Способ электрохимического осаждения сплава селена

Номер патента: 314818

Авторы: Пацаускас, Риселис, Яницкий

ZIP архив

Текст

Союз Советокиа Социалиотичеокик РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 28 Л.1970 ( 1416102/22-1) ПК С 23 Ь 5/3 присоединением заявк Комитет по дела Приорите зобретенин и открытпри Совете МинистраСССР убликовано 21 ЛХ.19 1.357.7:669,7657088,8) ллетень28 Дата опубликования описания 02,Х 1.1 Авторы зоб ретения. к,"ък. л; " 1,. Яницкий, Э. ацаускас и С, П, Рисе Каунасский политехнический ииститу аявител ПОС ЕКТРОХИМИЧ ЕСК СПЛАВА СЕЛЕ АЖДЕН ИЯ ие осадки 5 мк, име- % селена, щего, г/л: ласти гальванождению сплава сплава селенаселенистую кис 3,2 2,1 89 чают сплав водниковые 0,5 - 15 1 - 53 188 - 18еленистая кислота зотнокислый висмут зотная кислота Изобретение бпокрытий, в ч аселена.Известен способ осажденияиз электролита, содержащеголоту.Предложен способ электр охи мического осаждения сплава селена, по которому для получения равномерного покрытия сплавом селен в висм в электролит вводят азотнокислый висмут, азотную кислоту и процесс ведут при комнатной температуре и плотности тока 1 - 20 ма/см.Электролит содержит, г/л Для электроосаждения сплава используют электролизер с двумя полихлорвиниловыми диафрагмами, отделяющими катодное пространство от двух анодных, с платиновыми анодами и катодом из платины или медной пластинки, гальванически покрытой висмутом, Состав и компактность катодного осадка зависит от соотношения концентраций селенистой кислоты и азотнокислого висмута в электролите и от плотности тока. П р и м е р. Компактные блестящсплава селен - висмут толщиной доющие в своем составе 38 - 39 вес,получают из электролита, содержа Селенисгая кислота Азотнокислый висмут Азотная кислота при комнатнои температуре и плотнос20 ма/слРПо предложенному способу полуселен - висмут, имеющий полупросвойства. Предмет изо бретени 1. Способ электрохимического осаждениясплава селена из электролита, содержащего селенистую кислоту, отличающийся тем, что, с целью получения равномерного покрытия 0 сплавом селен - висмут, в электролит вводятазотнокислый висмут, азотную кислоту и процесс ведут при комнатной температуреплотности тока 1 - 20 ла/сл 2.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что 5 электролит содержит, г/л:Селенистая кислота 0,5 - 15 Азотнокислый висмут 1 - 53 Азотная кислота 188 в 1

Смотреть

Заявка

1416102

И. В. Яницкий, Э. И. Пацаускас, С. П. Риселис Каунасский политехнический институт

МПК / Метки

МПК: C25D 3/56

Метки: осаждения, селена, сплава, электрохимического

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-314818-sposob-ehlektrokhimicheskogo-osazhdeniya-splava-selena.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ электрохимического осаждения сплава селена</a>

Похожие патенты