Устройство для многодуговой плазменной обработки материалов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МНОГОДУГОВОЙ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ, содержащее несколько входных электродов, подключенных параллельно к источнику питания, и установленные между ними с соплом изолированные одна от другой межэлектродные вставки, каждая из которых выполнена с отверстием для образования каналов для формирования дуги, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и повышения КПД устройства путем снижения потерь тепла в области сопла, в каждой межэлектродной вставке выполнены дополнительные отверстия, а общее число отверстий во вставке равно числу входных электродов.
Описание
Известны различные устройства, в которых на общую камеру смешения или реактор для обработки материалов установлено несколько идентичных однодуговых плазматронов с электродными узлами. Кроме того, имеются плазматроны с межэлектродными вставками, установленными между электродными узлами.
Известно устройство для обработки материалов, содержащее несколько идентичных плазматронов, каждый из которых имеет электродные узлы и сопла, причем плазматроны подключены параллельно к источнику питания.
Среди недостатков этого устройства можно отметить сложность конструкции и зажигания дуги, особенно при использовании плазматронов с секционированной межэлектродной вставкой. Кроме того, при напылении порошковых материалов требуются плазменные аппараты с высокоскоростными газовыми потоками. Такие потоки формируют при малых углах между осями плазматронов и осью плазменного аппарата. Однако указанные устройства в этом случае существенно усложняют конструкцию аппарата.
Известно устройство для многодуговой плазменной обработки материалов, содержащее несколько входных электродов (входным электродом считают электрод, со стороны которого подается плазмообразующий газ) и установленные между ними и соплом изолированные одна от другой межэлектродные вставки, каждая из которых выполнена с отверстием для образования каналов для формирования дуги.
Конструкция известного устройства позволяет изменять длину для формирования дуги без изменения поперечных размеров межэлектродных вставок. Число каналов может быть практически любым и они могут быть расположены под любым углом один к другому, а также к общему каналу.
Недостатками устройства являются его относительно сложная конструкция и большие габариты, так как в таком устройстве каналы для формирования дуги расположены далеко один от другого и сближение их ограничено размерами самих межэлектродных вставок, а также большие потери в области сопла, что снижает КПД устройства.
Целью изобретения является упрощение конструкции устройства и повышение его КПД путем снижения потерь тепла в области сопла.
Это достигается тем, что в устройстве для многодуговой плазменной обработки материалов, содержащем несколько входных электродов, подключенных параллельно к источнику питания, и установленные между ними и соплом изолированные одна от другой межэлектродные вставки, каждая из которых выполнена с отверстием для образования каналов для формирования дуги, в каждой межэлектродной вставке выполнены дополнительные отверстия, а общее число отверстий во вставке равно числу входных электродов.
На фиг.1 схематически изображено устройство для многодуговой плазменной обработки материалов с двумя каналами для формирования дуги; на фиг.2 - сечение А-А на фиг.1.
Устройство для многодуговой плазменной обработки содержит входные электроды (катоды) 1 и 2, через балластные сопротивления 3 и 4 параллельно подключенные к минусу источника питания 5. К плюсу источника питания 5 подключено общее сопло-анод 6. Между входными электродами (катодами) 1 и 2 и соплом-анодом 6 установлены межэлектродные вставки 7, в каждой из которых выполнены два отверстия 8 и 9, образующие в сборе каналы 10 и 11 для формирования сжатой дуги и для ее стабилизации, а также отверстие 12 для подачи материала, например в виде порошка, используемого для напыления покрытия или наплавки. Межэлектродные вставки 7 изолированы одна от другой и от электродов изолирующими прокладками 13. На выходе устройства установлено формирующее сопло 14.
Многодуговой плазменный аппарат работает следующим образом. Перед зажиганием электрических дуг первая от входных электродов 1 и 2 межэлектродная вставка 7 соединяется с соплом-анодом 6 (на чертежах не показано). Затем после подачи плазмообразующего газа (показано стрелками) между каждым электродом (катодом) 1 и 2 и этой первой межэлектродной вставкой 7 возбуждаются вспомогательные (дежурные) электрические дуги. Величину балластных сопротивлений 4 и 3 выбирают из расчета устойчивой работы параллельно включенных электрических дуг. При достижении стабильного горения вспомогательных дуг первую межэлектродную вставку 7 отключают от сопла-анода 6. Это приводит к возникновению основных электрических дуг в каналах 10 и 11 и к формированию суммарной сжатой дуги 15. После этого через отверстия 12 всех межэлектродных вставок 7 в область суммарной дуги 15 подают материал, например, в виде порошка.
Предлагаемое устройство за счет упрощения его конструкции позволяет значительно улучшить характеристики формируемых сжатых дуг. Так, угол между каналами для формирования дуги может быть уменьшен до нуля, а отверстия во вставках могут быть приближены к отверстию для подачи напыляемого или наполняемого материала на сколь угодно малое расстояние. Это значительно уменьшает искривление линий потока газа при переходе от каналов для формирования дуги к общему формирующему соплу, поэтому потери скоростного напора в области зоны смещения сжатых дуг близки к нулю. Кроме того, за счет уменьшения пульсаций потока газа при формировании зоны смещения создаются условия для снижения потерь тепла в области общего сопла, поэтому КПД устройства близок к КПД однодугового плазматрона.
Экспериментальные исследования проводили на устройстве тремя каналами для формирования дуги. Угол между общей осью устройства и осью каждого канала составлял 15о, внутренний диаметр каждого канала 5 мм. Длина электрической сжатой дуги в каждом канале составляла 3,5 см. Исследования проводили с использованием аргона при расходе его через каждый канал 0,8-1,2 г/с. Ток каждой сжатой дуги изменялся от 40 до 120 А, а суммарный ток общей дуги от 120 до 360 А, при этом падение напряжения изменялось от 70 до 120 В. КПД устройства составлял

Предлагаемое устройство для обработки материалов за счет упрощения конструкции позволяет значительно улучшить характеристики формируемой сжатой дуги и повысить эффективность технологического процесса нанесения покрытия.
Мощность сжатой дуги можно регулировать в широких пределах за счет разного количества параллельно работающих входных электродов без значительного изменения размеров устройства и за счет изменения длины каналов для формирования дуги без изменения поперечных размеров межэлектродных вставок.
Повышается стабильность технологического процесса, так как незначительное искривление линий газового потока в зоне смешения значительно уменьшает выброс на периферию обрабатываемого материала. Это обеспечивает высокий коэффициент использования обрабатываемого материала, особенно при сфероидизации.
Устройство просто в эксплуатации.
Указанные технико-экономические показатели предлагаемого устройства для многодуговой плазменной обработки позволяют поднять производительность технологических процессов и повысить качество изделий.
Рисунки
Заявка
2845925/27, 29.11.1979
Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина
Клубникин В. С, Кудрявцев Ю. П
МПК / Метки
МПК: B23K 10/00
Метки: многодуговой, плазменной
Опубликовано: 15.09.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-862463-ustrojjstvo-dlya-mnogodugovojj-plazmennojj-obrabotki-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для многодуговой плазменной обработки материалов</a>
Предыдущий патент: Аэрирующее устройство
Следующий патент: Способ испытания регулируемого сопла авиационного газотурбинного двигателя
Случайный патент: Блок берегозащитного сооружения