Способ генерирования коротких ультразвуковых импульсов

Номер патента: 1243119

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Дмитриев, Тырсин

МПК: H03K 5/19

Метки: импульсов, последовательности, преобразования, прямоугольных

...последовательности О задерживают на одинтаКт н принимают 2-й импульс последовательности И., На третьем тактепреобразования 1-й импульс последо12431 По предложенному способу в каждом такте преобразования используют три импульса, однако можно использовать в каждом такте преобразования и любое другое (большее чем три) нечетное число импульсов, При увеличении числа импульсов эффективность преобразования возрастает, но в то жевремя очень сильно усложняется техническая реализация предлагаемого способа.Устройство, реализующее способ преобразования, .работает следующим образом,На вход распределителя 1 импульсов (фиг,2) из тактового генератора импульсов подаются тактовые импуль 50 55 вательности О, задерживают еще на один такт, 2-й импульс...

Номер патента: 1622931

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Дмитриев, Тырсин

МПК: H03K 5/153, H03K 5/156

Метки: импульсов, последовательностей, преобразования, прямоугольных

...что и поступление преобразуемой (входной) последовательности импульсов п-го разряда, Распогд.,литель 2 импульсов и три О-триггеиа 3 - 5 осуществляют задержку импульсов и выда от их уровни через три двухвходовых коммутатора 9 - 11 и три О-триггера 6 - 8 на входы мажоритарного элемента 13, который формируег в колОм такте новый импульс выходной последовательности и-го разряда с уровнем, равным уровням двух из трех поступивших н:. его входы импульсов, Таким образо;, пр.1 исходит работа устройства, включенно ., в тракт и-го разряда, когда все три преобраэ,емых на том же такте импульса в ближайшем старшем разряде имеют Одинаковый уровень. что происходит в статическом режиме при отсутствии помех.В динамическом режиме уровни трех преобразуемых...

Номер патента: 1723660

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Дмитриев, Семенычев, Тырсин

МПК: H03K 5/153, H03K 5/156

Метки: импульсов, последовательностей, преобразования, прямоугольных

...входными шинами переноса преобразователя 1(К)-го разряда. На три входные шины управления бч+11, м+1, 1 м+, три входные шины переноса ам+, Ьм+ъ см+ и входную шину суммарного переноса ум+1 преобразователя 1 самого старшего М-го разряда подаются сигналы нулевого уровня.Работает преобразователь 1, включенный в тракт любого К-го разряда, следующим образом.На вход распределителя 2 импульсов с шины Т тактовых импульсов подаются тактовые импульсы (фиг. За) с той же частотой, что и импульсы М-го разряда с информационной шины входной последовательности (фиг. Зб). На первом-четвертом выходах распределителя 2 импульсов формируются последовательности импульсов, приведенные соответственно на фиг, Зв, г, д и е. О-триггеры 3-5 осуществляют задержку...

Номер патента: 199290

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Дзергач, Уваров

МПК: H05H 7/00

Метки: бетатронных, колебаний, распределения, ускоряемых, частиц, частотам

...возбуждают им пульсом, длительностью менее периода обращения. Возбукдающее поле создается на длине волны, много меньшей длины волны бета- тронных колебаний. Затухающие когерентные бетатронные колебания измеряют с помощью 1 датчиков, регистрирующих поперечное отклонение центра тяжести пучка. Один датчик (например, пикан-электрод) располагают возможно ближе к возбуждающему устройству, а второй - по азимуту на расстоянии, при мерно равном четверти волны бетатронных колебаний от первого датчика. Количество датчиков может быть от 2 до 6. Сигналы, получаемые с датчиков, регистрируются в виде осциллограмм в течение всего времени одно кратного возбуждения затухающих когерснтных колебаний. Получаемые кривые - преобразование Фурье от искомой...

Номер патента: 652698

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Асиновский, Василяк, Кириллин, Марковец

МПК: H03K 5/00

Метки: высоковольтных, импульсов, субнаносекундных, формирования

...подаваемого наносекундного импульса в пределах 0,1-;10.40После чего с разрядного промежутка 1 снимают высоковольтный субнаносекундный импульс 6.В описанном устройстве формирование высоковольтных субнаносекундныхимпульсов основано на том, что в укаэанных условиях происходит новая формаразвития разряда, заключающаяся ввозникновений и распространении электрической волны ионизации через плазмус данной степенью иониэации, КогдаФронт волны достигает второго электрода, на нем генерируется субнаносекундный высоковольтный импульс.Возникновение волны ионизациизависит от начальных условий ипроисходит в том случае, когда отношение периода ленгмюровских колебаний к длительности фронта наносекундного импульса поддерживаютВ пределах 0,1 т 10. Когда...