Способ определения степени превращения (процента контактирования) сернистого газа в серный ангидрид

Номер патента: 128201

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Грановский, Савоськин

МПК: G01J 4/00, G01N 21/21

Метки: концентрации, плазме, свободных, электронов

...разрешающую способность способа.Одна из ВОзмОжных схемизмерений представлена на чеотеже. Луч от источника инфракрасного излучения, включающего в себя канденсорну 1 о оптическую систему 1, проходит через модулятор 2, монохроматор 3 и поляризационное приспособление 4, после чего пропускается сквозь исследуемую плазму б в направлении, параллельном направле - нию действующего в ней магнитного поля.По выходе из плазмы пучок проходит сквозь анализирующее поляризационное приспособление 6 и регистрируется селективным приемным устройством 7, настроенным на частоту модуляции пучка.Из-за поворота плоскости поляризации пучка в плазме при наличии магнитного поля меняется энергия излучения достигающего приемника.Измерение концентрации...

Номер патента: 55163

Опубликовано: 01.01.1939

Автор: Мухачев

МПК: G01N 9/36

Метки: газов, контактирования, прибор, степени

...БО,.Ь =1+0,013 Ю. (2) Подставляем в (7) значение ЯОиз (2):гАналогично 50,= х (9) 1 ОО --2 Подставляем в уравнение (3) значения 50," и ЯО,." из (8) и (9): ь"=.о,оз " ( . - х)+х, 0,0132После контактирования газ содержит и 80 и ЯОо и его удельный вес, согласно уравнению (1), зависит от содержания обоих этих компонентов.= 1+0013 ЯО,"+00176 БО" . (3) Из формулы реакции окисления 50,видно, что реакция идет с уменьше-нием объема,250., + О,.= 250, (4) Уменьшение объема равно половине объема образовавшегося 50 Если контактируется 100 объемовгаза, то после контактирования полу-, чается: 2 объемов газа. С другой стороны, изуравнения (4) следует, что80 ф+ЯОз =сопз 1= ЯО . (5) ЯО,=, БО. 100 --2(б) Подставляем в (б) значение 50из (5):100 ( О , )...

Номер патента: 41507

Опубликовано: 28.02.1935

Авторы: Голянд, Шнеерсон

МПК: C22B 30/04, C22B 5/16

Метки: ангидрида, выделения, газов, мышьякового, обжиге, получающихся, руд, сернистых

...возможность использовать ник 8, где осаждается богатый мышьягаз. уже очищенный от мышьяка, для 1 ком шлам. Газы, вышедшие из э;ектрс. контактного производства серной кисло-фильтра 3, проходят через холодильты, устраняя необходимость многократ-ник 4 с кислотоупорной насадкой в ного обжига, упрощает процесс и уве. ( электрофильтр 5. Этот электрофильтр личивает извлечение мьппьяка из газа.и холодильник орошаются водой. ВСуть нового способа заключается в 1 последнем происходит охлаждение газа бпдо температуры в 30, осушка его и удаление следов мышьяка. Этот газ может прямо поступать в контактный завод.Вода, перешедшая в виде паров из первого холодильника во второй и там сконденсировавшаяся, предвар- тельно использованная для обработки...

Номер патента: 434811

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Седельников, Тучин

МПК: G01N 21/46

Метки: газовых, концентрации, лазеров, плазме, электронов

...ниЯ ДеВ 11 аЦии частоты МОжнО р 1 апримеР р воспользоваться гетеродинным методом, подкл 1 очив на выходе частотного детектора анализатор гармоник, настроенный на частоту глодуляции 01 р: 10Для газовцх ЛазеРОВ ВОЛИЧИна час- ТОТНОЙ МОДУЛЯЦИИ ПРИ ГЛОДУЛЯ 11 ИИ ВЕ 11 И- чины тока разряда зависит не только От модуляции показателя преломления плазмы электронов, но также от модуляции показателя преломления, обус- лОВленногО Дисперсией РабочегО перехода лазера и Дисперсией близких сильно поглощающих переходов, Сильно поглощающие переходы образуются метастабильными уровнями рабочих газов. ВРВМЯ гжизни на этих УООВИЯх велико, следовательно, значитель 11 а и концентрация частиц, поэтому сдвиг частоты излучения лазера, вносимый этим пере 25...

Номер патента: 1618224

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: газа, двумерного, концентрации, электронного

Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки Vотс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости...