Миколайтих

Номер патента: 328417

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Макарычев, Миколайтих

МПК: G03G 13/00

Метки: скрытого, электростатичес1о4

...электрофотографии.Известны способы формирования скрытого электростатического изобраксния в системе фотополупроводник -- диэлектрик, основанные на пер еио" е скрытого электростатического изображения через воздушный зазор с фото- полупроводника на диэлектрик во время или после экспонирования.чувствительность этого способа формирования изображения недостаточна.Для повышения чувствительности предложено в зазор ежду фотот)олу 1 зоводникох диэлектриком вводить газ например азот, и выбирать такие условия переноса (величина газового промежутка, давление и т. д.), что. бы в зазоре возшкало световое излучение, усилива)ощее световой поток изображения,Световое излучение, сопровождающее каждый акт иотгизации в азоте, превышает светоВое излучение...