Патенты опубликованные 28.02.1990

Номер патента: 711916

Опубликовано: 28.02.1990

Авторы: Бессарабский, Воробьев, Овсянников, Прокопьев, Суховеев

МПК: G21G 4/02

Метки: нейтронная, трубка

...конуса,1 вершина котороголежит на мишени, причем число таких конусов равно чис 5 лу ячеек.Цель изобретения - увеличение ресурса работы нейтронной трубки.Цель достигается тем, что в известной нейтронной трубке, выполнен ной в виде отпаянного цилиндрического . корпуса, вдоль продольной оси которого последовательно.и соосно расположены источник ионов, в выходном отверстии анодного электрода которого установлена диафрагма с отвер стиями, систему.высоковольтных электродов и мишень, отверстия в диафрагме выполнены в виде узких прорезей с поверхностной симметрией относительно продольной оси трубки.На фиг.1 изображена конструкция нейтронной трубки, а на фиг.2.и 3. - варианты выполнения диафрагмы.Нейтронная трубка, приведенная 25 на фиг.1,...

Номер патента: 309395

Опубликовано: 28.02.1990

Авторы: Бондаренко, Данцигер, Дудкина, Фесенко, Фрейденфельд, Шитца

МПК: C04B 35/00, H01B 3/00

Метки: материал, пьезокерамический

...пьезокерамическим мате 67 у 42-6811919,73-19,9510,14-10,980,71-1,76 ам, пр 2 гО именно иалам. Извеен пьезокерамическийлючающий РЬО, 2 гО, Т 1 и, кроме того Сао л,9-0,9 Поляризация пьезоэлеме ществляется в трансформат 100-140 С в течение 30 ми напряженностью 4-5,5 кв/мм в осуом масле оле ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54)(57) ПЬЕЭвключающий РЬ ЯэНедостатком известного материалаявляются невысокие значения пьеэокерамических параметров,Цель изобретения - разработкатакого состава пьезокерамическогоматериала, который имеет высокуюпьеэочувствительность и меньшую диэлектрическую проницаемость.Это достигается введением в материал добавки СаО,Предлагаемый новый пьезокерамический материал содержит...

Номер патента: 1421072

Опубликовано: 28.02.1990

Авторы: Гусев, Кантор, Раздобарин

МПК: G01N 21/03

Метки: методом, параметров, рассеяния, света, сплошных, сред

...луча на уровнезеркала, расположенного со стороныввода излучения, то вся отражающаяповерхность зеркал будет использоваться дважды. При дальнейшем уменьшении Д сначала часть луча, а затеми весь луч, точка отражения которогомакеимально удалена от оси входноголуча, выйдет за пределы отражающейповерхности зеркал, т.е. их поверхность будет использована только одинраз.Однако эа счет уменьшения расстояния между соседними точками отражения луча число проходов будетоставаться больше, чем в прототипе,а при совпадении центров кривизныстанет таким же, как в прототипе.Таким образом, при Д = а /40гдостигается максимальное число проходов луча в устройстве, которое4(0"а)равно примерно --- что в четыреараза больше, чем в прототипе,Иеобходимо...