Регистр сдвига
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН а)4 6 1 С 114 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИН АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Ордена Ленина инстиут проблемуправления(54) (57) РЕГИСТР СДВИГА, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенным на нее слоем доменсодержашего ЯО 1169020 и а гп: ггом я гкого м атер нала, параллельные слои магнитожесткого материала с регулярными выступами, нанесенные на слой домесодержащего магнитомягкого материала, изолируюгций слой диэлектрика, узел управления и узел стирания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности регистра, в нем узел управления выполнен в виде двух нанесенных на изолируюгций слой диэлектрика ортогонально сло: магнитожесткого материала полос проводягцего материала в форме вложенных один в другом меандров, а узел стирав ьыполнен в виде обмотки, охватываюгцей диэлектрическую подложку с нанесенными на нее слоями.1169020 фиг В. Коес Составитель с Техред И. Вер Тираж 584ВНИИПИ Государственного комипо делам изобретений и от 13035, Москва, Ж - 35, Раушская иал ППП Патент, г. Ужгород, у тинКорректор О. ЛПодписноетета СССРкрцтийнаб д 4/5л Проектная 4 иколайчук едактор аказ 462 Фил Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах информации на тонкой магнитной пленке с плоскими магнитными доменами (ПМД) в качестве носителей информации.Цель изобретения - повышение надежности регистра сдвига на ПМД с локальными полями стабилизации.На фиг. 1 изображен регистр сдвига, разрез; на фиг. 2 - положения домена в различные моменты такта продвижения,Регистр сдвига содержит диэлектрическую подложку 1, на которую нанесены магнитомягкая доменсодержащая пленка 2 и поверх нее слои магнитожесткого материала 3. В областях, свободных от слоев .магнитожесткого материала, сформированы низкокоэрцитивные каналы 4 с выступами 5. Поверх м а гн итом ягкой доменсодер жащей пленки и слоев магнитожесткого материала расположен изолируюший слой диэлектрика 6, на который нанесен слой проводящего материала в виде полос, выполненных в форме вложенных один в другой меандров 7 и 8. Вся конструкция помещена внутрь обмотки 9.Регистр работает следующим образом.Пара доменов 10 и 11, оставшаяся после очередного такта продвижения расположена таким образом, что первый(информационный) домен 11 расположен внутри меандра 7. При подаче в меандр 7 импульса тока нужной полярности создается положительное для информационного домена 11 магнитное поле, способствуюшее продвижению, и отрицательное поле для домена 1 О. При этом домен 11 продвигается в данную область (вправо на фиг. 2).Амплитуда импульса тока в меандре достаточна для удержания домена при наличии стирающих полей от общей обмотки.После продвижения информационного домена в обмотку 9 подается импульс тока, создаюший стирающее поле. Информационный домен сохраняется, а второй домен 10 15 коллапсирует под действием стирающихполей от меандра и обмотки 9. После окончания стирающего импульса в обмотке при действуюшем поле меандра домен 12 расширяется и проходит в следующую область хранения. После прекращения действия импульса тока в меандре 7 управления домен 12 разбивается на два домена 13 и 14. Затем в меандр 8 подается импульс тока, создаюший продвигающее поле. В данном расположении двух доменов 13 25 и 14 условия коллапса второго домена определяют величину стирающего поля обшей обмотки. В оставшихся четвертях тактов продвижения в меандры 7 и 8 подаются импульсы тока обратной полярности.
СмотретьЗаявка
3720745, 30.03.1984
ОРДЕНА ЛЕНИНА ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ УПРАВЛЕНИЯ
КАСАТКИН СЕРГЕЙ ИВАНОВИЧ, ВАСИЛЬЕВА НАТАЛЬЯ ПЕТРОВНА, КУЗНЕЦОВА ЕЛЕНА МИХАЙЛОВНА, КУЗЯКИН ЕВГЕНИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, СЕДЫХ ОЛЬГА АЛЕКСЕЕВНА
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Опубликовано: 23.07.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1169020-registr-sdviga.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Регистр сдвига</a>
Предыдущий патент: Устройство для подключения блоков памяти к источнику питания
Следующий патент: Способ записи информации в мнсп-транзистор
Случайный патент: Состав для изоляционных работ в скважине