Способ получения 1, 4-диоксандиона2, 3

Номер патента: 1627303

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Готлиб, Кувалкин, Кульчицкий, Румянцев

МПК: B21J 1/06

Метки: набора, нагрева, процессом, штампового

...функциям влияния, а на третий его вход подают сигналы, пропорциональные температуре окружающей среды, выход же его связан с одним из входов блока 8 оценки рассогласования температур, на другой вход которого подают сигнал, пропорциональный требуемой температуре щтампового набора 1, а выход связан с одним из входов блока 9 определения мощностей нагревателей 2, на другой вход которого поступают сигналы, пропорциональные мощностям нагревателей 2, необходимые для поддержания требуемой температуры в стационарном режиме, при этом его выход связан с входом блока 7 прогнозирования температур, а также с входом блока 5 вычисления температур и с входами регуляторов 3 питания нагревателей 2, выходы которых связаны с соответствующими...

Номер патента: 118832

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Лозовой, Петров, Трошкин, Тюрихов, Чижов, Шахов

МПК: C21D 1/74, F27D 7/00

Метки: атмосферы, безокислительного, защитной, нагрева, приготовления

...окиси углерода и водорода. Восстановленные в газогенераторе газы осушают от паров воды в адсорбере, наполненном силикагелем. Периодическая регенерация от воды силикагеля производится горячим воздухом, пропускаемым через его слой,Ко 118832 Предмет изобретения Установка для приготовления защитной атмосферы безокислительного нагрева, состоящая из камеры сжигания, эндотермического газогснератора с электрическим нагревом, холодильников и адсорбера, заполненного силикагелем, отличающаяся тем, что, с целью интенсификации процесса получения защитной атмосферы, улучшения состава последней и повышения использования тепла, установка снабжена теплоооменником, одновременно являющимся сетчатым фильтром для очистки газов от сажи, газогенератор...

Номер патента: 868708

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Бойков, Дилигенский, Лившиц, Рапопорт, Рогачев

МПК: G05B 17/00

Метки: использованием, моделирующего, нагрева, процессом, устройства

...слоя и напряжение датчика 4, пропорциональное температуре поверхности т ла на первом участке дискретизации временной переменной. Одновременно автоматически выставляются начальные условия, соответствующие данному процессу, а также контактом 23 присоединяется к управляемому источнику напряжения первая цепочка резисторов 30лЗОблока 19 задания переменных параметров. Ток по резисторам 30 моделирует тепловые источники (стоки ).При нагреве с поверхности конвекционный, радиационный нагрев) резисторы 30 присоединены к граничнымузлам моделирующего устройства.В случае нагрева тела внутреннимитеплоисточниками (например, индукционный нагрев) резисторы 0 присоединены также и к внутренним узлам 15 моделирующего устройства. Напряжениеуправляемого...

Номер патента: 908861

Опубликовано: 28.02.1982

Авторы: Бычков, Низовцева, Пишванов, Подольский

МПК: C21D 9/00, F23C 9/00

Метки: атмосферой, защитной, металла, нагрева, печи, режимом

...компонента. Приэтом достигается равновесный составпродуктов конверсии и соответствующая этому равновесию температура 1 .Сигнал о корректировке Фпоступает в блок 17 на регулирующий орган 15. Последний воздействует наламповый генератор 14, изменяя количество генерируемой им высококачественной энергии и подводимой нНагрев металла по указанному ред жиму См обеспечивается температурой печи С, которая определяется темпе" ратурой газа-теплоносителя С 1, полученной на выходе двухраэрядной ЭГГ.Работа первой ступени ЭГГ в режиме конверсии происходит при определенной температуре С, обусловленной значением(как это показано разрядный участок первой ступениэлектрической моцности из сети отклемм 16,Сигнал о несоответствии...

Номер патента: 1562892

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Гранковский, Зинченко, Минаков, Падалко, Сергеев

МПК: G05D 23/19

Метки: диффузионном, многослойных, нагрева, полупроводниковых, процессом, структур, формировании

...диффузант. Блок 18 интегрирования, работающий в реальном масытабе времени, выдает на блок 19 сравнения текущеезначение глубины диффузии. При достижении заданной глубины, устанавливаемой задатчиком 20, с блока 19 сравнения подается сигнал на ключ 21, который переключает программный задатчик23 температуры на снижение температуры печи. Таким образом, возможные самопроизвольные изменения температурыв печи учитываются путем изменениявремени нагрева, корректированияпрограммы нагрева,Система позволяет обеспечить требуемую глубину диффузии примесей приполучении многослойных полупроводниковых структур и в связи с этим повысить процент выхода годных приборов,Формула из обретенияСистема управления процессом нагрева при диффузионном...