Патенты опубликованные 15.04.1982

Номер патента: 845639

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Бенько, Кособуко, Шадский

МПК: G05B 17/02

Метки: модели, мощностью, реактора, тепловыделяющего, элемента, ядерного

...1;Ец псфгро юи 1, Птсгрдтора , цпсрторл,"), с) мдтор 1, схсмь срдписиця 5. б ОЕДЦ 1)13 СЦЦ 51 6, Диа,ИОВОГО:СЯО,;С:1)- иего устройства 7, цитсграторов 89, (лое; измерсии 5 м 01 циОс 1). Выход схемы срБисця сос:ии(.ц с си(10 Бым 0;и)ком 11, оеспсчивающим питдццс модели тспловыдслп(нцсго элемента 12. Выход последней соединен с блоком измерения мощности 10.Устройство работает следующим обра;30 М.(7)- изи.ср) с " 5Заданный закон изменения во време мощности тепловылелсния моделируется имитатором кинетики нсфтронов 1 (задатчиком мощности) в виле электрического сигнала Р,ад и подается одновременно ца первый вход сумматора 4 и второй вход интегратора 2. На первый вход интегратора 2 подается электрический сигнал Р, р, пропорциональный мощности,...

Номер патента: 845722

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Быстрицкий, Петров

МПК: H01S 3/22

Метки: заряженных, лазер, накачкой, поперечной, пучком, частиц

...1 1 ( Т П ,"(с ц О, , П рГ.3 р Сц 0 ГО, С,53 Э.Е)ц 015, )5 . 5 д- )КУМ) Ц О)К с( )1 с ) С Ц Д П Р 0 1 И 13 0 Ч 01 О 1) Р(1 .) анодс 1с( днов.сп И.1 змсцц ь 1 Й сто 3 цц , СОЗ,3,сОп 1.Й ЦД ОС Ц,ЦО.3 СТ)СЮ Ла:5 СО ЦОЙ плазмы ц,отцосЬ)0 О" 10) ." , д цд- ЦРО ГЦ Б, 3)010 ТОР Цс Д ) 3). с ( С Гс( 10 . Ц п(1 зм с цццц Исто 1 ц к, с Оз,ОИц,1 кол,):с- ВТЮ СТр) О ПКс 1 сИ 3)оц 1 И(12,5)1 Ы И(0 в ЦОСТЬЮО 10СМС Бис Ц Ц ИМ ДЦ 1( 1 - РО ) БЦЫ )1 Лис)С(ТР (ЦО тс), И )3 ЦС"1 РС Ц- н ц А),С ц 2 .( ст Р 0 )1, Р и в Б) 21, ц 2 51 с т Р ( (1 т и ЛДЗСРЦО) Ц,(3;5 ь.1 1 ч с р 1 с ж с с х с ( ) Г 3ц 0 и з 0 р с) ж с ц прс,л 1)см ы л 2;5 ср.с).5( ) -Ос 1 Оцт цз цс0 и)кс 1 цм ц п(с ЦОГО ЦДЦР 5 ЖСЦЦЯ, 13 КС( Л 1 ЦОЦ 1(с)Л)СР)Л ), и 1(ОТОРОЙ Р ЦОГОЖСЦ,ХО КСЦ(3,1...

Номер патента: 845743

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Лонгинов, Степанов

МПК: H05H 1/18

Метки: возбуждения, волн, плазме, электромагнитных

...винтобмотки,С целью возбуждения в плазмещих в одном направлении вдоль плазного шнура электромагнитных волн,дольная длина пластин-секторов врается больше длины затухания вораспространяющейся в области мпластинамп-сскторами ц металличекамерой, а источник высокочастоэнергии подключек к пластинам-сектВб,ц:з;. одно-.о 1 з сго концов.Благодаря та 1;Ому Вы 110 лцсц 1 ю устства в пространстве между пластисектором и мсталлпческОЙ 1 ЗмсрОЙ цтц ескц будет существовать только В .бегущая от места тотлючсцтя 11 сточк другому. концу пластин-секторов,как из-за превышения длины системы 1длиной затухания амплитуда отражеволны, бегущей в противоположномправ;тепнц, оудет нсзцачцтельна. Несдимая длина затухания может бытьгечена либо за стст излучения...