Василяк
Способ формирования высоковольтных субнаносекундных импульсов
Номер патента: 1101156
Опубликовано: 07.03.1985
Авторы: Асиновский, Василяк, Лагарьков, Марковец, Руткевич, Ульянов, Филюгин
МПК: H03K 5/00
Метки: высоковольтных, импульсов, субнаносекундных, формирования
...окончания предварительногоимпульса напряжения за время существования остаточной ионизации,Такое выполнение способа позволяет увеличить коэффициент передачи засчет увеличения амплитуды формируемыхимпульсов. Увеличение Формируемыхимпульсов происходит из-за того, чтов предлагаемом способе облегчаютсяусловия возникновения и движения через газоразрядный промежуток волныионизации, которая Формирует на выходном электроде выходные субнаносекундные импульсы. При наложениина газоразрядный промежуток продольного магнитного поля затрудняетсядвижение электронов в радиальном направлении, и, следовательно, уменьшаются потери заряженных частиц настенках газоразрядного устройства,а объемный заряд в плазме возрастает.Поэтому облегчаются условия для...
Делитель напряжения
Номер патента: 1058013
Опубликовано: 30.11.1983
Авторы: Асиновский, Василяк, Марковец, Самойлов
МПК: H01P 1/22
Метки: делитель
...поверхности цилиндра. Поскольку граничная частота. делителя обратно пропорциональна времени диффузии магнитного поля с такой же частотой к наружной поверхности делителя то с ускорением диффузии поля рабочая полоса частот делителя растет. Минимальный характерный размер отверстий равен толщине фольги так как при меньших размерах магнитное поле слабо проникает через отверстие. Максимальный размер отверстий равен половине длины волны типа ТМ, поскольку для таких типов волн указанный делитель уже не работает. Расстояния между отверстиями должны быть такими, чтобы магнитные поля от разных отверстий перекрывались друг .с другом, а поскольку магнитное поле за отверстием убывает на расстояниях, сопоставимых с характерными размерами отверстия,...
Емкостной делитель напряжения
Номер патента: 1038887
Опубликовано: 30.08.1983
Авторы: Абрамов, Асиновский, Василяк, Марковец, Самойлов
МПК: G01R 27/00
...и амплитудой сотни киловольт 21,Недостатками известного устройства являются сложность регулировкив широких пределах коэффициентаделения изготовленного делителя,так как расстояние от металлической фольги до проводников коаксиальной линии остается неизменным, а независимое изменение емкостей С 1 или С допустимо на 10-20% и, кроме того, сложно установить новый делитель в передающую коаксиальную линию, так как для передачи без искажений импульса длительностью 1 необходимо выполнять неравенствоБС 1 цl где- волновое сопротивление йзмерительного кабелядля чего емкость С должна быть достаточно велика (типичные=50 или 75 Ом, поэтому при 1 =50 нс необходимо С 10 Ф)и, следовательно, геометрические размеры фольги делителя будут...
Способ объемного возбуждения газа
Номер патента: 654998
Опубликовано: 30.03.1979
Авторы: Асиновский, Василяк, Кириллин, Марковец
МПК: H01S 3/09
Метки: возбуждения, газа, объемного
...электродами. Это затрудняет формирование волны ионизации и, следовательно, ухудшает однородность и увеличивает время объемного возбуждения газа.Таким образом, оптимальные условия возникновения электрической волны ионизации, следовательно, объемного возбуждения газа лежат в пределах отношения и/ар -- 0,1 - 10.Описываемый способ может быть реализован в устройстве, схема которого представлена на чертеже.Устройство содержит камеру 1, выполненную из диэлектрического материала (стекла) и имеющую форму цилиндра (диаметр 2 см, длина 15 см). Внутри камеры 1 расположен разрядный промежуток 2, ограничиваемый электродами 3. Устройство 4 предназначено для заполнения камеры 1 и разрядного промежутка 2 газом. Устройство 5 предназначено для...
Способ формирования высоковольтных субнаносекундных импульсов
Номер патента: 652698
Опубликовано: 15.03.1979
Авторы: Асиновский, Василяк, Кириллин, Марковец
МПК: H03K 5/00
Метки: высоковольтных, импульсов, субнаносекундных, формирования
...подаваемого наносекундного импульса в пределах 0,1-;10.40После чего с разрядного промежутка 1 снимают высоковольтный субнаносекундный импульс 6.В описанном устройстве формирование высоковольтных субнаносекундныхимпульсов основано на том, что в укаэанных условиях происходит новая формаразвития разряда, заключающаяся ввозникновений и распространении электрической волны ионизации через плазмус данной степенью иониэации, КогдаФронт волны достигает второго электрода, на нем генерируется субнаносекундный высоковольтный импульс.Возникновение волны ионизациизависит от начальных условий ипроисходит в том случае, когда отношение периода ленгмюровских колебаний к длительности фронта наносекундного импульса поддерживаютВ пределах 0,1 т 10. Когда...