ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБР ЕТЕ НИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства Кл, 21 д, 3121 ат, 74 7,/26 966 ( аявлено 14 1 присоединением заявки МП 1 Н 031 т Н 016 УДК 621.318риоритет Комитет по делам изобретений и открытийтта опубликования описания 21.1 .1967 ОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ТЕКСТУРОВАННЫЕ ГЕКСАФЕРРЙТЫ БАРИЯ И СТРОНЦИЯеские ферриторритов бария и ельно большой ного резонанса остью парамет хромиполнкрт ты барт(6 - Х) РезОз ЯгО ХСгОгде Х=0,5; 1,0; 1,2.В диапазоне миллихзотропин указанныхет 19,6 - 26,4 кэ, а тнитного резонанса н шить ширин зонанса и улуча метров ферриаллнческнх тек бария и стронетровых гексафе пирина к е превыш волн поле аниритов составляивой ферромагзет 1,0 - 2,2 кэ,ция.Это достигается тем, что окись железа замещена на окись хрома в количестве 0,5 - 1,2.Исходным материалом для изготовления Ыгексаферритов бария и стронция, содержащихокись хрома, является окись железа РегОз,углекислый барий ВаСО, углекислый стронций ЯгСОз и окись хрома СгеОз,После реакционного обжига и высокотемпературного спекания в среде кислорода получают текстурованные магнитноодноосные дмет нзобретени Поликриссаферритытем, что, свой ферромвоспроизводвтатернала,указанныххрома н кол 1Известные поликристаллич вые материалы типа гексафе стронция обладают сравнит шириной кривой ферромагнит и небольшой воспроизводим ров.Цель изобретения - умень кривой ферромагнитного ре шить воспроизводимость пар тового материала в поликрист стурованных гексаферритах аллические гексаферритьи стронция типа:ВаО 1,0 СгеОз 5,0 ГезОз таллнческие текстурованные гекбария и стронция, отличающиеся целью уменьшения ширины криагнитного резонанса и улучшения имости параметров феррптового окись железа, входящая в состав гексаферрцтов, замещена окисью нчестве 0.5 1,2 лоло.

Смотреть

Заявка

1057087

МПК / Метки

МПК: H01F 1/10

Метки: 192973

Опубликовано: 01.01.1967

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-192973-192973.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">192973</a>

Похожие патенты