Способ измерения влажности

Номер патента: 477317

Опубликовано: 15.07.1975

Автор: Жаравин

МПК: G01K 17/06

Метки: вакуумного, напыления, пленок, поверхности, подложки, процессе, температуры, тонких

...измерения по предлагаемому способу один конец подложки нагревают до температуры испарения напыляемого вещества, а другой ее конец - до температуры в два раза меньшей, затем производят три последовательных напыления с заданной плотностью парообразного теплового носителя с определением после каждого напыления положения границы пленки и чистой поверхности подложки.Измерение температуры подложки производят следующим образом.На исследуемую подложку напыляют в виде тонкой пленки парообразный теплоноситель, зависимость скорости С осаждения атомов которого от температуры поверхностного слоя подложки имеет вид ется конденсация атомов тепло- поверхности подложки вследстя напыляемого вещества. Поревания одного из концов подпературы Тр, а другого...

Номер патента: 324592

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гершинский, Косцов

МПК: H01L 21/66

Метки: 1хкичкнаяьчблиотсна, диффузии, коэффициентов, пленки•сесаоэнаяпатсйткзгт, примесей, тонкие

...1 О величины тока во времени прн анодном растворении образцов; на фиг. 2 графически сравниваются количества электричества, необходимые для анодного растворения верхней пленки тонкопленочной структуры металл металл до и после диффузионного отжита.Зависимость анодного тока 1 при растзорении толстой (1000 А) пленки А 1 показана кривой 1, при растворении тонкои (око 2 о ло 250 А) пленки А 1 - кривой 2,при растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 перед диффузионным отжигом - кривой 3, причем изменение скорости окисления в точке А соответствует переходу от окисления пленки А 1 25 к окисленшо пленки Т 1. Кривая 4 соответствует зависимости 1(1) прп растворении тонкопленочной системы А 1 - Т 1 после взапхгной диффузии.Площадь АВСО (фиг. 2)...

Номер патента: 205312

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Кацнельсон, Фурман

МПК: G01B 11/06, G02B 27/60

Метки: пленок, процессе, толщин, тонких

...образцом на пути напыляемого вещества устанавливают диафрагму 5, расположенную таким образом, что она экранирует часть образца, вследствие чего 30 пленка б образует на подложке ступеньку, вЫ- сота которой точно равна толщине пленки.Для измерения высоты ступеньки на эталонный образец проектируют объективом 7 изображение 8 растра 9, подсвечиваемого источником 10 с помощью конденсора 11. Оптическая ось проектирующсй системы расположена под углом 45" и больше к подложке. Поэтому, ч 1 обы изображение имело вид растра с постоянным шагом, необходимо растр устанавливать под углом к оптической оси, при этом шаг его должен меняться.После отражения от образца изображение растра проектируется объективом 12 в плос. кость, где установлен такой...

Номер патента: 238169

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Дарвин, Каплан

МПК: G01B 7/06

Метки: пленок, процессе, толщины, тонких

...кой, от.гггчаюитий щения процесса приращение напр вого резонатора,щины тонких пленок ния, заключающийся нал на выгходе кваркасающегося с пленчто, с целью упроения, регистрируютна выходе кварцеия тол готовле ют сип , сопрг ся тем,измер яжения ависимое от авт. свгидетельстваИзвестны спосооы измерения толщины пленки, нанесенной на, кварцевый резонатор с помощью двух кварцевых генераторови о толщине пленки судят по приращению частоты на выходе кварцевого резонатора.Предложенный способ измерения отличается от известных тем, что, с целью упрощения процесса измерения, для определения толщины плевки регистрируют приращение напряжения на выходе кварцевого резонатора.На чертеке изобраркена блок-схема устройства для измерения толщины,...

Номер патента: 246085

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кацнельсон, Фурман

МПК: G01B 11/02, G01B 11/06

Метки: вакууме, напыления, пленок, процессе, толщины, тонких

...на контролируемую пленку от источника света направляют световой поток, определяют величину интенсивности прошедшего через контролируемую пленку светового потока, по которой судят о толщине пленки. Однако эти способы имеют недостаточную точность контроля, когда оптические толщины слоев покрытия не кратны четверти одной и той же длины волны,Предлагаемый способ отличается от известных тем, что величину интенсивности прошедшего через контролируемую пленку светового потока в зависимости от длины волны определяют спектральным прибором в диапазоне длин волн, перекрывающем не менее половины октавы.Это позволяет повысить точность контроля толщины пленок.Описываемый способ заключается в с щем.Контроль толщины пленки в процессе напыления слоев...