Способ получения скрытого электростатичес1о4
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 328417
Авторы: Макарычев, Миколайтих
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое вт, свидетельст 42039128-12 Кл, 6 03 д 130 Заявл присоединен м заявк ет ло аслам риорите изобретений и открытий при Сонете Министров СССРДЬ, (72.93(088 8) ПУО.И 1 Д)ВД Б)оллетень Л 2 11 97 дта Опуб коваиия описаги)я 3,1 Ч.197 Авторыизобретен и А. Макарычев и В. А. Миколайтис аявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СКРЫТОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕ ИЗОБРАЖЕНИЯ В СИСТЕМЕ фОТОПОЛУПРОВОДН 1 ДИЭЛЕКТРИКЕЮ )Ч Е В ИЕОСВ.ЩЕИНЫК ве)цсииь)к мсстак, и эксения. Между фотополуиэлектричсским слоями мер дзот. При этом кажсоировожддется излучеИИЯ В ГЗОВОМ ИРОХ местак и пробоя в ос поиироваиии изобрд ироводниковым и д 5 помещают газ, напривый акт ион изации гп)ем 5 фотонов света Предмет изо орете и и я Изобретение относится к электрофотографии.Известны способы формирования скрытого электростатического изобраксния в системе фотополупроводник -- диэлектрик, основанные на пер еио" е скрытого электростатического изображения через воздушный зазор с фото- полупроводника на диэлектрик во время или после экспонирования.чувствительность этого способа формирования изображения недостаточна.Для повышения чувствительности предложено в зазор ежду фотот)олу 1 зоводникох диэлектриком вводить газ например азот, и выбирать такие условия переноса (величина газового промежутка, давление и т. д.), что. бы в зазоре возшкало световое излучение, усилива)ощее световой поток изображения,Световое излучение, сопровождающее каждый акт иотгизации в азоте, превышает светоВое излучение воздушного иромеиу)ка.Способ состоит в приложении напряжения к элсктропроводным подложкам фотополупроводникового и диэлектрического слоев, достаточного для создания предпробойного состояСиосоо иолучеии 1 скрь 1 того электростатического изобрахкеч)ия в системс 1)отОиолуп 1 зоводник - диэлектрик, состоящий в переносе за рядов через газовый промежуток с фотополупроводии;ового слоя иа диэлектрический во время экспонирования, причем слои помещены на электроп 1)оводи)е ВОД.1 Ожни, и ,Ото 1 ть)м приложено напруиение, достаточное для со здания иредпробойиого сосгояиия в газовомиро.ежутке В )сосвсщеииык участка. и пробоя в освещеииык участка., от.пчтоццт)с. тем, что, с целью повышения чувсгвительности процесса, в качестве гдзд используют 25 азот.
СмотретьЗаявка
1442039
В. А. Макарычев, В. А. Миколайтих
МПК / Метки
МПК: G03G 13/00
Метки: скрытого, электростатичес1о4
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-328417-sposob-polucheniya-skrytogo-ehlektrostatiches1o4.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения скрытого электростатичес1о4</a>
Предыдущий патент: Носитель для прямых электрофотографическик проявляющих составов
Следующий патент: Электрофотографический аппарат
Случайный патент: Светильник