416388

Номер патента: 1780093

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Глухов, Ковальчук, Община

МПК: G09B 23/28

Метки: активных, кожи, регуляции, состояния, точек, функционального

...:и. гэее 50% в -еченле двух часов наблОде:,. я, волнообразно изменяясь фиг. "), На апак Н- СТСССН 8 ВВЕДЕНИЯ ЗЛ 6 КТРОПРОБСД-; вел.,;чилась на .Я 6 а кснтсалате",0 Ь" ВЛЬа-а Ц С ВН ПМИМэЕ., И 1( эСОБДС, -БЛИН Б Лгэ гЭэ Л ээ)э э с; рально - 60,7, Через 90 мин - нг 42 Я ОтисходнОГО уровня.Выявлено достоверное повышениезлектропроводности в ушных точках через 5 мин, как на стороне введения, так и на ПгОТИВОПОЛОЖНОЙ СТСРОН 6, СОХСВНЯЮЩ 88 СЯ в течение двух часов, На левой лапе достоверное снижение злектрппрсводности набл,сдалось через 5 мин. а на правоЙ,(Онтралатерально) развивается через 30 мин достоверное снижение злектропроводНОСТИ ПО СРВВНЕНИЮ С ИСХОДНЫМ УРОБэчем,-а ОснОвании излОженноГО мОжнО сделать вывод. что возбу.кдение...

Номер патента: 1025291

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Авдеева, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетеропереходах, границе, параметров, поверхностных, полупроводниковых, раздела, состояний

...на границе раздела в полупроводниковых гетеропереходах, содержащее источник питания, измеритель стекающего заряда, первый электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к источнику питания, второй электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к измерителю стекающего заряда, регистрирующий прибор и блок управления электронными ключами, обеспечивающий синхронное переключение структуры от источника питания к измерителю стекающего заряда введены отражатель тока,включенный между выходом источникайитания и первым электронным ключом амплитудный детектор, подключаемый вторым электронным ключом между исследуемой структурой и входом регистрирующего прибора, и система им" пульсного освещения гетероперехода.На чертеже...

Номер патента: 1693488

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Апатян, Маилян, Паносян, Шмавонян

МПК: G01N 21/64

Метки: поверхностных, состояний, спектра, твердого, тела, энергетического

...падения Р-поляризованного луча может меняться в пределах 409 85,Для учета поляризованных эффектов,имеющих место в самой оптической системе, сначала получена поляризационная характеристика оптического тракта безтвердого тела 5 при 2 З 180. Закон Малюса полностью соблюдается, т.е. оптическийтрактустановки не приводит кдополнительным поляризационным эффектам,При наличии же твердого тела на оптическом пути луча, например кристаллаСОТе, в зависимости от длины волны отраженного луча наблюдались скачкообразныеврагцения угла плоскости Р-поляризации. Вслучае же Я-поляризации эффекта вращения угла плоскости поляризации не наблюдалось.Л р и и е р. На поверхность кристаллаСОТе наклонно падает Р-поляризованныйлуч от первого поляризатора, При...

Номер патента: 1500911

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Адамян, Айдинян, Маилян, Паносян

МПК: G01N 13/00

Метки: ионизации, поверхностного, состояния, энергии

...- потенциалы появления максимумов нестационарного тока 1 Ч Ч- значения скоростей развертки потенциалов. 1 ил. вспомогательный платиновый электрод 3 электрохимическую измерительную ячей ку с электролитом 4, потенциостат 5, позволяющий поддерживать потенциал постоянным или изменить его по задан ной скорости в зависимости от времен .по линейному закону, регистрирующий двухкоординальный нотенциометр 6, миллиамперметр 7.Способ осуществляют следующим образом.,Ч гЧпэ Ч, -ф1 где е - заряд электрона,- потенциал плоских эонв.зю ,- потенциалы появления максимумов нестационарного разрядного тока;ч ч - значения скоростей разверткипотенциалов. Способ определения энергии ионизапии поверхностного состояния, включаСоставитель А,Щитоведактор Т.Парфенова...

Номер патента: 1409004

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Бусыгин, Григорьев

МПК: G01R 31/26

Метки: мдптранзисторах, параметров, поверхностных, состояний

Устройство для изменения параметров поверхностных состояний в МДП-транзисторах, содержащее клеммы для подключения затвора, стока, истока и подложки испытуемого прибора, криостат с датчиком температуры, импульсный генератор, источник напряжения и блок регистрации и обработки данных, один из входов которого подключен к выходу датчика температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено вторым источником постоянного напряжения, преобразователем ток - напряжение и операционным усилителем, причем выход операционного усилителя подключен к первому входу блока регистрации и обработки данных и к клемме для подключения затвора испытуемого транзистора, первый источник...