Слоистый материал

Номер патента: 135966

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Казарновский

МПК: G01R 19/18, H05F 3/00

Метки: зарядов, плотности, поверхностной, электрических

...б.При отсутствии постоянного поля (зарядов нет) и симметрии мостовой схемы через разделительный конденсатор Зтокне проходит. При наличии статического электричества поток электрической индукции проходит через коллектор 6 и в сегнетодиэлектрике конденсаторов 1 и 2появляется постоянная составляющая поля, а в цепи конденсатороввозникает ток второй гармоники. Если в данный момент переменное ипостоянное поля, например в конденсаторе 1, совпадают, то в конденсаторе 2 они противоположны по направлению. Вследствие этого фазатока второй гармоники в конденсаторе 1 оказывается сдвинутой на180 по отношению к фазе тока второй гармоники в конденсаторе 2.Поэтому эти токи замыкаются через среднюю ветвь с конденсатором 3и, складываясь, образуют на...

Номер патента: 203271

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Ольшвангер, Таксар, Федотов, Янушковский

МПК: G01B 15/02, G01N 23/02

Метки: листовб1х, пленок, плотности, поверхностной, толщины

...потока излучения при его прохождении через контролируемый материал, источник и детектор размещают с разных сторон контролируемого материала. Бывают случаи, когда этим способом нельзя воспользоваться из-за недоступности отдельных контролируемых узлов.Отличительной особенностью предлагаемого способа является использование для контроля поверхностной плотности или толщины различных материалов и пленок эффекта ослабления обратнорассеянного Р-излучения в воздушной среде, находящейся по другую сторону от исследуемого образца. Это позволяет расширить нижний предел измеряемых величин и упростить конструкцию устройств, осуществляющих данный способ, Последний заключается в следующем. 147метий Р, Р-излучение от источника при первоначальном...

Номер патента: 203272

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Ольшвангер, Таксар, Федотов, Янушковский

МПК: G01B 15/02, G01N 23/02

Метки: листовых, пленок, плотности, поверхностной, толщины

...качестве источника используют изотоп мягкого Р-излучения, например про метий РП,44 т, а В КаЧЕСтВЕ дЕтЕКтОра МОжЕт бЫтЬ применен торцовый галогенный счетчик или сцинтилляционный счетчик.Источник и детектор Р-излучения расп гают в измерительной головке устройства раллельно друг другу на расстоянии около20 им, а измеряемый материал - в непосредственной близости от них. Источник и детектор устанавливают на сканирующем устройстве, перемещающем их по ширине исследуемого образца, Чтобы повысить эффективностьизмерения, можно использовать несколькоприемников излучения. Источник излученияпомещают в защитный контейнер с коллима 10 тором, благодаря чему исключается попаданиепрямого и отраженного от исследуемого образца излучения на...

Номер патента: 342514

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Таксар, Терехов, Тумулькан, Федорков, Федотов, Янушковский

МПК: G01B 15/02, G01N 23/02

Метки: листовых, пленок, плотности, поверхностной, толщины

...нечувствительные области регистрации детекторов ядерного излучения) . Поскольку в области б, прилегающей к источнику, поток обратнорассеянного от газовой среды р-излучения наиболе интенсивный, то доля нерегистрируемых из общего числа отраженных частиц значительна и применение даже идеально широкого детектора, охватывающего Области б и 7, пе позволяет устранить завиоимость числа регистрируемых частиц от изменения плотности отражающей среды. В результате становится нецелесообразным строить подобные устройства.Такиы образом, точность измерения толщмны или поверхностней плотностями листовых материалов и пленок сильно зависит от геометрии взаимного расположения источника излучения и детектора в тех случаях, когда изменяются параметры газовой...

Номер патента: 609079

Опубликовано: 30.05.1978

Авторы: Киселева, Милютин, Турянский

МПК: G01N 23/20

Метки: плотности, поверхностного, слоя, твердых, тел

...сканирования 7 в направлениях, указанных на чертеже стрелкой, рентгеновский пучок попадает либо непосредственно на кристалл-анализатор, либо предварительно отражаясь от поверхности образца 6.Регистрация интенсивностей прямого и отраженного пучков до отражения от кристалла-анализатора осуществляется счетчиком излучения 9, Для уменьшения влияния рассеянного излучения перед счетчиком 9 установлена ограничивающая щель 8.Кристалл-анализатор 10 установлен ассиметрично относительно оси вращения Огю д и жестко закреплен на скамье 12 счетчика излучения 11, регистрирующего отражения от кристалла-анализатора пучка (см, фиг. 2), Такая установка, во-первых, обеспечивает перекрытие большего диапазона углов отражения от контролируемой...