечивает термостабилизацию уст-,ройства.
СмотретьЗаявка
3716054, 23.03.1984
САРАТОВСКИЙ ФИЛИАЛ ИНСТИТУТА РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР, САРАТОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. Г. ЧЕРНЫШЕВСКОГО
ЗАЙЦЕВ БОРИС ДАВЫДОВИЧ, КАЛИНИН ВЯЧЕСЛАВ ЮРЬЕВИЧ, СИНИЦЫН НИКОЛАЙ ИВАНОВИЧ, ФЕДОРЕНКО ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ГУЛЯЕВ ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 15/26
Метки: высоковольтный, датчик
Опубликовано: 23.01.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1206715-vysokovoltnyjj-datchik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Высоковольтный датчик</a>
Генератор с линией задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1164856
Опубликовано: 30.06.1985
Авторы: Василенко, Колесник, Коропец, Костенко, Сорокопут
МПК: H03B 5/32
Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линией, поверхностных
...получения незатухающих колебаний необходимо выполнить условие баланса амплитуд и у - . ловие баланса фаз.Суммарный фазовый набег в замкнутой петле, образованной уселительным каскадом на транзисторе 1 и инвертором 2 равен2 Зс ине40 где У - суммарный фазовый набег;1,с - фазовый сДвиг, вносимыйусилителем на транзисторе 1,Ун - фазовый сдвиг, вносимый инвертором 2.Если выбрать величину.индуктивности первой катушки индуктивности 3 так, чтобы параллельный колебательный контур, образованный первой ка; тушкой индуктивности 3 и статической 50 емкостью первого ВШП 6 был бы настроен на частоту генерации, тогда Ч =я, Поскольку Чн, =я, то М =Т(+я=2 Г, т.е. выполняется условие баланса фазВ эмиттерной цепи транзистора 1 образуется колебательный...
Генератор на линии задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1202012
Опубликовано: 30.12.1985
Автор: Реут
МПК: H03B 5/32
Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линии, поверхностных
...и может быть использовано в автономных хранителях времени.Целью изобретения является повышение стабильности частоты путем расширения температурного диапазона термокомпенсации.На чертеже представлена структурная электрическая схема предложенного генератора на линии задержки на поверхностных акустических волнах,, Генератор на линии задержки на поверхностных акустических волнах 1,ПАВ) содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, первый входнои встречно-штыревой преобразователь (ВШП) 2, первый выходной ВШП 3, второй входной ВШП 4, второй выходной ВШП 5, первый усилитель 6, первый регулируемый фазовращатель 7, второй усилитель 8, второй регулируемый фазовращатель 9, смеситель 10, полосовой фильтр 11.Генератор на линии задержки наПАВ...
Перестраиваемый фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 875591
Опубликовано: 23.10.1981
Автор: Глушков
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, перестраиваемый, поверхностных, фильтр
...5-8 расположены так, что выполняется условие расстояние между дополнительным преобразователем иближайшей к нему дополнительной отражательной структурой;Ч - скорость распространенияПАВ на участке свободнойповерхности пьезоэлектрической подложки между отражательными структурами; Ч - скорость распространенияПАВ на участке свободнойповерхности пьезоэлектрической подложки между входными преобразователями иближними к ним отражательными структурами. Протяженность фотопроводящего слоя 10 х, на пути распространения ПАВ от любой частотной составляющей Й, спектра сигнала выбрана из условия компенсации соответствующих частотных составляющих, которое может быть определено соотношениемЯ дЧ(1 )И,дЧ Чгде дЧ - изменение скорости распространения...
Датчик угла поворота на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1093891
Опубликовано: 23.05.1984
Автор: Пугачев
МПК: G01B 17/00, H03H 9/00
Метки: акустических, волнах, датчик, поверхностных, поворота, угла
...поверхностных акустических волн,снабжен поглотителем акустических волнна одной из пластин, концентрично сосью поворота, выполнен паз в видеокружности радиусом не менее 100длин поверхностных акустических волни глубиной не менее одной длины, наэтой же пластине вдоль радиуса внутренней окружности закреплен поглотитель, а диаметрально противоположноему расположен встречно-штыревой.преобразователь.На чертеже представлена структурная схема предлагаемого датчика.Датчик содержит две параллельныепластины 1 и 2, установленные с возможностью поворота вокруг их общейоси 3 симметрии, н нанесенные симметрично на поверхность пластины 2встречно-штыревые преобразователи4 и 5 ПАВ. На пластине 1 концентричнос осью 3 выполнен паз 6 в виде...
Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1783948
Опубликовано: 10.02.1997
Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов
МПК: H03H 3/08
Метки: акустических, волнах, кристаллов, поверхностных, резонаторов
Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий фотолитографию встречно-штыревых преобразователей и отражательных решеток, ионно-химическое травление канавок в материале подложки, напыление металла, взрывное травление фоторезиста и последующее удаление металла из канавок отражательных решеток, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных резонаторов, после напыления металла наносят второй слой фоторезиста, в котором вскрывают окна над структурами электродов встречно-штыревых преобразователей, в этих окнах вытравливают металл, затем проводят ионно-химическое дотравливание канавок под электроды встречно-штыревых преобразователей заданной глубины, напыляют второй слой металла с толщиной,...
Предыдущий патент: Устройство для индикации электрических величин
Следующий патент: Прибор для измерения параметров конденсаторов
Случайный патент: Способ эхинококкэктомии печени и легкого