Способ химического осаждения металлов

Номер патента: 664330

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Беляев, Браславский, Душкин, Евстратов, Семенюк, Шахов

МПК: C02F 1/42, C02F 1/48

Метки: вод, природных, процессе, растворов, сточных, фильтрации

...расходы воды на собственные нужды,в результате чего существенно возрастает- эффективность ионообменной очистки водных растворов,664330 20 Составитель В. ДенисовТехред А. Камышникова Корректор Е. Хмелева Редактор М. Ленина Заказ 798/14 Изд. Мо 158 Тираж 980 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 3П р и м е р 1, При удалении ионов Сае+ из воды с помощью катионита КУ-8 (умягчение воды) ионит и исходный раствор с содержанием кальция - 2,6 мг-экв/л при фильтрации его через сорбционную колонку одновременно подвергают воздействию магнитного поля с напряженностью 310 - 1020 Э, преимущественно 310 - 630 Э (250 - 500 А/см).В этом...

Номер патента: 367746

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Златковская, Китаев, Плоских, Чернышова

МПК: C25D 5/54

Метки: контактно-химический, металлов, осаждения

...10-50 мл/л.По истечении некоторого времени 20на поверхности стеклотекстолита вокруг медного участка наблюдаетсяобразование пленки серебра, ширинакоторой растет во времени й через5 мин достигает 5-8 мм. 25Медный ваЛик перемещают равномерно по поверхности подложки со скоростью 0,5-5 мм/мин, что способствуетосаждению на поверхности стеклотекстолита сплошной пленки серебра, прочно сцепленной с основой и обладающейдостаточной электропроводностью. Установлено, что при расположении медного валика над стеклотекстолитовой подложкой. фланговый рост пленки в 1,5-2 раза больше, чем при рас. положении медного валика под подложкой,Толщину пленки серебра регулируют скоростью перемещения медного валика 40 на поверхности стеклотекстолитовой...

Номер патента: 1677098

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Варфоломеев, Мищенко

МПК: C25D 17/22, C25D 19/00

Метки: гальванического, изделия, мелкие, металла, непрерывного, осаждения

...через иее и попадают из нижнюю (донную) полусферу неподвижной емкости 5,Через кромки чаши. 2 могут перейти только гранулы, достигшие определенной массы за счет осаждения металла,Рабочее пространство между вращающейся чашей 2 и емкостью 5 образует первый каскад гальваноосаждекия и сепарации гранул по величине массы.Затем гранулы с электролитом, спускаясь по неподвижной стенке нижней полусферы емкости 5, проваливаются через окко 8 в этой стенке на вращающуюся наружную чашу 1, т.е, попадают ао второй каскад гальваноосаждения и сепарации, образованный пространством между емкостью 5 и чашей 1. Вновь достигают бурта чаши 1 вначале более тяжелые гранулы, достигающие заданной толщины гальаанопокрытия,Применение второго каскада позволяет...

Номер патента: 449110

Опубликовано: 05.11.1974

Авторы: Гусельников, Нохрин

МПК: C23B 5/68

Метки: металлов, осаждения, электрохимического

...3, твнзочувствительный элемент 4, на которыйопирается, по меньшей мерв, однакатодная штанга, Между катоднойштангой и упругйм элементом 4 рас 15 положен штифт 5,Твнзочувствительный элементпредставляет собой работающую наизгиб двухопорную балку с наклеенными на нвв тензосопротивлвниями 6,о Так как элемент 4 находится в агрес.сивной среде, то на него наноситсяпокрытие чз резины 7 и битума О,незначительно влиякщве на переходный коэффициент твнзосопротивлений.л На концах балки закреплены няконвч3ники 3 из фторопфастз, Опирзйциеся НЯ оснОВанин 10фиг, Я и д) так же Выполненные из фторопластя .На ванна 1 установлена гбенка 11 из изоляционного материала., В которой находнтся аноды 12 и катоды 3. Для Фиксации анодов и ка тодоь отйосительно...

Номер патента: 515828

Опубликовано: 30.05.1976

Авторы: Бузников, Линник, Мальцев

МПК: C23B 5/54

Метки: металла, осаждения, селективного, электролитического

...мкм при указанном соотношении наращиваемых толщин (см. фиг.3) . Для изоляции токоведущих дорожек от осаждения наносится защитный диэлектрический слой, например слой фоторсзиста ФП, в котором открываются окна над элементами и на границах разрывов,На контактную площадку 7 подается потенциал и производится осаждение слоя металла Г элсктро,итичесеой ВЯН 11 с с применением Очистки и циркуляции электролита и вращением катода со скоростью 150 - 180 об/мин. Ля 3.с."1 с 11 тс 4 и 1 зя тсво 1, б .115 яишеи к этому элементу, границе разрыва 9 происходит осаждение металла, Остальные элементы 5 ь 6 э,.ектрически отсоединены и осаждение 1 а них не производится. За счет бокового разрастания осажденного слоя на границе р 1;рыва 9 ширина разрыва...