Двухтактный инвертор

Номер патента: 1032432

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Бирюков, Кузнецов, Прозоровский

МПК: G05F 1/10

Метки: интегральной, мдп, порогового, стабилизации, схемы, транзисторов, эффективного

...Таким образом,напряжеНий ЕЕ 6питания выражениесмещения подложки,вид: при постоянствеисточников 2 и 6для напряжения4 имеет .следующий 1 1032432Изобретение относится к электротехнике и предназначено для исполь, зования при производстве интегральных схем на полевых тарнзисторах сизолированными затворами. 5Известно приспособление для стабилизации порогового напряжения ИДПтранзисторов интегральной схемы,представляющее собой фосфорсиликатное стекло, наносимое на поверхность 10подзатворного диэлектрика 1.1Недостаток известного техническогорешения проявляется в невысокомкачестве стабилизации, обусловлен"ном подверженностью стекла влиянию 15различных дестабилизирующих факторов, а именно температуры, ионизирующих излучений и т,п,Наиболее близким...

Номер патента: 748788

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Большов, Макаренко, Подушко, Сенько, Скобченко, Смирнов

МПК: H02P 13/18

Метки: переключающей, схемы, транзисторами

...в режиме холостого хода будет формироваться соответственно напряжение 60 и 61, причем в момент й будет открыт транзистор 32, а транзистор 31 закрыт. Тогда один из выводов резистора 36 подключен к минусовой шине питания усилителей и логических схем, а в точке контроля, образованной соединением первичной обмотки разделительного трансформатора 34 и резистора 36 будет Формироваться напряжение, показанное на диаграмме 62. До момента , транзистор32 закрыт и в точке контроля формируется напряжение, равное удвоенному напряжению питания усилителей мощности. В момент й открывается транэистор 32, на вторичной обмотке разделительного трансформатора 34 меняется полярность напряжения,.и через диод 38 и открытый транзистор 5 клю-, ча 3 протекает ток,...

Номер патента: 1005259

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Имерели, Марчевский, Молотов, Степаненко

МПК: H02P 9/04

Метки: внутреннего, генератора, двигателя, переменного, приводом, сгорания, стабилизации, частоты

...2,Выход генератора соединен также совходом фазовращателя 1. Выход ключевого фазового детектора 2 соединен со 5входом усилителя постоянного тока 3,выход которого соединен через параллельную ВС-цепь 4 со входом блокарассогласования 5. Выход блока рассогласования 5 соединен со входом 60усилителя тока управления б, выходкоторого соединен со входом ключевого усилителя мощности 7. Выход ключевого усилителя мощности 7 соединенс электромагнитным исполнительным элементом управления 8 подачи топли- ва. Выход ключевого усилителя мощности 7 дополнительно соединен со входом ключевого усилителя мощности 9, выход которого соединен с электромагнитным исполнительным элементом управления 10 подачи топлива.Работа устройства.На вход...

Номер патента: 580616

Опубликовано: 15.11.1977

Авторы: Арбузов, Соцков

МПК: H02M 1/14

Метки: входе, выпрямленного, источника, напряжением, ослабления, питания, постоянным, пульсаций

...блока, Между коллекторами транзисторов 5 и 14 через резистор 15 подключен дополнительный источник питания 16.Устройство работает следующим образом.При нормальной работе, т, е. при отсутствии 15 автоколебаний в системе 1.С-фильтр 1 - источник питания 4, амплитуда переменной составляющей напряжения на конденсаторе 3 фильтра 1 мала и равна расчетной допустимой величине. При этом напряжение на входе 20 и выходе управляющего блока также мало и транзистор 5 заперт.При возникновении автоколебаний в системе 1,С-фильтр 1 - источник питания 4 на конденсаторе 3 фильтра 1 увеличивается ампли туда напрякения пульсаций. Это напряжение через конденсатор 7 поступает на вход управляющего блока 6, усиливается этим блоком и с выхода его поступает на...

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...