Способ изготовления микрофонных мембран

Номер патента: 82936

Автор: Богдаченко

ZIP архив

Текст

(1)слс(;1;с:,.:Ь: с)сд зГстОБ,(ь.:, .,:Ькр Оь;ь.;:(с,:)и из ЛЬ(1 ОЗ(Д 12 Р ДН 1, и(,;Р ЬТОГО СГОС 1 , :,Г .,;: Д 0)дн К( .(1 СВ 53 101 СМ Мс.,И П 11: 1(20 д: .ГЬ;)ОщСН:С ",".:,.;,:, ОГ;И 210 ГОБЛСИН 5 )1(д;сиСЗ - О 5 СТ ОЦСС15. Гь 11, Пр 01 ЗБСС .) 13 1(ГЛСрИЦИТ Ьк .12 (( л( , Б , ГГ 10 Б:5 к Р 200".Ь 1 ОООГО 32 ВОЛ 1,ИС, БТ;,;,;2 С )т(. ИСРтЕРКИ 1;И 1;2)-Ди РЕ )2 РИТЕЛЬНО (-,- ПОПД БЬСУ 1 С. "., ПДК,(ЬВ 2102 ПО 1 ИДМО 111 КПСГ Л 2 КОЪ БЬНалс С О;,идстороны и поссс Бысыкаия с) "ГГО 1. 1,) Гдн( Ле,.,т про;д(- (() 1 Си.Л ПЛСНК, д .01 .Со Ь, (.д. иОНН 1" ДР 1 П 0 О ,; Ы ЗаОТ СОСИ ЛЬ Ь( ИСМС;3 ЛЕИНО, ДКБ Л 2 К Н( В.С;):, 111)РСЫИОТ 1 ДБС).;НОСТЬ СЦС ".:1;ОГО КВРТДЕР Р(1(РТОБО; Нял:10. Р.: др.тПдс пд 1)1;,п(, ка)(0 " .(ллак 1 1 рот и;нпс, так как 1 ри присыпании Графитоид 1 1.ь ьО пдБ(. Ост 0 ис Высо:(цсГО псрБОГО слоя л(ка ГОР)с 110 к Оисиь знсрГиипд БпиеызнсГ Р. сся лак, ОстаБляя Р:2)тди 20 сдлОтО с,л: .) рсз,льтат( зтОд с.10 П Г)(1)РтОВОР пыли нс закРепс 51(тс 51 н каОн( и л(ГК ОГс(ст О" 1 сГО.Л . Р 2 БДМС,";.СГД ОКРЬ:ТИЯ БСС: ОБС)КНОСТП ЛИСТИ ПР -: 12 П( порошка ос, щсстнл 5 пст ирп помощи сит с 620 отнс., Сито с НВят 2 лис Ос.,РГП , Иапо;п 151 ст Гда(эитсн( иь;лью. Зате:;, слсГ 1(2 пдст 5- .1 Вая .гГьцей д кдРк 5( сита, послслпсс псрсмсцают пад понсГ)- ;остьО листа кртдна, ссля за тем, тод, ГрафитоВая пьль Г 0)килась равномс;);ым слоем. 1;онсц покрытн 51 пыл: ю Опрсдс.яОт ио прскрашсньпо смРН 2 РПя пыли лаком, чло Билцд по поскращеПпо потемспГ)ддпка, ЛРст 1.2 ртоиа стаВят 3 Всртка.ьпд) пдлд)кении и с :(.Г

Смотреть

Заявка

355246, 21.03.1947

Богдаченко А. Г

МПК / Метки

МПК: H04R 31/00

Метки: мембран, микрофонных

Опубликовано: 01.01.1950

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-82936-sposob-izgotovleniya-mikrofonnykh-membran.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления микрофонных мембран</a>

Похожие патенты