Многоканальный индикатор экстремума
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(9) 5 В 13/02 нциала сигнала, входдинен с выходомвого элемента, о т.тем, что, с цельюия и упрощениядены источник пита-я, накопительный ющии элемент,выходу элементауправляющему входуй вход которогом, а второй сиги щ вхо ИКАТОР ых эле. соединен очни ыход клю лем мент ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССС,71) Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомола (72) О; П, Трезубов, В. В, Репков и и А, А, Брязгин(56) Авторское свидетельство СССР И 843229, кл, й 05 В 13/02, 1980.Авторское свидетельство СССР Мф 1004960, кл. 4 05 В 1/01, 1983.(54) (57) МНОГОКАНАЛЬНЫЙ ИНД ЭКСТРЕМУМА, содержащий 11 порогов ментов, выход каждого из которых с соответствующим входом элемента ИЛИ,формирователей потекаждого из которых сосоответствующего порого личающиися повышения быстродейств конструкции, в него вве ния опорного напряжени элемент, ключ и управля подключенный входом к ИЛИ, а выходом - к ключа, первый сигнальнь соединен с положительнь с отрицательным полюсом исния эталонного напряжения, подключен через накопительный оду каждого порогового эле1198457 и КИПИ Заказ 7717/45 Тираж 862 Подписно ал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к экстремальным системам автоматического регулирования и может быть использовано в системах контроля, диагностики и регулирования.Цель изобретения - повышение быстро.действия и упрощение конструкции.На фиг. 1 представлена блок-схема многоканального индикатора экстремума; нафиг. 2 - временные диаграммы работыустройства,Индикатор экстремума, содержит л по.роговых элементов 1, элемент ИЛИ 2,формирователей 3 потенциального сигнала,источник 4 питания опорного напряжения,накопительный элемент 5, ключ 6 и управляющий элемент 7.Каждый. формирователь 3 потенциальногосигнала содержит линию 8 задержки и второй элемент ИЛИ 9,Накопительный элемент 5 состоит из резистора 10 и конденсатора 11.Многоканальный индикатор экстремумаработает следующим образом.На вторые входы элементов 1 одновре.менно поступают П входных сигналов(0, О и Ов).В начальный момент напряжение на накопительном элементе 5 соответствует нулевому потенциалу на выходах пороговых элементов. Поэтому на выходе элемента ИЛИ 2 присутствует высокий потенциал,под действием которого управляющий элемент 7 вырабатывает сигнал на срабатывание 5 ключа 6. Происходит быстрый заряд конденсатора 11. По мере достижения напряжениемна конденсаторе уровней анализируемых сигна.лов происходит выключение пороговых элементов. После того, как выключатся все 10 элементы 1, потенциал на выходе элементаИЛИ 2 станет низким. Управляющий элемент7 опять переключает ключ 6, Начинается разряд конденсатора 11 через резистор 10, закан.чивающийся достижением на нем максималь ного входного уровня напряжения с точностью, соответствующей порогу чувствительности пороговых элементов 1. Этот процесс становится циклическим,при котором только на выходе пороговогоэлемента, обнаружившего экстремум, имеетместо импульс (фиг, 2). Остальные пороговые элементы, имеющие более низкиевходные сигналы, остаются закрытыми,25 В случае смены экстремума разряд или заряд накопительного элемента 5 происходит донового экстремального значения е появлениемимпульса в соответствующем канале,
СмотретьЗаявка
3735895, 11.03.1984
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. ЛЕНИНСКОГО КОМСОМОЛА
ТРЕЗУБОВ ОЛЕГ ПАВЛОВИЧ, РЕПКОВ ВЛАДИМИР ВАЛЕРЬЯНОВИЧ, БРЯЗГИН АЛЕКСАНДР АЛЬБЕРТОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G05B 13/02
Метки: индикатор, многоканальный, экстремума
Опубликовано: 15.12.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1198457-mnogokanalnyjj-indikator-ehkstremuma.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Многоканальный индикатор экстремума</a>
Защитное покрытие накопительного элемента квантового водородного генератора
Номер патента: 565605
Опубликовано: 15.06.1990
Авторы: Демидов, Ежов, Паншин, Федоров, Явзина
МПК: H01S 1/06
Метки: водородного, генератора, защитное, квантового, накопительного, покрытие, элемента
...накопительные элементы квантовых водородных генераторовПч представляют собойкварЦевую колбу свходным отверстием. На внутреннюю цоверхность колбы наносится Защитное покрытие для увеличения времени жиз нм атомов в возбужденном состоянии. Недостатком известных покрытий-яв ляется сдвиг частоты рабочегоперехотдаатомов водорода иэза соударений гЭЛЕМЕНТА КВАНТОВОГО ВОДОРОДНОГО ГЕНЕ РАТОРАэтолена и перфторметилвннилэфира в Качестве защитного покрытия накопи тельного элемента квантового водород. ного генератора.-Целью изобретения является умень шение величины сдвига частоты рабочеЦго перехода атомов водорода и увели-й чение воспроизводимости этого сдвига. Это достигается применением в качестве защитного покрытия сополимера тетрафторэтолена и...
