Регулярная насадка из листового материала

Номер патента: 433570

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Митрофанов, Смирнов, Чеховской

МПК: H01L 21/304

Метки: выступающих, дефектов, поверхности, слоев, удаления, эпитаксиальных

...удаляя выступающие дефекты, могутповредить эпптаксиальный слой.Цель изоорстения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхностиэпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя,Это достигается тем, что предварительновсю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по 15 мощью плоского полировальника с канавкаНа чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальнымслоем на операции обработки с помощью20 плоского полировальника,По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня 25 ет функцию...

Номер патента: 724155

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Андреев, Вихарев, Сербин, Тарасов

МПК: B01D 3/32

Метки: насадки, подвижным, скруббер, слоем

...с подвижным слоем насадки работает следующим образом,Запыленный поток отходящдают через газоподводящий3цилиндрический корпус 3, Газовый поток проходит между тороидами 5 и б, приводя их в движение. Колебания тороидов 5 и б по вертикали обеспечивают интенсивное перемещение, подталкивание подвижной насадки от периферии к центру при малом уклоне направляющих 15 крестовины 14. Тороиды 5 и 6 удерживаются ограничителями 7 от горизонтального смещения, что обеспечивает равномерность ширины щели в заданных пределах и легкость монтажа,Подвйжная насадка 8 за счет движения тороидов равномерно распределяется по решетке, что обеспечивает равномерное распределение жидкости, подаваемой тарельчатым оросителем 9, Происходит повышение эффективности...

Номер патента: 1701550

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Воленко, Поноровский

МПК: B28B 21/16

Метки: бетонных, защитного, мелкозернистых, нанесения, поверхность, слоя, смесей, трубчатых

...два яруса приводные цилиндрические 8 и конические 9 ролики. Подвижный стол 7 установлен В направляющих 10и имеет механизмы вертикальных перемещений 11 и вращения 21 трубчатых изделий 3013, установленных на приемном приспособлении 14 стола 7,Устройство для нанесения защитногослоя из мелкозернистых бетонных смесейна поверхность трубчатых иэделий работае.г 35следуюдим образо 1,На пОиемнде поиспособлени 8 14 устанаВлиВагот и фикс.р :От грубчатое изДелие13, Подвижнь Й стол 7 перемеща от в крайнее нижнее положение ДО соприкоснОВ 8 ния 40торца конической секции обечайки с раструбом трубчатого изделия 13 и Включают механизм 12 Вращения г Ослед его и приводышнекового питателя 5 и конических роликов9. Бнековый питатель 5 подает бетонную 45 смесь в...

Номер патента: 1088762

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Ермаков, Иванов, Мещеряков, Шеплев

МПК: B01D 53/20

Метки: аппаратов, насадка, псевдоожиженным, слоем

...от газового потока и тем самым снижения интенсивности процесса межфазного обмена 3 .Известны также конструкции насадок для массообменных аппаратов сис" темы гаэ-жрдкость, Такие насадки в виде металлических перфорированных колец с язычками, отогнутыми вовнутрь (кольца Паля), или изогнутых перфорированных пластин (насадка "ИНТАЛОКС") по ряду параметров отвечают требованиям, предъявляемым к насадкам для аппаратов с псевдоожиженным слоем 4.Однако на пластинчатых злементах на такие насадки оседает значительное количество днсперсного материала и в слое образуется большоечисло застойных зон, в результате чего резко снижается избирательностьхимического процесса и продольныйтеплоперенос.Наиболее близкой к предлагаемойпо технической сущности...

Номер патента: 385911

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гейд, Жирова, Ковальчук, Конева, Ленинский, Мовчан, Скороход, Чвирук

МПК: C25B 1/44

Метки: активирования, амальгам, насадки, разложения

...электронный луч такой интенсивности, что соотношение скоростей испарения углерода к титану составляет не менее 1,2. Например, если испаряют карбид титана, то на каждый моль Т 1 С одновременно испа ряют 0,2 моль углерода. Если испаряют титан, то на каждый моль титана испаряют 1,2 моль углерода. Такие условия испарения с беспечивают конденсацию на подложке слоя, ,оответствующего по составу карбиду титана, 25 Время нанесения активного слоя на подложку зависит от скорости испарения указанных материалов. Важным условием, определяющим степень адгезии активного слоя на подложке, является температура подложки, 30 на которой происходит конденсация карбидаП редмет изобретения Составитель Н. Грехнева Редактор Н. Корченко Техред Л. Грачева...