Способ дезагрегации сухих тонкодисперсныхматериалов

Номер патента: 1283503

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Алексеев, Рубин, Святец

МПК: B07B 4/08, F26B 17/04, F26B 17/10

Метки: аппарат, кипящего, разделения, слоя, сыпучих

...имеет разгрузочные окна25 . 7 и желоб 8 для выгрузки мелкой Фракции, желоб 9 для выгрузки крупной Фракции, загрузочный бункер 10, воздуховод 11 для подачи воздуха на псевдоожижение, газоход 12 для отвода отработанного воздуха. Под решеткой размещен воздухоподводящий короб 13. Аппарат работает следующим образом. 35Исходный материал по загрузочному бункеру 10 поступает на газораспределительную решетку 2, через которую продувается воздух, в результате чего материал, находящийся на решетке ф 2, переводится в псевдоожиженное состояние.Поток материала, движущийся по решетке 2 в направлении выгрузки крупного продукта, встречая на своем пу- ф 5 ти рассекатели 4, увеличивает свое время пребывания в зонах, обусловленных рассекателями 4, что...

Номер патента: 94340

Опубликовано: 01.01.1952

Автор: Дирлугян

МПК: C09H 7/00, G03C 1/66

Метки: время, длительное, светочувствительных, слоев, сохраняющихся, сухих, хромированных

...техже слоях как ультраконтрастных,так и мягких изображений, как негативных, так и позитивных.Описываемый способ обеспечивает получение градационно богатыхизображений, состоящих из мелкидискретных элементов, окрашенныхкрасителем в интенсивный черныйвст.В описываемом способе регулируют контрастность проявляемогоштрионого или пол онового изображения путем изменения в растворе красителя концентрации добавляемого спирта и формалина и температуры самого раствора.Е целя получения с диапозитиванепосредственно негативного изображения время экспонирования :скращают, например, в десять раз посравненшо с потребным временемдля получения непосредственно г;озитивного изооражения. Затем обычным образом отмывают водой изслоя соли рома, производят...

Номер патента: 806161

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Борисова, Веденьев, Гортинский, Кузнецова, Мачихина, Федоров

МПК: B07B 4/08

Метки: псевдоожиженном, разделения, сепаратор, слое, сыпучихматериалов

...разделения. Сепаратор в зоне разгрузкиснабжен экраном 8 и расположеннымза ним порогом 9, причем экран 8и порог 9 выполнены регулируемымипо высоте. Для выпуска пылевой фракции установлен зонт 10. Для изменения угла наклона перфорированногодна 2 установлено винтовое устройство 11. В верхней части лотка 7смонтирован грузовой клапан 12 длявыпуска минеральной примеси.Сепаратор работает следующим образом,Сыпучий материал подается в загрузочное устройство 3 и поступаетв рабочую зону сепаратора. Под действием восходящего потока воздухасыпучий материал образует псевдоожиженный слой и при этом происходитрасслоение материала на Фракции,Тяжелая фракция протекает в зонуразгрузки и выводится при помощи лотка б, а легкая Фракция...

Номер патента: 1304666

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Герасименко, Дульцев, Репинский, Соломатина, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, локального, окисла, слоев, сухого, травления

1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс - энергия ионов, глубина проникновения которых равна толщине пленки, затем выдерживают в ненасыщенных парах воды в течение 0,1-120 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени обработки, после ионного облучения проводят...

Номер патента: 1817617

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления

...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...