Сегнетоэлектрик(mmj -ji mmju. • w-ji 5
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 6 оаа Соеетоких Социалистических РеспубликЗагисимое от авт, свидетельстваЗаявлено 02.Ч 1.1969 ( 1333793/26-9)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 06.Х.1970. Бюллетеньл. 21 с, 2/01 1 ПК С 04 Ь 35/46ДК 621,315.612(088,8 Комитет по делам обретений и открытри Совете МикистроСССР а опубликования описания 22,Х 11,197 Авторыизобретени икитина и Т. П, Свирид Заявител СЕ ГН ЕТОЭЛ ЕКТР электрической 1 Тр 1 тМщаехтмтччдиэлектрических свойств матерпроводниковых. Добавление огв количестве, меньшем 1%, не5 ния термических свойств.Оформление образцов производится методом полусухого прессования или методом горячего литья под давлением. Окончательное спекание материала проводится в атмосфере увлажненного формиргаза с точкой росы 25 - 30,при 1180 - 1200=С,Добавление окиси алюминия в количестве1 - 6%,позволяет увеличить показатель термостойкости до 850 - 1100, сегнетоэлектрические 5 свойства материала при этом не снижаются.Диэлектрическая проницаемость при 20 С 870 - 2500, удельное объемное сопротивление 10 о - 10 го ом см. и-иизменению нала до полуиси алюминия дает увеличеСегне марган тем, чт кости, на оки шихты (в вес рия, ийся той- . едеенты ниях а,3и, Гродштейи, Н. А. Манакова,Изобретение относится к области, производства радиотехнических материалов.Известны сегнетоэлектрики на основе окислов бария, марганца и двуокиси титана.Сущность изобретения состоит в том, что в указанную шихту,введена окись алюминия, а исходные компоненты шихты взяты в следующем соотношении (в вес, % ):ВаО 33 - 31 МпО 18 - 17Тг 02 48 - 46А 10 з 1 - 6Это позволяет повысить термостойкость .керамики.Исходные компоненты в виде порошков, вы,пускаемых промышленностью, взятые в следующем соотношении (в вес. %):Углекислый барий 53 Углекислый хгарганец 21Двуокись титана 26, предварительно 1 просушенные до постоянного веса, перемешиваются мокрым опособом в течение 24 час. Из высушенной до влажности 20 - 25% массы формируются кубики, и производится предварительный обжиг материала при 1100 С. Спек сухим способом размалывается до удельной поверхности 4500 - 5000 см/г, В полуфабрикат вводится окись алюминия в количестве 1 - 6% веса порошк Введение окиси алюминия в количестве, бол шем 6%приводит к снижению величниы д Предмет изобретения тоэлектрик на основе окислов ба а и двуокиси титана, отличаюгЧ, с целью повышения его термос шихту упомянутого материала вв ь алюминия, а исходные компои взяты в следующих соотноше
СмотретьЗаявка
1333793
А. Е. Гродштейн, Н. Манакова, Т. А. Никитина, Т. П. Свиридова
МПК / Метки
МПК: C04B 35/46
Метки: mmju, сегнетоэлектрик(mmj
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-283344-segnetoehlektrikmmj-ji-mmju-w-ji-5.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сегнетоэлектрик(mmj -ji mmju. • w-ji 5</a>
Предыдущий патент: Способ сборки модуля термоэмиссионного преобразователя
Следующий патент: Устройство для снятия изоляции с проводовобжигом
Случайный патент: Способ определения погрешности измерения диаграммы направленности антенны