Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ(71) Московский орденаКрасного Знамени инженкий институт(54)(57) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащийключевой ь- р - и транзистор, базакоторого является первым управляющимвходом элемента, а эмиттер - выходомэлемента памяти, диод, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия при записи информации, катод диода соединен с коллектором. кчючевого и -р- ь транзистора,а анод диода является вторым управляющимвходом элемента памяти,1184011 Составитель Г. Бородин Техред О.Нецр Корректор А. Зимокосов ччп: т, 1 Б. 1 ванова Зака6275/51 Тираж 58311 Н 1 ПИ Государственного комитета СССРпо дегам изобретений и открытий113035, Г 1 скга, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Фи;пал 11 П "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,зобретсние относится к вычисли,.;,и технике и может быть использовано при создании интегральныхсхем памяти большой емкости,1 ель изобретения - повышение быс кродействия элемента памяти призагигси информации,а чертеже изображена схема элемента памяти.Элемент памяти содержит ключевойв -р-в-тразистор 1, база которогоявляется первым управляющим входом 2элемента, а эмиттер является выходом3 элемента памяти, например, диодкотткт со структурой металл-г-Бт,легированный золотом диод 4, катодкоторого соединен с коллектором ключевого г-р- в транзистора 1, а анодлегся вторым управляющим входом 5элемента памяти, 20В режиме хранения на втором управлякщам входе 5 и выходе 3 поддерживаетя положительный потенциал О == Ь,. по отношению к первомутрправляощему входу 2 где- поГ 0роговое напряжение при переключениидгода г проводящее состояние, 3 г - напряжение на открытом переходе транзистора 1, Оба перехода транзистораоказываются закрытыми, поэтому 30элемент практически не потребляетмощности в режиме хранения.Пусть состояние элемента различается следукщим образом: "О" - диод 4 имеет выпрямленную характеристику, "1" - диод 4 находится в проводящем состоянии, Для записига первый управляющий вход 2 подается голгжггтелг етый импульс полуеыборки, а на второй управляющий вход 5 - 40отрицагельный. Амплитуда обоих импуль.сов с ет величину О . Б результатеоткрывается коллекторный переходтранзистора 1, а на диоде 4 падаетнапряжение 1,р , переключающее егов состояние "1".Для записи "О" на первый управляющий вход 2 подается положительный импульс амплитудой .ф, а на выход 3отрицательный импульс амплитудой О,При этом открывается эмиттерный переход транзистора 1, и из эмиттеравытекает ток, а через диод впрямом направлении протекает ток1= г 3, гдед, - коэффициент передачитранзистора 1 в нормальном активномрежиме. Для переключения диода 4 в"О" необходимо, чтобы выполнялосьсоотношение Д,З,р, где Эп - порогопорвый ток при переключении диода 4 всостояние с выпрямляющей характеристикой,Для считывания информации на первый и второй управляющие входы 1 и 5подаются соответственно положительный и отрицательный импульсы ампли+ портудой г+( (О+ , При этом2 т п 4коллекторный переход транзистора 1открывается, но на диоде 4 падает напряжение .1- 1 ( 0,0 , поэтому переключение не происходит, 1 ерез диодпротекает ток З, величина которогозависит от состояния, в котором находится диод 4, а через выход 3протекает ток 33 = Ы 1 32, где 1 -коэффициент передачи транзистора 1 винверсном активном режиме. Предлагаемый элемент памяти имеет более высокое быстродействие при записи информации, что позволяет создать на его основе микросхемы ОЗУ, сохраняющие информацию при отключепитания.
СмотретьЗаявка
3689536, 11.01.1984
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНЖЕНЕРНО ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
БЕРЕЗИН АНДРЕЙ СЕРГЕЕВИЧ, КОРОЛЕВ СЕРГЕЙ АНАТОЛЬЕВИЧ, ОНИЩЕНКО ЕВГЕНИЙ МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 07.10.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1184011-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Устройство для защиты от перегрузок по току силового транзистора регулирующего элемента
Номер патента: 752602
Опубликовано: 30.07.1980
Автор: Реморов
МПК: H02H 7/10
Метки: защиты, перегрузок, регулирующего, силового, току, транзистора, элемента
...элемента и один из выводов резисторного датчика 7 тока, аколлектор через резистор 10 соединенкатодом стабилитрона 11, анод которого соединен с выходной клеммой2 устройства, и анодом первого развязывающего диода 12, катод которого через ограничивающий резистор 13соединен с базой транзистора 14 второго каскада защиты, переход коллектор-эмиттер которого подключенсоответственно между управляющей 3и ныходной 2 клеммами устройства, ачерез последовательно соединенныеконденсатор 15 и резистор 16 - к базе дополнительного транзистора 17,положительной обратной связи, коллектор которого через резистор 18 подключен к базе входного транзистора8 каскада защиты, а нторой раэвязывающий диод 19 катодом подключен кточке соединения конденсатора...
