Термоэлемент и способ соединения его ветвей

Номер патента: 300207

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гончаренко, Зсгпо

МПК: C01G 39/00, C25B 1/00

Метки: легких, металлов, молибденосодержащего, примесей, соединения, тяжелых

...Чистое молибденосодержащее соединение концентрируют в анодной камере электролизера.При практическом осуществлении предлагаемого способа в катодную камеру электролизера вводят раствор гидрата окиси аммония или молибдата аммония, содержащий 5 10-2 - 10 -моль вещества, а во все остальные камеры - насыщенный при комнатной температуре раствор молибдата аммония. В среднюю камеру в процессе электродиализадобавляют сухой 1 или влажный) молибдатаммония, подвергающийся очистке. Электроды - нерастворимые, например нержавеющаяч сталь, платина и т. п, Уровень жидкости занодной камере поддерживают на 5 - 10твыше уровня в остальных камерах, В аноднойкамере по мере накопления молибдат - анионов образуется пересыщенный раствор молиб 0 дата и...

Номер патента: 137918

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Корнблит, Мартынов, Смирнова, Сыркина, Сытник

МПК: B01D 15/08, G01N 21/62

Метки: анализа, других, жидких, имеющих, концентрации, кремнесодержащих, кремния, незначительные, примесей, соединений, четыреххлористого

...и исходный продукт,Так как в ряде случаев затруднительно знать заранее примерную концентрацию определяехсой примеси и сорбционная емкость силикагеля может оказаться исчерпанной до конца фильтрации, то фильтрацию можМ 137918 1ЖоОоо со,о Силикагель - 9,6 г. 8 гс 14 - 419 г Ж о фо Ъ м Ток а Яовф о,ооо о а. о о О ж о,Ос; До Цох 65д 1 ооао о оойдо о г,д а о ооо оо Элемент 0,085 0,184 0,003 0,030 0,0014 0,036 0,003 0,5 0,5 0,5 0,5 0,05 0,1 1,0 0,05 7,632,88 43,20 80,00 1,20 11,50 0,577 17,30 1,1535,52 77,10 1,20 11,50 0,577 15,40 1,15 А Ге Мп Мд Св РЬ Са гч 0,2000,0030,0020,03 79,60 1,26 0,84 12.,60 83,801,26 084 . 12604,20 1,90 Из таблицы следует, что для всех перечисленных примесей разница между определением по сорбенту и непосредственно...

Номер патента: 990655

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Босов, Голубева, Пустошкин

МПК: C01B 33/08

Метки: иода, кислородного, окислителя, основе, соединения

...с силикагелем.Сущность способа заключается вследующем.5Готовят 50-ный водный раствор3 О. В подогретый до 80 С водныйраствор вводят нагретый до этой жетемпературы крупнопористый гранулированный силикагель н количестве,обеспечивающем почти полное поглощениераствора. В процессе пропитки крем-незем модифицируется с обраэонаниемсоединения силиконойоднонатой кислоты;)ОЭ, Кремнезем, модифицированный йодноватой кислотой, исследуютадсорбционными методами, термогравиметрически и методами спектроскопии н ИК- и УФ-области спектра,подтвердившими образование йодосодержащего кремнезема,После пропитки гранулы высушивают на воздухе при комнатной температуре и затем в течение часа в сушильном шкафу при температуре 60 С. 25Высушенный продукт...

Номер патента: 1651594

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Горобец, Куликов

МПК: C30B 13/00, C30B 29/46

Метки: «и—или», висмута, основе, сурьмы, термоэлектрического, халькогенидов

1. Способ получения термоэлектрического материала на основе халькогенидов сурьмы и/или висмута, включающий синтез при нагреве исходных компонентов до плавания в эвакуированной ампуле, охлаждение и вертикальную зонную перекристаллизацию без разгерметизации ампулы, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном улучшении электрических и механических свойств материала путем обеспечения его однофазности, используют ампулу переменного сечения, имеющую часть с меньшим диаметром, синтез ведут при вращении ампулы вокруг ее поперечной оси, а охлаждение проводят закалкой расплава в часть ампулы с меньшим диаметром, затем эту часть отделяют и зонную перекристаллизацию проводят при величине температурного...

Номер патента: 1665286

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Максимов, Рудневский

МПК: G01N 21/67

Метки: анализа, висмута, примесей, растворах, свинца, спектрального

...газов, стабилизации разряда и фокусирования излучения на щель спектрографа перед экспозицией катод с пробой обжигают в течение 60 с при силе тока 75 мА. Затем постепенно ток увеличивают до 600 мА и фотографируют спектр в теч ние 120 с при ширине щели спектрогра ИСП - 28, равной 18 мкм, Аналитическ линии В 1 306,7 нм с энергией возбуждения 4,04 эВ и РЬ 1 283,3 нм (4,37 эВ) фотометрируют на микрофотометре. Градуировочные графики для определения В и РЬ, построенные в случае осуществления1665286 р Л 6 р Составитель О. БадтиеваРедактор В. Данко Техред М.Моргентал Корректор М. Демчи Заказ 2388 Тираж 410 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям Ф 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 НТ СС атент", г. Ужгород,...