Ендржеевская

Номер патента: 508686

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Болтовец, Войцеховский, Ендржеевская, Ищук, Петрусенко, Тычина

МПК: G01K 7/10

Метки: датчик, резистивный, температуры

...акт та полупроводники, например таллов (чаще всего окиси М карбид кремния, нитрид бор группы Ап В.Однако известные датчики н проводниковых материалов н ченное использование в услови ного излучения,Целью изобретения являет стойкости тернорезисторов к изл ченшо. в количепонентов пределах з сущест- арамстры пои температуивного элемей-с 1 окислы меп, Со,%, Сц), а, материалы а основе полуаходят ограниях радиоактивзпого порессивным ний обойстъ стеклообра атериала к аг ряда прпмене го корпуса. ся повышениерадиоактивному Формула изобретени Резистивный датчик температуры,гний в качестве активного элемента 5 водник, отличающийся тем, ч лью повышсния его стойкости к ра ному излучению, в качестве полуп 1 использовано стеклообразное Сабе (РхАз 1...