Способ изготовления люминесцентного экрана
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО ЭКРАНА, включающий нанесение на подложку слоя люминофора, органической пленки, нанесение первого слоя алюминия в вакууме, удаление органической пленки, нанесение второго слоя алюминия в вакууме, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, первый слой алюминия наносят со скоростью 1,0 
10-3 1,5 10-3 мкм/с при давлении остаточных газов 6,65 10-4 6,65 10-3 Па, при этом толщину первого слоя алюминия выбирают равной 0,6 1,5 толщины второго наносимого слоя алюминия, органическую пленку удаляют при 1 5-кратном чередовании термообработки при температуре 300 380oС и давлении остаточных газов 1,33 10-3 1,1 10-2 Па в течение 2 - 9 мин с обработкой в плазме тлеющего разряда с удельной мощностью на поверхности заготовки 25 100 Вт/см2 и при давлении остаточных газов 6,65 133 Па в течение 1 5 мин, а нанесение второго слоя алюминия осуществляют со скоростью 3,0 10-3 5 10-3 мкм/с при температуре подложки 100 140oС давлении остаточных газов 1,33 10-3 1,33 10-4 Па или в инертном газе при давлении 1,33 1,33 10-1 Па.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесение второго слоя алюминия осуществляют в притоке гелия с содержанием примесей 5 10-9 5 10-8 об.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве плазмообразующего газа используют воздух или кислород.
Описание
Целью изобретения является увеличение выхода годных за счет уменьшения проницаемости пленки алюминия в результате увеличения ее плотности, механической прочности и коэффициента отражения, а также за счет более полного удаления органической пленки. Весь технологический цикл осуществляют последовательно за один прием вакуумирования.
Способ реализуется следующим образом.
При достижении в рабочем объеме с помощью средств откачки давления 1,33
10-4 Па на подложку термическим напылением наносят слой алюминия толщиной 5 10-2 мкм, что равно толщине второго наносимого слоя. Экспериментально подобранный режим напыления обеспечивает необходимую для получения оптической структуры скорость осаждения алюминия 1,3х10-3 мкм/с. После нанесения первого слоя алюминия удаляют органическую пленку при 4-кратном чередовании вакуумной термообработки и обработке в плазме тлеющего разряда активной газовой среды. Нагревают подложку при давлении 3,99 10-3 Па со скоростью 25-35 град/мин до 360оС, при которой следует выдержка в течение 6 мин. Затем в рабочий объем напускают сухой чистый воздух до давления 66,5 Па и возбуждают тлеющий разряд при напряжении 850 В и плотности тока 65 мА/см2 в течение 3 мин. Температура подложки при этом 270-350оС.После удаления органической пленки рабочий объем откачивают до давления 66,5
10-3 Па. Температура подложки в результате охлаждения понижается, и при достижении 120оС производят нанесение второго слоя алюминия со скоростью осаждения 4 10-3 мкм/с.В случае нанесения второго слоя алюминия в среде инертного газа в рабочем объеме с помощью натекателя создают приток гелия при давлении 6,65 Па с расходом 4,5
10-2 л/Па с.Данный способ позволяет повысить производительность труда на 30% при увеличении выхода годных в 2 раза, он прост в реализации и может быть осуществлен на стандартном оборудовании при введении необходимой оснастки.
Изобретение относится к производству электровакуумных приборов. На подложку люминофора наносят первый слой алюминия со скоростью (1,0-1,5)
10-3мкм/c при давлении остаточных газов 6,65 10-4-6,65 10-3Па. Удаляют органическую пленку при 1 5-кратном чередовании термообработки при температуре 300 380°С и давлении остаточных газов 1,33 10-3-1,1 10-2Па в течение 2 9 мин с обработкой в плазме тлеющего разряда с удельной мощностью на поверхности заготовки 25-100 Вт/см2 и при давлении остаточных газов 6,65 133 Па в течение 1 5 мин. Наносят второй слой алюминия со скоростью (3-5) 10-3мкм/с при температуре подложки 100 140°С и давлении остаточных газов 1,33 10-3-1,33 10-4Па или в инертном газе при давлении 1,33-1,33 10-4Па например в протоке гелия с содержанием примесей 5 10-4-5 10-8об.%. Способ дает увеличенный выход годных. 2 з. п. ф-лы. Заявка
4151887/21, 24.11.1986
Стеркина Н. О, Никитин Л. М, Мазур С. И, Кошеров В. В, Гаврилов А. И, Табунов С. Н
МПК / Метки
МПК: H01J 9/20
Метки: люминесцентного, экрана
Опубликовано: 27.10.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1419400-sposob-izgotovleniya-lyuminescentnogo-ehkrana.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления люминесцентного экрана</a>
Способ определения радиационного тепловогопотока из излучающего слоя газа
Номер патента: 745244
Опубликовано: 07.08.1981
Авторы: Куприс, Синкявичус, Тамонис
МПК: G01J 5/10
Метки: газа, излучающего, радиационного, слоя, тепловогопотока
...диафрагм узкоугольных радиометров. В качестве узкоугольных радиометров могут использоваться приборы, изготовленные по схеме радиометра беэ фокусирующей оптики,Способ обосновывается тем, что полный радиационный тепловой поток на любой поверхности 5 от излучающего объема газа Ч определяется уравнением 9=3 3 3 ) Йл Р Ч)з 1 и ВсозВдМИ 5-дроь (3)800 Здесь поправкад Цр д = 1р (Ээ) В (Труд ц 5где Т- температура ограничиваквейповерхности Т - температура радиометра, )1 - интенсивность собственного излучения единичной поверхности стенки, В - интенсивность излучения абсолютно черного телаа В - угол между лучом и нормальюна поверхности .5, ф - азимутальный угол, учитывая то обстоятельство, что температура узкоугольного радиометра, как...
