Способ получения сультонов р-оксиполифторалкансульфокислот

Номер патента: 874609

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Горштейн, Посецельский

МПК: C01B 17/76

Метки: абсорбции, ангидрида, серного

...аблица 1 1 .1 1600 2000 3000 3100 15 50 7 2,5 1,8 0,7 0,6 0,6 98,7 98,9 99,2 99,х, Таблица 2 В) мм 30 50 70 100 150 160 1.)3350 3120 3000 2170 1600 1480 65 99,60 99)55 99,4 97 к 85 99 г 05 99 г х,55 Источники информации принятые во внимание при экспертизе патрубки, в результате чего струя жидкости сдеформируется в дискообразную жидкостную пленку толщиной в 2-5 мм. Скорости истечения жидкости и газа подбираются такими, чтобы число РейнольдсаКВ)по жидкости изменялось от. 1600 до 3000.Устройство для абсорбции серного ангидрида представляет собой абсорбер пленочного типа, в котором жидкость (серная кислота) стекает тонкой пленкой по насадкеб, а противотоком ей движется серный ангидрид, поглощаемый этой пленкой. Готовый продукт 100 Н 204...

Номер патента: 17527

Опубликовано: 31.10.1930

Автор: Юферов

МПК: C01B 17/88

Метки: ангидрида, кислотой, поглощения, серного, серной

...при данном напряжейии исключалась бы возможность. проскакивания искр, уменьшающих полезное действие электрического тока. При таком взаимном расположении электродов выходящий в виде тумана из контактного аппарата серный ангидрид при разряде принижается к поверхности поглощающей его кислоты и тем самым ускоряется процесс его растворения в кислоте,Газ из контактных аппаратов входит в воронкообразный колпак В с электродом Л, имеющим на конце острие и хорошо изолированным от стенок колпака В. Из колпака В газ, освобожденный полностью или частично от ангидрида серной кислоты, проходит над поглощающей серной кислотой С в сосуде А через щель между краями колпака В и кислотой к выходной трубе Р. Поглощающая кислота С в сосуде А соединена с...

Номер патента: 132625

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Фиалко

МПК: C01B 17/76, G05D 23/13

Метки: ангидрид, газа, контактирования, превращения, процента, сернистого, серный, степени

...2; комплекта электрического газоана. лизатора на сернистый газ, состоящий из датчика 3 и вторичного прибора 4; электронного моста 5 переменного тока. Индексами СС Сз, С 4 на чертеже обозначены слои контактной массы,Степень превращения может быть измерена автоматически путем деления величины суммарного перепада температур на слоях контактной массы на величину концентрации сернистого газа на входе в аппарат,Суммарный перепад температур по слоям контактного аппарата измеряется электронным потенциометром 1, а концентрация газа на входе в аппарат электрическим газоанализатором. Реостатные датчики РЯ вторичных приборов являются плечами входной мостовой схемы электронного равновесного моста Б Плечо 11 з моста является постоянным...

Номер патента: 512610

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Боресков, Гребенникова, Иванов, Левицкий, Никитина, Полякова, Сержантова

МПК: B01J 21/08

Метки: ангидрид, двуокиси, катализатор, окисления, серный, серы

Катализатор для окисления двуокиси серы в серный ангидрид, содержащий 3 - 10% V2O5 и 2 - 20% К2О на носителе, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости, он содержит в качестве носителя -кристобалит или смесь аморфного силикагеля с -кристобалитом.

Номер патента: 634778

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Безруков, Денисов, Слезкинская

МПК: B01J 23/14

Метки: ангидрид, двуокиси, катализатор, окисления, серный, серы

...1 10 ат в течение 3 ч. ЛЕНИЯ ДВУОКИСИ СЕРНГИДРИД Для п 900 г акт в пропито 11 оследни Сг (1 Оз) з дистиллир точного р пропитки носитель затем нроСодерж тализатор шение акт =9:1. П при 475"С об ьсмной степени и зиготовленн 5 1 кг каталзатора 1 вированного носителя погружают чный раствор, нагретый до 80 С.готовят растворением 474 г 9 НзО и 23,3 г ЬпС 14 5 НзО в 100 г ованной воды, 11 лотность проп 11- аствора равна Й 1,16 г/сз 3. Время составляет 30 мин. Пропитанный сушат в течение 5 ч ири 150 С и каливают при 550 С в течение 5 ч. ание активных компонентов в кае составляет 10 вес. %, соотноивных компонентов Сгз 03: ЬпО олученный катализатор позволяет , концентрации в газе 0,3 об, %,скорости газа 4000 ч достигать рсвращения О в 503...