385587

Номер патента: 483708

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Ильяшенко, Матвеев, Розенблат

МПК: G11C 11/16

Метки: источник, поля, постоянного, смещения

...1 покрыты плоско- параллельными пластинами 2, 3 из магнитом ягкого материала, например пермаллоя, которые служат полюсными наконечниками.Толщина пластин 2, 3 должна быть такой, О чтобы они не были намагничены до насыщения, В этом случае магнитные силовые линии выходят из поверхности пластин под прямым утлом, что обеспечивает в полости кольцевой детали требуемое направление и одно- в родность магнитного поля. Одна из пластин,например 3, может быть выполнена в виде стякяпя, оковыс стенки которого охватывая г 11;с1, боковой поверхности кольцевой де- Т 11 З .2 ь 1 ясть боковой поверхности кольцевой детали 1 охвачена бандажом 4 из магнптомягкого материала, в частности из ферромагпит Впо тсрмочувствительного материала,Дл регулировки...

Номер патента: 1800364

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Гольдберг, Гюльназарова, Мамаев

МПК: G01N 33/48

Метки: костей, костной, оценки, регенерации, ткани, удлинении

...Ужгород, ул,Гагарина, 101 укорочением Произведена корригирующая остеотомия бедренной кости и наложен аппарат Илиэарова для осуществления удлинения. В анализе крови до операции у больного количество моноцитов составляло, 4и лимфоцитов 30 . На 10 сутки после операции (перед началом дистракции) количество моноцитов увеличилось до 5 , а лимфоцитов до 40 , Однонаправленное изменение повышения моноцитов и лимфо цитов в послеоперационном периоде позволило диагностировать нарушение процессов регенерации костной ткани. Учитывая неблагоприятные данные диагностики, дистракцию осуществляли в инди видуальном режиме, используя более медленный темп - по 0,5 мм в сутки, достигнутоудлинение на 200 мм. Срок фиксации отломков аппаратом Илиэарова после...

Номер патента: 484530

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Прокофьева, Пылинина, Шахтарин

МПК: G06G 7/48

Метки: магнитном, моделирования, поле, постоянном, сверхпроводящих, экранов

...с высокой электропроводностью, аналогичные поформе сверхпроводящим, помещают в магнитцое поле высокой частоты,Существо предложения заключается в следующем.В переменное магнитное поле высокой частоты, создаваемое магнитом с обычной, на зпример, медной обмоткой, помещают экраныиз немагнитного, например из меди, материала с высокой электропроводностью. Измеряявеличину напряженности переменного магнитного поля в рабочем объеме, получают в от носительных едцшщах распределение напряженности магнитного поля в сверхпроводящих магнитных системах со сверхпроводящими экрацамц. Эксперимент можно проводить при любой, в частности прц комнатной, температуре, Форму ц размеры экранов из немагнцтцого материала с высокой электропроводностью при нормальной...

Номер патента: 657376

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Андриевский, Кудрявцев, Лесник, Непокрытый, Шевердин

МПК: G01R 33/12

Метки: автоматическое, индукции, магнита, напряженности, поля, постоянного, рабочей, точке

...цифроотсчетныйблок 15, магнитную систему 16, управлаемый источник питания 17,Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии производитсянастройка на заданное значение отношенияВ/Н путем изменения напряжения на выхо дах регулируемых опорных источников индукции 7,и напряженности магнитного поля9. При этом сигналы с последних с помошью переключателя режимов 1 3 поступают на вход второго блока сравнения 14,После настройки сигнал "Пуск" устанавливает второй блок сравнения 14 в исходное состояние и запускает управляемыйисточник питания 17, создающий в магнитФной системе 16 намагничиваюшее поле,По окончании намагничивания сигналом суправляемого источника питания 17 триг 1гер управления 1 перебрасывается в ра -бочее положение, При...

Номер патента: 205372

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Август

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких

...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...