Способ очистки полупроводниковых слоев от остаточной примеси
Номер патента: 1574118
Опубликовано: 15.05.1991
Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин, Шарипов
МПК: H01L 21/324
Метки: остаточной, полупроводниковых, примеси, слоев
...силового поля деформации, но неокисла обычно составляет несколько позволяет получить достаточную скосотен ионослоев (200-300). Рость диффузии, позтоиу эффект очист В р и и, е р. способ бцп .опробован кк - минимальный и даже после 24 чв лабораторны условиях. предприятия- вьдержки увеличение интенсивности :.заявителя для очистки от цинка эпи Фотолюминесценции незначительно.тасвальных слоев и-Еп з Сазт,Ав со Увеличение температуры прогрева,стекекь 3 в компенсации цйнка а, следовательно, и скорости диффуэииь ускоряет процесс очистки и приЮ /Я0,5,. . . 450 С достаточно. полная, очистка достигается йрнмерно за 20 иин.. ГдеМ - концентрация акцепториой Подобнце закономерности наблюдапримеси; ются .и в процессе очистки других.мно Н -...
Бескамерное устройство для получения устойчивого слоя газа при оптических исследованиях
Номер патента: 102286
Опубликовано: 01.01.1956
Автор: Лазарев
МПК: G01N 21/25
Метки: бескамерное, газа, исследованиях, оптических, слоя, устойчивого
...ОптичсскОй из)срптсл ной 7 с- нонки газоирогод п)сет незащищенный стенкмп разрмоя;лу иолаоним и прииимющим сопла)п. чсое: который цюколит нес;слусый газ., Г нолТЕсин с;оя Газа ЛБ) х раз;1101- ньк сечений пола)ощсс сопло имеет пр)Г 1 оугольное с сние и иово 1)ачнвется во- КР 7 Г СОСИ 1 Ц)ОЛОЛЬНОИ ОСИ, 1). ПРИШЪ- ющее соило имеет ссчсиис лиметром. равным нибо)ли)у сечснио пр)Оугол, - иого сопл.Гке)1 7 строиства иок 51 п на )сите)кс.Г)з к мссту исследования (измерения)1 ПОЛсс через труоу 1) вснтплтором 2). Йруя газа ыкодит из сона (3) иря)Гоугольного сечения и пересекст местоизмерения, сокрняя при этом Форму поперечного сечения сопла (3). После проко;Л.пия места 4) пз)срспия стр 1 я г 3 ф рс 5 сопло й) круглОГО сечения Предмет...
Устройство для измерения парциального давления углекислого газа в биологических средах и газах
Номер патента: 1117519
Опубликовано: 07.10.1984
Автор: Андреев
МПК: G01N 27/02
Метки: биологических, газа, газах, давления, парциального, средах, углекислого
...ячейку датчика можно определить степень воздействия надатчик следующих отрицательных факторов 1 изменение "остава раствора КОН;появление пузырьков воздуха в канавкеили ячейках датчика; выход из строямембраны.Эти факторы могут сказываться науход нуля или изменение крутизны характеристики преобраэования устройства, причем изменение показанийзафиксировано на диаграммной лентезаписи процесса измерения,В этот момент можно провести подстроику нуля или. крутизны характеристики преобразования или устанитьпричину, вызвавшую это изменение,например удалить пузырь воздуха илисменить раствор КОН. Тем самым повышается точность и достоверность результатов измерений рСО .Повышение точности измерений достигается также применением двух...
Способ одновременного измерения общего давления и парциального давления электроотрицательного газа в вакуумной системе
Номер патента: 581402
Опубликовано: 25.11.1977
Авторы: Григорьев, Гринченко, Фурсов
МПК: G01L 21/34
Метки: вакуумной, газа, давления, общего, одновременного, парциального, системе, электроотрицательного
...давлении электроотрицательного газа в вакуумной системе.Переменное напряжение питания обеспечи вает зажигание в преобразователе разряда58402 формула изобретения двух типов: магнетронного и инверсно-магнетронного. Поэтому периодически все электро. ды манометрического преобразователя будут подвергаться бомбардировке положительными -ионами, что обеспечит очищение поверхностей электродов. 5На чертеже представлена принципиальная схема устройства, реализующего предложенный способ измерения давления.Устройство содержит преобразователь 1, имеющий катод 2, сетчатый анод 3, коллектор 4 отрицательных ионов, источник питания измерительные приборы 6, 7 и фазовый детектор 8, вектор В показывает направление индукции магнитного поля.На катод 2...
Предыдущий патент: Способ лечения злокачественных опухолей
Следующий патент: Керамический магнитный материал
Случайный патент: Способ записи двух частотно-модулированных сигналов