Патенты с меткой «субнаносекундных»

Номер патента: 652698

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Асиновский, Василяк, Кириллин, Марковец

МПК: H03K 5/00

Метки: высоковольтных, импульсов, субнаносекундных, формирования

...подаваемого наносекундного импульса в пределах 0,1-;10.40После чего с разрядного промежутка 1 снимают высоковольтный субнаносекундный импульс 6.В описанном устройстве формирование высоковольтных субнаносекундныхимпульсов основано на том, что в укаэанных условиях происходит новая формаразвития разряда, заключающаяся ввозникновений и распространении электрической волны ионизации через плазмус данной степенью иониэации, КогдаФронт волны достигает второго электрода, на нем генерируется субнаносекундный высоковольтный импульс.Возникновение волны ионизациизависит от начальных условий ипроисходит в том случае, когда отношение периода ленгмюровских колебаний к длительности фронта наносекундного импульса поддерживаютВ пределах 0,1 т 10. Когда...

Номер патента: 1101156

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Асиновский, Василяк, Лагарьков, Марковец, Руткевич, Ульянов, Филюгин

МПК: H03K 5/00

Метки: высоковольтных, импульсов, субнаносекундных, формирования

...окончания предварительногоимпульса напряжения за время существования остаточной ионизации,Такое выполнение способа позволяет увеличить коэффициент передачи засчет увеличения амплитуды формируемыхимпульсов. Увеличение Формируемыхимпульсов происходит из-за того, чтов предлагаемом способе облегчаютсяусловия возникновения и движения через газоразрядный промежуток волныионизации, которая Формирует на выходном электроде выходные субнаносекундные импульсы. При наложениина газоразрядный промежуток продольного магнитного поля затрудняетсядвижение электронов в радиальном направлении, и, следовательно, уменьшаются потери заряженных частиц настенках газоразрядного устройства,а объемный заряд в плазме возрастает.Поэтому облегчаются условия для...