174835

Номер патента: 1354224

Опубликовано: 23.11.1987

Автор: Баронский

МПК: G06K 11/00

Метки: запоминающей, информации, матричной, мишени, считывания, трубки, электронно-лучевой

...в устройствах,использующих запоминающие электронно 5лучевые трубки.Цель изобретения - повышение разрешающей способности при считыванииинформации.Предлагаемый способ предназначен 1 пдля использования в запоминающихэлектронно-лучевых трубках (ЗЭЛТ),имеющих матричную мишень, элементпамяти которой состоит из последовательно соединенного элемента с односторонней проводимостью (диода) инеполярного полупроводникового переключателя, т.е, является биполярнымэлементом памяти. Мишень ЗЭЛТ состоитиз отдельных изолированных слоев, 20выводы горизонтальных и вертикальных шин расположены в различных слоях.В применяемой ЗЭЛТ используют несколько электронных прожекторов,Слой мишени, выполненный изматериала с высоким коэффициентом вторичной...

Номер патента: 746728

Опубликовано: 05.07.1980

Автор: Фет

МПК: G11C 15/00

Метки: блоков, запоминающий, матричных, модуль, памяти

...28, а выход элемента И 15 - со вторым входом элемента ИЛИ 21, выход которого подключен к выходу 29. Первый вход элемента ИЛИ 21 соединен с выходом элемента И 16, входы которого соединены соответственно со входом 25 и через элемент НЕ 11 - с шиной настройки 10. Выход элемента И 14 соединен со вторыми входами элементов ИЛИ 17 и 18. Первый вход элемента ИЛИ 17 соединен с выходом элемента И 12, входы которого подключены соответственно ко входу 22 и к шине запрета 8. Первый вход элемента ИЛИ 18 соединен с входом 23, а выход - с выходом 27. Выход элемента ИЛИ 17 подключен к выходу 26, Первые входы элемента памяти 1 подключены к шине записи 7, вторые - к выходу элемента ИЛИ 21, третьи - к шине запрета 8, а четвертые - соответственно к шине...

Номер патента: 765877

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Кудрина, Некрасов, Полищук

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, программируемого, устройства

...ПЗУ.В исходной пластине кремния марки КЭФ-О,З, при помощи известного и широко применяемого в промышленйости метода, по заданной топологии форми- руются монокристаллические шины 1 . п-кремния с окисной изоляцией. Затем кремний окисляется способом термического окисления до образования пленки окисла 2 толщиной 1 мкм. Режимо оокисления: Т.=.1150 , 1 =10 о сух +140 вл1 ф г ог + 10 о сх. После этого проводится Формирование высоколегированных контактных областей 3 при помощи процессов фотолитографии и диффузии фосФора. Фотолитография:фоторезист - РН, метод нанесения фотореэиста центрифугирование (1500 об/мин, 30 с), сушка фоторезиста - при комнатной 40 температуре 20 мин, при Т=95 С - 20 мин, экспонирование - лампа ПРК, время - 1 мин,...

Номер патента: 1607621

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

...затворагс эятеогеетяюдтех ТГ)аеезесторов,Области 15 - Обкееадесаге есоетдееесаторов, другими обкладками - слой 12 обгяс.)1 10 упоявляюдеими затвораме зя)Оминяющих тряеезистот)ОВ и затворми1ядг)есных сеЕЕН-трате зест 01 оввкееюченных .пос гедовя ельно с зепоеееяюпдме трянзисторами, слои 12, с которыми соединены области 14, являются стоками запомнтаюдеих транзисторов, слой12, размещенные между областями 10,являются истоками адресных ИДП-транзисторов и обстей шиной матричногонакопителя.1)абота матричного накопителя заключается в следующем. В режиме считывания информации на выбранную адресную поликрсэгниевую шину 10 подают низкое положительное напряжение+5 В, ца остапыьте адресные поликремниевые шины 10 и общую диффузионнуюшину 12...

Номер патента: 1628735

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко, Штыров

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

...на управляющие затворы и стоки выбранных запоминающихтранзисторов (нцзкое " на истоки адресных ИДП-транзисторов) через нихпротекают токи, инжектируя "горячие"электроны в запоминающих транзисторах, которые захватьеваются поликремниевыми электродами, увеличивая величину порогового напряжения запоминающих транзисторов до величины б9 В и более.Состояния остальных запоминающихтранзисторов сохраняются неизменными из-эа нулевого напряжения или наадресных поликреиниевых шинах 10 илиразрядных металлических шинах 14,В режиме считывания информации навыбранные ц цевыбраццые запоминающие транзисторы подается положительное импульсное напряжение аналогично, как при программировании, но малой величины и длительности (+5 В,300 нс),Если напряжение ца...