Патенты с меткой «микрофонных»

Номер патента: 44957

Опубликовано: 30.11.1935

Автор: Юрин

МПК: H04R 31/00

Метки: мембран, микрофонных

...помещаются в эту камеру между металлическими дисками.Заряженная кружками камера закрывается с таким расчетом, чтобы картонные кружки быти плотнозажаты между дисками и при обжиге не покоробились, после чего камера помещается в печь, где нагревается докрасна, равномерно по всей поверхности и в таком состояС. Юрина, заявленномуо перв.159996).ликовано 30 ноября 1935 года. нии держится не менее 2 - 3 часов, после чего вынимается из печи, охлаждается на воздухе и затем разряжается.Обожженные мембраны подвергаются испытанию на токопроводимость.Бели окажется, что картон вследствие кратковременности прежога, неравномерности нагрева зарядной камеры недостаточно сгорел то мембрану следует осторожно вновь уложить в камеру и подвергнуть...

Номер патента: 70280

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Иофе

МПК: H04R 29/00

Метки: заполнения, испытания, коробок, микрофонных, порошков, угольных

...колеблется в направлении, показанном на чертеже стрелкой, Силы тока постоянной и переменной составляющих могут регулироваться, а режим возбуждения электромагнита определяется и устанавливается с помощью миллиамперметров 12, 13 и вольтметра 14.Наряду с пропусканием постоянной составляющей через катушку 919370280 Предмет изобретенияУстройство для испытания угольных порошков для заполнения микрофонных коробок на развиваемое ими переменное напряжение и сопротивление постоянному току в динамическом режиме, о т л и ч а ющееся тем, что с целью испытания порошка в условиях его непрерывного и равномерного встряхивания одну из стенок испытательной камеры образует якорь электромагнита, отделенный от полюсных наконечников электромагнита упругими...

Номер патента: 82936

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Богдаченко

МПК: H04R 31/00

Метки: мембран, микрофонных

...1 С. "., ПДК,(ЬВ 2102 ПО 1 ИДМО 111 КПСГ Л 2 КОЪ БЬНалс С О;,идстороны и поссс Бысыкаия с) "ГГО 1. 1,) Гдн( Ле,.,т про;д(- (() 1 Си.Л ПЛСНК, д .01 .Со Ь, (.д. иОНН 1" ДР 1 П 0 О ,; Ы ЗаОТ СОСИ ЛЬ Ь( ИСМС;3 ЛЕИНО, ДКБ Л 2 К Н( В.С;):, 111)РСЫИОТ 1 ДБС).;НОСТЬ СЦС ".:1;ОГО КВРТДЕР Р(1(РТОБО; Нял:10. Р.: др.тПдс пд 1)1;,п(, ка)(0 " .(ллак 1 1 рот и;нпс, так как 1 ри присыпании Графитоид 1 1.ь ьО пдБ(. Ост 0 ис Высо:(цсГО псрБОГО слоя л(ка ГОР)с 110 к Оисиь знсрГиипд БпиеызнсГ Р. сся лак, ОстаБляя Р:2)тди 20 сдлОтО с,л: .) рсз,льтат( зтОд с.10 П Г)(1)РтОВОР пыли нс закРепс 51(тс 51 н каОн( и л(ГК ОГс(ст О" 1 сГО.Л . Р 2 БДМС,";.СГД ОКРЬ:ТИЯ БСС: ОБС)КНОСТП ЛИСТИ ПР -: 12 П( порошка ос, щсстнл 5 пст ирп помощи сит с 620 отнс., Сито с НВят 2...