Устройство для сепарации минеральных смесей

Номер патента: 207261

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Торотенков

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких

...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...

Номер патента: 205372

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Август

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких

...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...

Номер патента: 746362

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Мельников, Смаль

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, напряженности, пленок, поля, тонких

...Гельмгольца," З 5подключено к выходу генератора 12 прямоугольных импульсов, связанного также со вторым входом блока 7 переключения и через интегрирующий блок 13 свычислительным блоком 9. 4 ОРаботает устройство следующим образом.Тонкую ферромагнитную пленку 14 перемагничивают полем проводника 2 с то.ком от звукового генератора 3. Величи "йу тока звукового генератора выбираюттакай, чтобы магнитное поле, создаваемое этим током, было достаточно для ,поворота вектора намагниченности наугол до ЗОО . Сигнал потока переключе Ония с выхода датчика 4 поступает визбирательный усилитель 5 и детекторб, с выхода которого снимается йостоянное напряжение, пропорциональное амплитуде второй гармойикМсйгналапотока переключения пленки.Общее...

Номер патента: 511543

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Клюшкин, Тоисев, Фомин

МПК: G01N 27/78

Метки: введения, магнитного, накачкой, оптической, поля, радиоспектроскопах, систему, спиновую

...излучения используют световое излучение от сверхтонкой компоненты Г =резонансной пампы, Магнитный резонанс в системе ориентации атомов во избежание оптического уширения его линии осуществляют циркулярнс поляризованным .магнитным радиочастотным полем на Жемаковских подуровнях, отвечаюших1 + 3 сверхтонкому состоянию атома, где 1 - спин ядра,- полый момент количества движения. Сущность увеличения интенсивности нерезоцацсцого луча света, а следовательно, и поля гэ, за счет пропускания его через оптический резонатор основана ца известном факте, заключающемся в том, что любая резонансная система с добротностью Я и периодом собственных колебаний Т = 1 , находящаяся под воздейстовием внешней периодической силы с частс- той , в момент...

Номер патента: 532126

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Ключников, Филиппов, Филонич

МПК: G11B 5/46

Метки: головки, зазора, магнитной, напряженности, поля, рабочего

...3, Поле смещения создается магнитной системой 4, выполненной из катуцек Гельмгольца, Наблюдение ведется в проходящем свете. От источника 5 свет через поляроиды 6 и 7 попадает на микроскоп 8.В качестве подложки датчика используется пластина из гадолиний-галлиевого граната, вырезанная в плоскости (111). Выбор материала подложки помимо прозрачности в видимой части спектра обусловлен тем, что на нем наиболее просто вырастить бездефектные монокристаллические гранатовые пленки с цилиндри.еской доменной структурой,Монокристаллическая пленка феррограната является наиболее предпочтительной для дат 5 10 15 20 25 30 35 40 45 чика устройства, так как, имея магнитную структуру с ЦМД, она обладает достаточным для четкого наблюдения ЦМД...