Многоустойчивый накопительный элемент
Номер патента: 267217
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Розенблат, Ромащев, Семененко, Телемеханики
МПК: H03K 3/51
Метки: многоустойчивый, накопительный, элемент
...внешней перемычки вокруг отверстия а (принцип неразрушающего считывания информации и трансфлюксора асимметричными импульсами тока). В обмотки 4 и 4 подается постоянный ток подготовки, Величина магнитного поля, создаваемого этим током, должна быть достаточной для того, чтобы обеспечить перемагничив ание всего объема материала вокруг малого отверстия а полностью открытого трансфлюксора, и недостаточной для перемагничпвания вокруг большого отверстия. Под действием этого тока сердечник 2 и материал вокруг отверстия а находятся в исходных насыщенных состояниях. При поступлении в обмотки 3 и 3 импульса тока, обеспечивающего быстрое перемагничивание сердечника 2 (материал вокруг отверстия а не перемагничиваетСя, так как транфлюксор полностью...
Многоустойчивый накопительный элемент
Номер патента: 533985
Опубликовано: 30.10.1976
Авторы: Арефьев, Крештал, Ромащев, Федин
МПК: G11C 11/08
Метки: многоустойчивый, накопительный, элемент
...т. е, участки магнитопровода вокруг отверстий а и Ь не перемагничиваются из одного насыщенного состояния в другое под действием приложенных к ним соответствующих м.д.с. Это обеспечивается тем, что амплитуда переменного тока считывания сп, текущего по обмотке 15, ограничена такой величиной, что образуемое этим током поле недостаточно для перемагничивания магнитопровода вокруг большого отверстия, а импульсы тока форсированного перемагничивания (записи) 1+зап создают поле, направление которого совпадает с направлением остаточной намагниченности внешней перемычки вокруг отверстия а. В обмотки 7, 8, 9 подается постоянный ток подготовки 1,. Величина магнитного поля, создаваемого этим током, достаточна для перемагничивания всего...
Многоустойчивый элемент
Номер патента: 217462
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Денбновецкий, Корицкий, Сигорский, Храпак
МПК: H03K 3/29
Метки: многоустойчивый, элемент
...элемент обеспечивает скачкообразное изменение напряжения на емкости С так, что новое значение этого напряжения соответствует последующему устойчи. вому состоянию многоустойчивого элемента. В тот момент, когда напряжение на емкости достигнет уровня срабатывания компаратора, т. е. по достижении заданного коэффициента деления накопительного элемента, емкость С разряжается, и процесс повторяется. Поскольку напряжение на емкости является напряжением обратной связи Ь 0 С для многоустойчи. ного элемента, с приходом импульсов на вход накопительного элемента многоустойчивый элемент принимает ряд устойчивых состояний, каждому из которых соответствует определенное значение динамического признака состояний, После интегрирования на емкости С...
Элемент памяти
Номер патента: 1287232
Опубликовано: 30.01.1987
Авторы: Настрадин, Рышков, Старчак
МПК: G11C 11/40
...При этом заряжается конденсатор 4 и открывается транзистор 1. Параметры схемы элемента выбраны такими, что после окончания действия на входе информационного сигнала к моменту прихода импульса на шину 5 питания конденсатор 4 не успевает разрядится до напряжения меньшего по абсолютной величине П,ор (фиг,2 в). Импульс, пришедший .с шины 5 через открытый транзис,тор 1 поступит на сток транзистора 3, т.е. на выход устройства, а так как исток транзистора 1 соединен со стоком транзистора 3 и затвором- транзистора 2, то на время, равное длительности импульсаь, откроется транзистор 2, и произойдет "подзарядка" конденсатора 4 через открытый транзистор 2 и нагрузочный транзистор 3 от источника питания (не 2 гпоказан). В дальнейшем в результате...