Способ дефосфации черновых пирохлоровых концентратов

Номер патента: 853424

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Логвиненко

МПК: G01B 7/16, G01K 7/01, G01R 33/06

Метки: магнитного, механи-ческих, напряжений, напряженности, поля, температуры

...образованный областями 2 и 4 пластины 1, контакт 10; контакт б, область 2 пластины 1, контакт 8, входное сопротивление измерителя напряжения, подключенного к контактам 8 и 10, контакт 10. Измеритель напряжения входит в состав измеритель. ной схемы. Соотношение между токами в указанных цепях будет определяться соотношением сопротивления р-и-перехода и входного сопротивления измерителя напряжения. Для эффективной совместной работы термодиода и измерителя напряженности магнитного поля это соотношение следует выбирать таким образом, чтобы ток первой цепи, т.е. ток термодиода, был в пределах (10-50)10А. Протекание тока от контакта б к контакту 8 через область 2 вйэывает инжекцию носителей тока в эту область, имеющую малую толщину (2-5 мкм)...

Номер патента: 1504636

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Авраменко, Бродовой, Лукашенко, Палатник, Равлик

МПК: G01R 33/04

Метки: головки, магнитного, магнитной, напряженности, поля, тонкопленочной

...элемент выполнен в виде набора магнитотвердых пленок, например пленок Со-Сг, обладающих прямоугольной петлей гистерезисаи различными коэрцитивными силами.На чертеже изображена блок-схемаустоойства для измерения напряженности поля ТМГ.Устройство содержит магниточувствительный элемент 1, индикаторное устОройство 2 и блок 3 обработки данных.Магниточувствительный элемент 1представляет собой набор тонких ферромагнитных пленок, осажденных нанемагнитную подложку, например пленок Со-Сг, обладающих прямоугольнойпетлей гистерезиса и различными коэрцитивными силами НИзмерение напряженности поля вбли"зи зазора ТМГ производят следуюшим 40образом,Пленки 1 располагают в порядке .возрастания Н и предварительно насмагничивают постоянным полем....

Номер патента: 464877

Опубликовано: 25.03.1975

Авторы: Антонов, Хорев

МПК: G01R 33/12

Метки: градиентом, магнитного, напряженности, однородным, поля, создания

...пар обмоток, расположенных на каркасе на определенном 1 О расстоянии друг от друга. Вьтоором чтнсла пар и диаметров обмоток, ампервитков в них и ра.стояний между обмотками можно для заданных поперечных разметров получить воз. можно большую зону однородности градиента напряженностти магнитного поля. Однако у изве"тных устройств д,чтина зоны однородности градиента не гревышает поперечных размеров витков обмоткит, поэтому для получения достаточно протяженной зоны однородности приходится значительнэ увеличивать поперечные размеры у"тэойства. следняя выполнен инейному закону цу еед ны а все о д довательно.На чертеже приведена схема устройства.Оно состоит из каркаса 1 с пазами 2, расположенными, например, на равных,расстояниях друг от...

Номер патента: 1517654

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Кузнецов, Соколов, Финашкин, Чепурин

МПК: H01J 49/44

Метки: магнитного, магнитном, поля, создания, фокусирующего, энергоанализаторе

...формулы гдеД 1 - величина добавочного тока,подаваемого во внешнюю паруфокусирующих катушек",В - среднее значение Е-компоЭФненты внешнего магнитного поляа - вычисленный на оптическойоси энерговналиэатора коэффициент связи между током,пропускаемым через внешнююпару фокусирующих катушек,и соэдаваемым им полем,Ь - величина производной а порадиальному направлению, вычисленная на оптической осиэнергоаналиэатора.Добавочный ток 6 1 подается от источника 13 тока автокомпенсации. Магнитометр 14 управляет величиноР добавочного тока через внешние фокуслрующиекатушки и работает по принципу нольиндикатора, С его помощью во внешней фокусирующей катушке 5 устанавливаетсл такая величина добавочноготока Д 1, чтобы суммарное магнитноеполе в месте...

Номер патента: 2002250

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Новиков, Романов

МПК: G01N 27/85

Метки: дефектоскопии, индикатор, магнитной, магнитных, полей

...предварительной ее механической обработки магнигопорошковые метод контроля с использованием монолитных частицпорошка неэффективен. так как скоплениечастиц порошка затруднено. Если изделиенаходится под слоем жидкости, особенно втом случае, когда жидкость имеет малуюпрозрачность, то это препятствует наблюдению скоплений порошка в местах дефектов сплошности,Решение поставленной задачи позволит расширить область использования индикаторов магнитных полей за счет появления возможности контроля изделий с грубой поверхностью, а также изделий, находящихся под слоем жидкости.Сущность изобретения состоит в том, что в индикаторе магнитных полей для магнитной дефектоскопии, представляющем собой частицы магнитного порошка, в нем...