Керамический материал для изготовления пьезоэлектрических элементовтехнпчес1

Номер патента: 958395

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Веневцев, Клейне, Косяченко, Миронова, Фрейденфельд

МПК: C04B 35/01, C04B 35/499

Метки: диэлектрический, керамический, материал, нелинейный

...10 вм, в качестве связки используют 5-ный водный растворполивинилового спирта. Спекают образцы при 1180-1190 аС в те= ченив .одного часа. П р и м,е р 1, 99,5 мас,Ф херамики следующего состава: ВаО 57,58; ТАВОТ 29 ю 85, РЬО 8,97; МдО 0,84) , ЫЬО 2,76. 0,5 мас.Ъ стекла следующего состава: РЬО 53,92; ВаО 5,66; Т 10% 5,43; Ю 10 4 ф 13; 8101 Э 0,86.Полученный нелинейный керамический диэлектрический материал. имеет следующие свойства;Б,. г/см 3 5,6520 С при 10 Гц 4300са с 20 с при 10 аГц 9 10"3 З 520 ОС при 1,5 ИГц 2500Сд О 20 ОС при 1,5 МГц 4.10,"3Т Кюри,фС 85и, В см/кв 3,80Е, кв/мм10 ЮТ С 1190П р и м е р 2. 99,0 мас.Ъ керамики следующего состава: ВаО 58,52; Т 10 ч 28,50; РЬО 9,27; 14 дО 0,79; ХЬ 105 2,92. 1,0 мас.% стекла следу- Я 5...

Номер патента: 717010

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Балашова, Колчин, Михайлова, Сазонова

МПК: C04B 35/468

Метки: диэлектрический, керамический, материал

...свойств материала.,3 щелочно-земельного металлаа 2 и 3 - М 9 Рг. ктернстикн этих составов. качестве фторид Варяг, а для сост табл. 2 даны ха для состава в Это достигается тем, что материал, содер.дашин ВаО, ТОг, 8 пОг, СаО ЕгОг, 81 гОз Мпгбз 810 г, 8 п 1 гОз дополнительно содержит бентонит и фторйд щелочноэемельного метал - ла "при следующем соотношении компонейтов,вес,%:ВаО 56,8 - 58,0Т Ог 29,6-29,98 пОг 6,4-7,4СаО2,8-3,1ггсг0,6-1,3Вгг Оз 0,3-0,8МпгОз 0 2 - О 38 Ог 03 - 088 пгг Оз 0,1-0,2Бе нтонит 0,8-1,2Фторид щелоч.ноземельногометалла 0,3 - 0,5Предлагаемый материал е при температуре+25 С от 3150 до 4800, тцЬ в ,не более 0,01,удельное объемное сопротивление 10 г ом.см,температура спекания материала 1260 в 13 С. Материал...

Номер патента: 1527219

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Аболтиня, Виноградова, Сенькова, Фрейденфельд

МПК: C04B 35/497

Метки: диэлектрический, керамический, материал

...и снижения тангенса угла диэлектрическихпотерь керамический диэлектрический материал содержит в качестве добавки ЧО при следующем соотношении компонентов, мас.%: РЪО 56,5- 59,6; 11 ЪО 33,7-35,5; В 320 3,3-6,5 ц 10 1,6-3,3, Материал получен по обычной керамической технологии, темопература спекания 980-990 С, Материал имеет следующие характеристики: ЕЕо 250-290 э 1 Ов 03 О)05; ТКЕ,(700- 800) 1 О градв температурном интервале 20-300 С. 2 табл. не в среде спирта, врем После высушивация при 2 риал подвергают синтезу туре 700 и при 850 С в Затем измельчают до про рез сито 10000 отв,/см прессуют диски диаметро щиной 2 мм, В качестве зуют 3%-ный водный р ливинилового спирта. проводят при 980-990 С 1 ч, На сошлифованные электроды методом...

Номер патента: 789459

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Желнинская, Клейне, Сергеева, Фрейденфельд, Фреймане

МПК: C04B 35/491

Метки: диэлектрический, керамический, материал

...стекло. Смешивание и по.мол материалов производят в течение4- 6 ч. После сушки из материала прессуют образцы в виде дисков диаметром10 или,13 мм, в качестве связки используют 5-ный водный раствор поливинилового спирта. Спекание образцовпроводят в течение 1 ч при 950-1130 ОС ов зависимости от концентрации введенного стекла. После шлифования на образцы вакуумным напылением наносяталюминиевые электроды и проводят соответствующие измерения электрофизичеАих свойств конденсаторной керамики.П р и м е р 1. Состав керамики,масс В: РЬО 56 О; 5 гО 2 О; 2 гО 17,0 фТ 100 8,5; В 0 1,0; ЧО 0,5; стекло15,0. Стекло содержит, масс.Ъ: РЬО 4050 р В 10 Ь 5; 5 гО 5; В 020; 510 20,Материал изготавливается по описаннойтехнологической схеме,Полученная...

Номер патента: 1102786

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Будилов, Зыкова, Никифоров, Урбанович, Шувалов

МПК: C04B 35/495

Метки: диэлектрический, керамический, материал, нелинейный

...сложному оксиду 45РЬ 2 В 1 НЬО 6 .Полученную смесь тщательно пере"мешнвают, проводят первый обжиг при1100 С с выдержкой 1 ч. Затем порошок прессуют и второй обжиг проводят 50при 1300 С с выдержкой 1 ч. Приэтих операциях атомы РЬ и В 1 входятв кристаллическую решетку основьг,б 2имеющей структуру типа пирохлора. Значительное снижение 1 о можно объяснить тем, что при замещении атомов Сд и ЯЪ атомами РЬ и В 1 происходят весьма сильное понижение температуры Кюри (Т), так что уже при введении 7 мол.7 примеси она01 понижается более, чем на 100 . Таким образом, осуществляется переход из сегнетоэлектрического состояния в параэлектрическое, при этом значительно снижается 1 ц 5 . Комбинация1, 1окислов 2 РЬО + -В 103+ ИЬ 05 выбрана в связи с тем,...