Логический элемент на переключении тока
Номер патента: 1723670
Опубликовано: 30.03.1992
Авторы: Афиногенов, Голубев
МПК: H03K 19/086
Метки: логический, переключении, элемент
...отличиями, Введение дополнительных элементов, указанных в 30 формуле изобретения, позволяет реализоватьфункциюе(х 1, х 2,хз)=х 1 х 2 хз+х 1 х 2 хз, причем через резистор протекает одновременно не более одного тока первого источника тока или первого дополнительного 35 источника тока, и поэтому не требуется подключения ограничительного диода, э задержка практически равна задержке схемы, реализующей функцию В(х 1, х 2).Ни одного известного элемента, позво ляющего реализовать аналогичную функцию аналогичным образом, не обнаружено,Нэ чертеже представлена электрическая схема логического элемента на переключении тока, реализующего функцию: 45 Г(х 1, х 2, хз) = х 1 х 2 хз+ х 1 х 2 хзЛогический элемент на переключениитока содержит...
Способ управления инвертором тока со стабилизирующим диодом
Номер патента: 1690117
Опубликовано: 07.11.1991
МПК: H02M 1/08
Метки: диодом, инвертором, стабилизирующим
...9измеряется датчикам тока 19. В усилителе20 сигнал датчика тока 19 усиливается дотребуемой величины, С выхода усилителя20 сигнал, пропорциональный току стабилизирующего диода 9, далее поступает нафильтр 21. Отфильтрованный сигнал с выхода фильтра 21 сравнивается в устройстве сравнения 22 с сигналом уставки,поступающим от источника задания устэвки23. С выхода устройства сравнения 22 сиг 5 10 15 20 25 30 3540 45 50 55 нал рассогласования поступает на управляющий вход задающего генератора 24. В соответствии с сигналом рассогласования с выхода устройства сравнения 22 изменяется выходная частота задающего генератора 24, Импульсы с выхода задающего генератора 24 через распределитель импульсов 25 и выходные каскады 26, 27, формирующие и...
Способ считывания информации из элементов памяти на полевых транзисторах и формирователь сигналов считывания
Номер патента: 1697118
Опубликовано: 07.12.1991
Авторы: Гусева, Сидоренко, Стиканов
МПК: G11C 7/00
Метки: информации, памяти, полевых, сигналов, считывания, транзисторах, формирователь, элементов
...информации пороговое напряжение опорного транзистора 4 становится отрицательным.Подбором геометрических размеров транзисторов 2 и 4 добиваются того, что в этом случае потенциал в узле А становится ниже потенциала запирания транзистора 8 и выход 11 начинает заряжаться от шины 9 пИтания через транзисторы 1,5, причем размером транзистора 5 регулируется ток (постоянная времени заряда выхода 11). С повышением напряжения на выходе 11, а следовательно и на истоке транзистора 4 пороговое напряжение. последнего возрастает и при достижении определенной величины становится равным нулю, Транзистор 4 (опорный элемент памяти) закрываетсяа потенциал в узле А становится равным напряжению питания, что достаточно для запирания транзистора 3,В...
Устройство для защиты от перегрузок по току силового транзистора регулирующего элемента
Номер патента: 1035588
Опубликовано: 15.08.1983
МПК: G05F 1/58
Метки: защиты, перегрузок, регулирующего, силового, току, транзистора, элемента
...ограничивающий резистор 13 соединен с баэбйтранзистора 14 второго каскада защиты, переход коллектор-эмиттер которого подключен соответственно междууправляющей 3 и выходной 2 клеммами устройства, а через последовательно соединенные конденсатор 15 и резистор 16 - к базе дополнительноготранзистора 17, коллектор которогочерез резистор 18 подключен к базевходного транзистора 8 каскада за-,щиты, а второй развязывающий диод19 катодом подключен к точке соединения конденсатора 15 и резистора 16и анодом - к выходной клемме 2 устройства, диод 20, соединенный катодом с эмиттерами входного транзистора 8 первого каскада защиты и первого согласующего транзистора 5 регулирующего элемента, при этом аноддиода 20 соединен с входной клеммой 1...
Предыдущий патент: Запоминающее устройство
Следующий патент: Асинхронный регистр сдвига
Случайный патент: Устройство для измерения фазового сдвига между током и напряжением автономного инвертора