Резистивный датчик температуры

ZIP архив

Текст

СПИИЗОБРЕТЕН ИЯ п 11 508686 Сыз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено 00,08.74 (21) 2058822/18-1с присоединением заявки1. Кл,г 6 01 К 71 3) рит иковано 30.03,76. Бюллетень12 6.531 88,8) 3) делам изобретении и открытий ата опубликования описания 02.07.7. С, Болтовец, А. В. Войцеховский, С. Н, Енд В. А. Ищук, С. К. Петрусенко и И, И, Т а Трудового Красного Знамени институ оведения и Киевский государственный п институт им. А. М. Горького(54) РЕЗИСТИВНЪЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУР Яз, В 1, Яе, Те отклонения ко о состава в длябеРиА лектрическис з Известны резистивные датч ры, содержащие в качестве акт та полупроводники, например таллов (чаще всего окиси М карбид кремния, нитрид бор группы Ап В.Однако известные датчики н проводниковых материалов н ченное использование в услови ного излучения,Целью изобретения являет стойкости тернорезисторов к изл ченшо. в количепонентов пределах з сущест- арамстры пои температуивного элемей-с 1 окислы меп, Со,%, Сц), а, материалы а основе полуаходят ограниях радиоактивзпого порессивным ний обойстъ стеклообра атериала к аг ряда прпмене го корпуса. ся повышениерадиоактивному Формула изобретени Резистивный датчик температуры,гний в качестве активного элемента 5 водник, отличающийся тем, ч лью повышсния его стойкости к ра ному излучению, в качестве полуп 1 использовано стеклообразное Сабе (РхАз 1 .,) г при следующем со 0 инградиентов, вес. й: Сс 1 бе Рся это тем, что в та полупроводник пользуют стекло ый материал щем соотношении качестве активового термореобразный полуСс 1 бе (РхАз 1 - х) г инградиентов,33 - 4 21 - 3 0,2 - 2 0,6 - 4 33 - 46 21 - 30 0,2 - 25 0,6-4,5 А1 "ЯОстдарстеенный комитет Совета Министров СССР Достигает ного элеме зистора, ис проводника при следую вес о(,Сс беНаличие примесей ство до 1 й, а также от стсхиометрическог 0,5 й для Сс 1 и 3 - 5/ 5 вснно не влияют па э тор морсзисторов. Высокая устойчиво лупроводникового м с 1 зсдам позволяет для 10 1 псь без герметическо

Смотреть

Заявка

2058822, 09.08.1974

ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ, КИЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕС-КИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. М. ГОРЬКОГО

БОЛТОВЕЦ НИКОЛАЙ СИЛОВИЧ, ВОЙЦЕХОВСКИЙ АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, ЕНДРЖЕЕВСКАЯ СУЛАМИФЬ НИКОЛАЕВНА, ИЩУК ВАДИМ АРСЕНЬЕВИЧ, ПЕТРУСЕНКО СВЕТЛАНА КУЗЬМИНИЧНА, ТЫЧИНА ИРИНА ИЛЬИНИЧНА

МПК / Метки

МПК: G01K 7/10

Метки: датчик, резистивный, температуры

Опубликовано: 30.03.1976

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-508686-rezistivnyjj-datchik-temperatury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивный датчик температуры</a>

Похожие патенты